【技术实现步骤摘要】
本公开涉及基板处理设备及基板处理方法，并且更具体地，涉及能够使液体化学品深深地渗透到设置在晶片上的图案中的基板处理设备和使用该基板处理设备的基板处理方法。
技术介绍
1、半导体装置通过诸如扩散、光刻、蚀刻和沉积的多个工艺来制造。在这种情况下，在诸如扩散、蚀刻和研磨的工艺之间执行清洁。
2、由于最近的技术进步，例如基板图案变得更精细，作为提高半导体产率的重要工艺，通过利用化学物质、气体或物理方法执行清洁来去除基板表面上的杂质。
3、各种类型的液体化学品可以用于清洁工艺，并且可以在由液体化学品供应装置调节液体化学品的浓度和温度之后将液体化学品喷出到基板上。液体化学品简单地从基板的中央上方喷出，由于旋转的基板的离心力而向外移动，并在基板的图案之间渗透。
4、然而，根据上述方法，当液体化学品在基板的图案之间移动时，施加到液体化学品的阻力朝向图案的壁增加，并且液体化学品的渗透深度受到限制。因此，不容易去除图案底部附近的杂质，并且当基板具有小的图案间隔或包括孔图案时，该问题发生得更严重。
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【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷出部设置在所述壳体的上部分，以朝向由所述基板支承部支承的所述基板的所述上表面喷出所述传热介质。
3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷出部设置在所述基板支承部上，以朝向由所述基板支承部支承的所述基板的下表面喷出所述传热介质。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述传热介质的温度相对高于所述液体化学品的温度。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述传热介质包括气体或液体。
6.根据权利要求5所述的基板...
【技术特征摘要】
1.一种基板处理设备，包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷出部设置在所述壳体的上部分，以朝向由所述基板支承部支承的所述基板的所述上表面喷出所述传热介质。
3.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述喷出部设置在所述基板支承部上，以朝向由所述基板支承部支承的所述基板的下表面喷出所述传热介质。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述传热介质的温度相对高于所述液体化学品的温度。
5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述传热介质包括气体或液体。
6.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述气体包括氮气或惰性气体。
7.根据权利要求5所述的基板处理设备，其中，所述液体包括去离子水或所述液体化学品的溶剂成分。
8.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，所述基板支承部包括被埋设以加热所述基板的加热器。
9.根据权利要求1所述的基板处理设备，还包括控制部，所述控制部电连接到所述液体化学品供应部和所述喷出部，以从所述喷出部接收传热介质喷出时序信息，并基于所述传热介质喷出时序信息向所述液体化学品供应部施加控制信号，以便控制所述液体化学品供应部喷出所述液体化学品。
10.一种使用基板处理设备的基板处理方法，所述基板处理设备包括：壳体，用于形成处理基板的处理空间；基板支承部，安装在所述处理空间中以围绕旋转轴线旋转，并且设置成支承所述基板；液体化学品供应部，设置在所述基板支承部的上方，以朝向由所述基板支承部支承的所述基板...
【专利技术属性】
技术研发人员：金容准，金兑根，崔俊熙，金康卨，李炅珉，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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