【技术实现步骤摘要】
一般地,本专利技术的实施方式涉及到使用介孔材料的非易失性(nonvolatile)纳米沟道(nanochannel)存储器,更具体地,涉及存储器件,其包含能够形成纳米沟道的介孔材料,其中具有填入纳米沟道的金属纳米颗粒或金属离子的存储层布置于上电极和下电极之间。
技术介绍
随着信息和通讯产业的快速发展,对各种存储器件的需求急剧增长。具体地,便携式终端、各种智能卡、电子货币、数码相机、游戏、MP3唱机等需要的存储器件必须是非易失性的,以使得记录的信息即使在不耗电时也不会丢失。随着大规模集成电路(LSI)技术的发展,集成在IC芯片上的存储器的比特数达到兆级,因此,需要具有亚微米的尺度的线路和间隔的宽度。虽然几乎所有通常的非易失性存储器件使用标准的硅技术制造,但由此制造的硅基器件存在缺点,比如复杂的结构和大尺寸的单个存储单元,其高容量不能实现。为了制造具有高集成度的高存储容量的硅基存储器,应该采用能减小在单位面积上的线路和间隔宽度的精密加工。这增加了加工成本并导致制造存储芯片的高成本。而且,该芯片制造技术使得难以进一步缩小芯片,因而,于是面对盈利的问题。因此,有各种努力来开发下一代的存储器件,其不同于通常的存储器件,其具有特别高的速度、高容量和低能耗,适用于便携式信息和通信系统及装置的发展以无线地处理大量信息。取决于构成半导体中的单元的材料种类,下一代的存储器件包括,例如,铁电RAM,磁RAM,相变RAM,纳米管RAM,全息存储器,有机存储器等。这些存储器件中,利用通过向提供在上和下电极之间的有机材料施加电压得到的双稳电阻值,有机存储器获得了存储容量。因此,有 ...
【技术保护点】
一种存储器件,其包含:下电极;上电极;和存储层,其中该存储层配置在上和下电极之间并包含介孔材料,其中该存储层包含纳米沟道,其中该纳米沟道包含金属纳米颗粒或金属离子。
【技术特征摘要】
KR 2005-2-7 11290/051.一种存储器件,其包含下电极;上电极;和存储层,其中该存储层配置在上和下电极之间并包含介孔材料,其中该存储层包含纳米沟道,其中该纳米沟道包含金属纳米颗粒或金属离子。2.如权利要求1所述的存储器件,进一步包含阻挡层,其位于a)存储层和下电极之间和b)存储层和上电极之间中的至少一个位置上。3.如权利要求1所述的存储器件,其中所述介孔材料为有机材料、无机材料或有机-无机复合物。4.如权利要求1所述的存储器件,其中所述介孔材料为无机材料。5.如权利要求4所述的存储器件,其中所述无机材料为选自以下的至少一种TiO2、ZnO、CuO、SiO2、Al2O3及其混合物。6.如权利要求1所述的存储器件,其中所述纳米沟道尺寸为0.5-100nm。7.如权利要求1所述的存储器件,其中所述存储层通过将介孔材料进行热沉积、溅射、电子束蒸发、旋涂、喷墨印刷或卷-对-卷涂布而形成。8.如权利要求1所述的存储器件,其中所述存储层厚度为10nm-100μm。9.如权利要求1所述的存储器件,其中所述金属纳米颗粒或金属离子为选自铝、金、银、铂和氧化铟锡的金属的纳米颗粒或离子。10.如权利要求1所述的存储器件,其中所述金属纳米颗粒尺寸为10nm或更小。11.如权利要求1所述的存储器件,其中所述金属纳米颗粒或金属离子利用热沉积填充入纳米沟道。12.如权利要求11所述的存储器件,其中所述存储器件包含在存储层和上电极之间的阻挡层,和在利用热沉积沉积上电极的同时金属纳米颗粒或金属离子经由金属扩散填充入纳米沟道。13.如权利要求2所述的存储器件,其中所述阻挡层由选自以下的材料形成导电性聚合物、非导电性聚合物、不同于用于存储层的介孔材料的介孔材料、和能够利用热沉积形成薄膜的有机单体或无机材料。14.如权利要求12所述的存储器件,其中所述阻挡层由选自以下的材料形成导电性聚合物、非导电性聚合物、不同于用于存储层的介孔材料的介孔材料、和能够利用热沉积形成薄膜的有机单体或无机材料。15.如权利要求13所述的存储器件,其中所述导电性聚合物为至少一种选自以下的均聚物或共聚物聚(正乙烯基吡啶)、聚(二甲基硅氧烷)、聚(环氧乙烷)、聚(丙烯酸)、聚(甲基丙烯酸)、聚(苯乙烯-磺酸)、聚(环戊二烯基甲基-降冰片烯)和聚(氨基酸),所述非导电性聚合物为至少一种选自以下的均聚物或共聚物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、聚酰亚胺(PI)和聚碳酸酯(PC),所述不同于用于存储层的介孔材料的介孔材料为选自以下的任意一种利用硅氧烷或倍半硅氧烷作为基体和利用环糊精、杯芳烃或树枝状大分子作为孔-形成材料制备的薄膜,和利用硅石或嵌段三元聚合物聚环氧乙烷/聚环氧丙烷/聚环氧乙烷(PEO-PPO-PEO)作为基体和利用表面活性剂作为孔-形成材料制备的薄...
【专利技术属性】
技术研发人员:周原提,林珍亨,李光熙,李相均,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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