【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于对基片进行处理的一种方法和一种装置以及一种用于这种处理作业的喷嘴单元。本专利技术尤其涉及用于对基片尤其对在半导体工艺中的基片用一种液体结合超声波尤其用兆赫声波(Megaschall)进行表面处理的一种方法和一种装置。
技术介绍
在不同的工艺领域中,已经公开用超声波对部件进行清洗。在这种情况下,使有待清洗的部件与液体介质进行接触,通常是将其浸入液体介质中并且在一定的时间里对其用超声波进行处理,用于溶解污物。同样在晶片及掩模制造的领域内超声波清洗是一项公认的技术并且已经用多种不同的方式得到使用。超声波系统通常包括发生器和超声波换能器,其中所述发生器将交流电压转换为超声波换能器的相应的工作电压。而该超声波换器则又将电能转换为机械振动,所述机械振动可以在这样处于接触之中的液体介质中引起过压相和低压相。通过交变的过压相和低压相产生所谓的气穴气泡,所述气穴气泡在内爆时短时间产生很高的局部压力和温度。所述气穴气泡是超声波清洗技术的基础。400kHz以上的频率就被称为超声波,并且自700kHz起的频率就被称为兆赫声波。在兆赫声波频率范围内,所述气穴能量较小,从而避免微结构遭到破坏。但与此同时,在兆赫声波频率范围内在清洗极细小的颗粒方面清洗效率很高。因此在晶片及掩模制造时通常使用兆赫声波。在一种公开的比如在DE-A-197 58 267中所说明的超声波清洗系统中,将半导体晶片作为装料放入一个充填着液体的处理池中,并且随后用超声波对其进行处理。在此,超声波基本上平行于所述晶片的表面定向并且应该基本上均匀地对晶片的整个表面进行处理。
技术实现思路
根据所述的现 ...
【技术保护点】
用于对基片进行处理的方法,具有以下方法步骤:-通过喷嘴单元在有待处理的基片的局部表面区域上形成液膜,该喷嘴单元具有至少一个纵向伸展的喷嘴装置和与该喷嘴装置相邻布置的超声波换能器装置或兆赫声波换能器装置;-使所述超声波换能器装 置的至少一部分与所述液膜相接触;以及-用所述超声波换能器装置将超声波加入到所形成的液膜中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2004-11-4 102004053337.71.用于对基片进行处理的方法,具有以下方法步骤-通过喷嘴单元在有待处理的基片的局部表面区域上形成液膜,该喷嘴单元具有至少一个纵向伸展的喷嘴装置和与该喷嘴装置相邻布置的超声波换能器装置或兆赫声波换能器装置;-使所述超声波换能器装置的至少一部分与所述液膜相接触;以及-用所述超声波换能器装置将超声波加入到所形成的液膜中。2.按权利要求1所述的方法,其特征在于,所述液膜在所述喷嘴单元的基本上封闭的底部结构与所述基片的有待处理的表面区域之间形成。3.按权利要求1或2所述的方法,其特征在于在所述喷嘴单元和基片之间产生相对移动,这种相对移动用于在所述基片的不同表面区域上施加液膜并且将超声波加入到这些区域中。4.按权利要求3所述的方法,其特征在于,改变在所述喷嘴单元和基片之间的相对移动的速度。5.按权利要求4所述的方法,其特征在于,所述相对移动的速度根据所述喷嘴单元相对于基片的位置进行改变。6.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在处理过程中对超声波在液膜中的加入进行改变。7.按权利要求6所述的方法,其特征在于,根据所述喷嘴单元相对于基片的位置来改变超声波的加入。8.按权利要求6或7所述的方法,其特征在于,至少在所述换能器装置的局部区域中改变所述加入到液膜中的超声波的强度和/或频率。9.按权利要求6到8中任一项所述的方法,其特征在于,所述超声波到基片上的入射角通过所述换能器装置相对于基片表面的倾斜位置来改变。10.按权利要求7所述的方法,其特征在于,所述超声波相对于基片表面的入射角在105°和75°之间改变。11.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述换能器装置由多个换能器构成,这些换能器单个地和/或成组地进行触发。12.按权利要求11所述的方法,其特征在于,所述换能器沿着队列或者以矩阵的形式布置,并且设置具有不同的谐振频率的换能器。13.按权利要求11或12所述的方法,其特征在于,用不同的强度和/或频率来触发所述换能器。14.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述液膜基本上沿着直线在所述基片的整个宽度上形成,并且所述超声波基本上沿着直线在所述基片的整个宽度上加入到液膜中。15.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在所述基片的整个宽度上以不同方式控制超声波的加入。16.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,控制所述形成液膜的液体的成分。17.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述喷嘴装置包括多个喷嘴,用不同的方式对这些喷嘴进行触发。18.按权利要求15或16所述的方法,其特征在于,在局部将不同的液体和/或不同的液体量施加到基片上以形成液膜。19.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,通过至少两个喷嘴装置施加所述液膜,这些喷嘴装置布置在所述换能器装置的相反的侧面上。20.按权利要求18所述的方法,其特征在于,给所述布置在换能器装置的相反的侧面上的喷嘴加载不同的液体。21.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,在处理过程中在所述换能器装置和基片的有待处理的表面之间保持0.2到2.0毫米的、尤其从0.7到1.4毫米的平均间距。22.按权利要求20所述的方法,其特征在于,在处理过程中改变所述平均间距。23.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述形成液膜的液体包含显影剂或酸洗剂。24.按前述权利要求中任一项所述的方法,其特征在于,所述液膜包含洗涤液和/或清洗液。25.按权利要求11到24中任一项所述的方法,其特征在于,在将超声波加入到液膜中的过程中至少暂时触发换能器中的至少其中一个换能器,使得其作为传感器进行工作。26.利用液体和超声波或兆赫声波对基片进行处理的装置,具有-喷嘴单元,该喷嘴单元具有至少一个纵向伸展的、用于将液膜施加到所述基片上的喷嘴装置以及与所述喷嘴装置相邻布置的、用于将超声波或兆赫声波加入到处于所述基片上的液膜中的换能器装置,其中所述至少一个喷嘴装置和所述换能器装置...
【专利技术属性】
技术研发人员:K布兰兹,P德雷斯,M索瓦,T盖林,
申请(专利权)人:施蒂格哈马技术股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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