【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括的步骤为： 在半导体衬底上形成具有接触孔的绝缘层； 在所述接触孔的表面和所述绝缘层上沉积金属硅化物层，所述金属硅化物具有从富硅成分变化到富金属成分的浓度梯度，其中所述金属硅化物层的下部具有富硅成分并 且所述金属硅化物层的上部具有富金属成分；和 退火所述金属硅化物层使得所述金属硅化物层的金属和硅成分变得均匀。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑东河，廉胜振，金栢满，朴昌洙，金鼎泰，李南烈，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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