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使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件制造技术
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下载使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件的技术资料
文档序号:3193552
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一种使用介孔材料的非易失性纳米沟道存储器件。特别地,一种由能够形成纳米沟道的介孔材料组成的存储器件,其中具有填充入纳米沟道的金属纳米颗粒或金属离子的存储层配置在上电极和下电极之间。因而,该存储器件具有高的加工性,并显示了优异的重现性和均一的...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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