清洁基底的方法和设备技术

提供一种通过向基底提供许多化学物质和气体来清洁和干燥基底的设备。所述设备可以包括：基底支撑构件，其包括接收基底的卡盘；第一喷嘴构件，其向所述基底的顶表面喷射用于干燥基底的干燥流体；下盖，其包括开口顶部，且围绕所述卡盘；和上盖，其可选择地关闭所述下盖的开口顶部，以便在闭合空间内干燥所述基底。因此，所述设备更为有效地干燥基底，且保护所述基底不被外部污染物质所污染。另外，防止在所述基底上产生不希望的氧化层。

【技术实现步骤摘要】

. 这里公开的本专利技术涉及清洁基底的设备，且更为特别地，涉及通过向基底上施加若干化学物品和气体来清洁和干燥基底的方法和设备。
技术介绍
. 在传统的半导体制造方法中，绝缘层和金属层的沉积、刻蚀、用光刻胶涂覆、显影、灰烬的清除和其它加工过程被重复若干遍以形成精细图案的阵列。另外，在传统的半导体制造方法中，用去离子水或化学物品来进行湿清洁过程，以清除每个加工过程之后留下的杂质。. 在传统的清洁设备中，在用马达使被固定的晶片转动的同时，化学物品或去除离子的水用在被硅片夹固定的晶片的顶表面。施加在晶片顶表面的化学物品或去除离子的水在离心力的作用下分布在晶片的整个顶表面。. 在这样的单晶型清洁设备中，用去除离子的水冲洗所述晶片之后使用氮气来干燥晶片。. 然而，在氮气干燥过程之后，所述用于冲洗过程的去除离子的水会留下来。当晶片尺寸增加和更为精细的图案形成时，这个问题更经常地发生。另外，由于在空气中清洁和干燥晶片，所述晶片很容易被周围的物质所损坏。
技术实现思路
. 本专利技术提供一种快速清洁和干燥基底的方法和设备。. 本专利技术还提供了清洁基底的方法和设备，同时保护所述基底免受外界污染物污染。. 本专利技术还提供了能够减少在干燥过程中在基底上产生水斑的基底清洁方法和设备。. 本专利技术还提供在加工处理过程中能够有效保护基底免受周围物质影响的基底清洁方法和设备。. 本专利技术还提供能够防止外部空气进入处理基底的空间的基底清洁方法和设备。. 本专利技术的实施例提供清洁基底的设备，所述设备包括包括接收基底的卡盘的基底支撑构件；向所述基底的顶表面喷射用于干燥基底的干燥流体的第一喷嘴构件；包括开口顶部并围绕所述卡盘的下盖；和可选择地关闭所述下盖的开口顶部的上盖，以便在闭合空间内干燥所述基底。. 在一些实施例中，所述设备还包括用于给所述闭合空间减压的减压单元，所述闭合空间由所述下盖和所述上盖形成。. 在其它实施例中，所述设备还包括转动所述第一喷嘴构件的第一旋转单元。. 在其它实施例中，所述第一喷嘴构件包括喷嘴，所述喷嘴包括若干个沿从所述基底的中心到边缘延伸的水平线设置的喷射孔。. 在其它实施例中，所述设备还包括提升单元，把所述上盖移向所述下盖或把所述上盖从所述下盖移开，以关闭或打开所述下盖的所述开口顶部。. 在另一些实施例中，所述第一喷嘴构件包括喷嘴，所述喷嘴包括喷射孔，且所述喷嘴被设置在所述基底上部的所述闭合空间中。. 在另一些实施例中，所述设备还包括使所述第一喷嘴构件转动的第一旋转单元。. 在更进一步的实施例中，所述第一喷嘴构件设置在所述上盖上。. 甚至在更进一步的实施例中，所述设备还包括使所述上盖转动的第一旋转单元。. 在更进一步的实施例中，所述喷嘴包括若干沿从所述基底的中心到边缘延伸的水平线设置的喷射孔。. 在更进一步的实施例中，所述喷射孔的孔表面密度在从基底的中心到边缘的方向上增加。. 在更进一步的实施例中，所述卡盘包括支撑所述基底，且使所述基底离开所述卡盘的顶表面的支撑构件。. 在更进一步的实施例中，所述设备还包括安装在所述卡盘上的第二喷嘴构件，用于向所述基底的底表面喷射流体。. 在更进一步的实施例中，所述基底支撑构件还包括使所述卡盘转动的第二旋转单元。. 在更进一步的实施例中，所述干燥流体包括有机溶剂和氮气。. 在本专利技术的其它实施例中，提供清洁基底的方法，所述方法包括在设置于下盖中的卡盘上装载基底；为了处理所述基底，向所述基底提供化学物质；以及在隔离所述基底所在的空间后，向基底提供干燥流体来干燥所述基底。. 在一些实施例中，在低于大气压的压力下提供所述干燥流体。. 在其它的实施例中，在旋转卡盘的同时提供化学物质。. 在进一步的实施例中，在打开所述下盖的顶部之后提供化学物质。. 在进一步的实施例中，在用上盖关闭下盖的开口顶部之后，提供干燥流体。. 在更进一步的实施例中，通过安装在所述上盖上的喷嘴向所述基底提供干燥流体。. 在更进一步的实施例中，在旋转所述卡盘和所述喷嘴中的至少一个的同时提供干燥流体。. 在更进一步的实施例中，用上盖关闭下盖的开口顶部，以隔离基底所在的空间，且给被隔离的空间减压之后，向所述基底提供干燥流体。. 在本专利技术的另一些实施例中，提供用于清洁基底的设备，所述设备包括包括接收基底的卡盘和支撑所述卡盘的心轴的基底支撑构件；提供闭合空间并包括第一心轴孔的腔室，所述卡盘设于闭合空间中，且所述第一心轴穿过所述第一心轴孔，其中所述腔室包括安装在不同高度的第一和第二密封构件，以便在所述心轴和所述第一心轴孔之间形成缓冲空间。. 在一些实施例中，所述设备还包括第一减压单元，将所述闭合空间中的压力减小到低于大气压的第一压力；第二减压单元，将所述缓冲空间中的压力减小到低于大气压的第二压力，所述缓冲空间在所述第一和第二密封构件之间形成。. 在其它实施例中，所述缓冲空间的第二压力低于所述闭合空间的所述第一压力，以便防止外部空气进入所述闭合空间。. 在进一步的实施例中，所述第一和第二密封构件是轴承。. 在更进一步的实施例中，所述腔室还包括具有开口顶部的下盖；和关闭所述下盖的开口顶部的上盖，以便在闭合空间内处理所述基底。. 在其它的实施例中，所述设备还包括移动所述上盖的提升单元，以打开或关闭所述下盖的开口顶部。. 在另一些实施例中，所述设备还包括第一喷嘴构件，第一喷嘴构件包括形成有喷射孔的喷嘴，用于向所述基底的顶表面喷射干燥流体，以干燥所述基底，其中所述喷嘴在闭合空间内位于所述基底上方。. 在进一步的实施例中，所述设备还包括第一喷嘴构件，第一喷嘴构件包括心轴和被所述心轴支撑的喷嘴，所述喷嘴上形成有向所述基底的顶表面喷射用于干燥基底的干燥流体的喷射孔，以及支撑所述喷嘴的心轴，其中所述喷嘴在所述闭合空间内位于所述基底上方，且所述腔室还包括第二心轴孔，所述第一喷嘴构件的心轴从其中穿过；和安装在不同高度的第三和第四密封构件，为在所述第一喷嘴构件的心轴和所述第二心轴孔之间的空间提供双重密封。. 在本专利技术的更进一步的实施例中，提供一种用于清洁基底的设备，所述设备包括包括接收基底的卡盘和支撑所述卡盘的心轴的基底支撑构件；包括喷嘴和支撑所述喷嘴的心轴的第一喷嘴构件，所述喷嘴向所述基底的顶表面喷射用于干燥基底的干燥流体；包括开口顶部并围绕所述卡盘的下盖；可选择地关闭所述下盖的开口顶部的上盖，以便在闭合的空间内干燥所述基底；和用于给由所述下盖和上盖形成的所述闭合空间减压的减压单元，其中所述下盖包括所述基底支撑构件的心轴从其中穿过的第一心轴孔和安装在不同高度的第一和第二密封构件，此第一和第二密封构件给所述基底支撑构件的心轴和第一心轴孔之间的空间提供双重密封，并且所述上盖包括所述第一喷嘴构件的心轴从其中穿过的第二心轴孔，和安装在不同高度的第三和第四密封构件，此第三和第四密封构件给第一喷嘴构件的心轴和第二心轴孔之间的空间提供双重密封。. 在某些实施例中，所述减压单元将所述闭合空间中的压力减小到低于大气压的第一压力，且所述设备还包括另一个减压单元，将由所述第一和第二密封构件形成的缓冲空间和由所述第三和第四密封构件形成的缓冲空间中的压力减小到低于大气压的第二压力。. 在其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洁基底的设备，包括：基底支撑构件，其包括接收基底的卡盘；第一喷嘴构件，其向所述基底的顶表面喷射干燥流体以干燥基底；下盖，其包括开口顶部并围绕所述卡盘；和上盖，其可选择地关闭所述下盖的开口顶部，以便在 闭合空间内干燥所述基底。

【技术特征摘要】
KR 2006-6-12 10-2006-0052665;KR 2006-6-20 10-2006-1.一种用于清洁基底的设备，包括基底支撑构件，其包括接收基底的卡盘；第一喷嘴构件，其向所述基底的顶表面喷射干燥流体以干燥基底；下盖，其包括开口顶部并围绕所述卡盘；和上盖，其可选择地关闭所述下盖的开口顶部，以便在闭合空间内干燥所述基底。2.根据权利要求1的设备，还包括给所述闭合空间减压的减压单元，所述闭合空间由所述下盖和所述上盖形成。3.根据权利要求1的设备，还包括使所述第一喷嘴构件转动的第一旋转单元。4.根据权利要求3的设备，其中所述第一喷嘴构件包括喷嘴，所述喷嘴包括多个沿着从所述基底的中心到边缘延伸的水平线设置的喷射孔。5.根据权利要求1的设备，还包括提升单元，把所述上盖移向所述下盖或把所述上盖从所述下盖移开，以关闭或打开所述下盖的所述开口顶部。6.根据权利要求1的设备，其中所述第一喷嘴构件包括喷嘴，所述喷嘴包括喷射孔，且所述喷嘴在所述闭合空间中设置在所述基底上方。7.根据权利要求6的设备，还包括使所述第一喷嘴构件转动的第一旋转单元。8.根据权利要求1的设备，其中所述第一喷嘴构件设置在所述上盖上。9.根据权利要求8的设备，还包括使所述上盖转动的第一旋转单元。10.根据权利要求6的设备，其中所述喷嘴包括多个沿着从所述基底的中心到边缘延伸的水平线设置的喷射孔。11.根据权利要求10的设备，其中所述喷射孔的孔表面密度在从基底的中心到边缘的方向上增加。12.根据权利要求1的设备，其中所述卡盘包括支撑基底、且使所述基底离开所述卡盘的顶表面的支撑构件。13.根据权利要求12的设备，还包括安装在所述卡盘上的第二喷嘴构件，用于向所述基底的底表面上喷射流体。14.根据权利要求1的设备，其中所述基底支撑构件还包括使所述卡盘转动的第二旋转单元。15.根据权利要求1的设备，其中所述干燥流体包括有机溶剂和氮气。16.一种用于清洁基底的设备，包括基底支撑构件，其包括接收基底的卡盘和支撑所述卡盘的心轴；以及提供闭合空间的腔室，所述卡盘设于闭合空间中，且所述腔室包括第一心轴孔，第一心轴穿过所述第一心轴孔，其中所述腔室包括安装在不同高度的第一和第二密封构件，以便在所述心轴和所述第一心轴孔之间形成缓冲空间。17.根据权利要求16的设备，还包括第一减压单元，将所述闭合空间减压到低于大气压的第一压力；以及第二减压单元，将所述缓冲空间减压到低于大气压的第二压力，所述缓冲空间在所述第一和第二密封构件之间形成。18.根据权利要求17的设备，其中所述缓冲空间的第二压力低于所述闭合空间的所述第一压力，以便防止外部空气进入所述闭合空间。19.根据权利要求17的设备，其中所述第一和第二密封构件是轴承。20.根据权利要求16的设备，其中所述腔室还包括具有开口顶部的下盖；和关闭所述下盖的开口顶部的上盖，以便在闭合空间内处理所述基底。21.根据权利要求20的设备，还包括移动所述上盖的提升单元，以打开或关闭所述下盖的开口顶部。22.根据权利要求16的设备，还包括第一喷嘴构件，第一喷嘴构件包括形成有喷射孔的喷嘴，用于向所述基底的顶表面上喷射干燥流体，以干燥所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴根怜，具教旭，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]