【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体的从卷筒到卷筒的制造方法。本专利技术还涉及用一种无机发光二极管发光纸及其制造方法。更具体说,本专利技术涉及能用作光辐射源的无机发光二极管发光纸(light sheet),它的应用包括,但不限于,普通的照明、建筑照明、新颖的照明、显示器的后衬光照明、平视显示器、商业和公路标牌、单色和全色静态和视频显示器、用于可光固化材料的辐射源、形成图形的光发射图像,如此等等。此外,本专利技术更具体地涉及一种无机光活性纸,能用作把光辐射转换为电能的从光转换为能量的装置,它的应用包括,但不限于,太阳能电池板、CCD型照相机、光传感器,如此等等。还有,本专利技术更具体地涉及以较低的费用,批量生产本专利技术的光活性纸的方法。
技术介绍
无机发光二极管(LED)基于周期表中大量不同的元素。发光二极管源自半导体技术,事实上,诸如硅二极管或锗二极管的半导体二极管,是最早的半导体装置。它们是用少量杂质对硅或锗掺杂制成的,掺杂使材料变成n型(过量的电子)或p型(过量的空穴)。LED发射的光,随选择的材料而异,能使发射的光在光谱的紫外范围、可见光范围、或红外范围。使用的材料类型,是通过把材料汽相淀积在半导体晶片上制成的,然后切割成许多管芯(每一管芯就是单个芯片)。通常这些管芯或LED管芯,约12平方密耳。管芯的成分与颜色有关,例如一些红色的管芯是AlInGaAs,而一些蓝色的管芯是InGaN。这种变化通常亦称“三-五族”变化,因为它们根据周期表中第三和第五周期而变化,给出n型或p型材料。把LED管芯的形式转变成LED灯,是费用高昂的过程,涉及非常精确的处理和极小的LE ...
【技术保护点】
一种制作光活性纸的方法,其特征在于以下步骤:提供有导电表面的下基片;提供电绝缘的粘结剂;把光活性半导体元件固定在电绝缘粘结剂上,所述光活性半导体元件各有n侧和p侧;提供有透明导电层置于其上的上透明基片;在导电表面与透明导电层之间,插入其上固定有光活性半导体元件的电绝缘粘结剂,形成叠层;和激活电绝缘粘结剂,把上基片与下基片在电上绝缘和把上基片粘合到下基片,以便光活性半导体元件的所述n侧或所述p侧之一,与上基片的透明导电层实现电连通,和使每一所述光活性半导体元件的所述n侧或所述p侧另一侧,与下基片导电表面实现电连通,形成光活性装置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-3-29 60/556,959;US 2004-8-17 10/920,010;US1.一种制作光活性纸的方法,其特征在于以下步骤提供有导电表面的下基片;提供电绝缘的粘结剂;把光活性半导体元件固定在电绝缘粘结剂上,所述光活性半导体元件各有n侧和p侧;提供有透明导电层置于其上的上透明基片;在导电表面与透明导电层之间,插入其上固定有光活性半导体元件的电绝缘粘结剂,形成叠层;和激活电绝缘粘结剂,把上基片与下基片在电上绝缘和把上基片粘合到下基片,以便光活性半导体元件的所述n侧或所述p侧之一,与上基片的透明导电层实现电连通,和使每一所述光活性半导体元件的所述n侧或所述p侧另一侧,与下基片导电表面实现电连通,形成光活性装置。2.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中的下基片、电绝缘粘结剂、和上基片,都各自作为材料卷筒提供;且该插入步骤包括,在连续的卷筒制作流程中,把下基片、电绝缘粘结剂、和上基片装配在一起。3.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中的电绝缘粘结剂包括热融材料,且激活步骤包括对叠层加热和加压,使热融材料软化。4.按照权利要求3的制作光活性纸的方法,其中至少加热和加压之一,是由轧辊提供的。5.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中的激活步骤,至少包括电绝缘粘结剂的溶解作用、催化反应、和辐射固化之一。6.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中的光活性半导体元件,是发光二极管管芯。7.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中的光活性半导体元件,是从光转换为能量的装置。8.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中的光活性半导体元件的第一部分,发射第一波长的辐射,而光活性半导体元件的第二部分,发射第二波长的辐射。9.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中的电绝缘粘结剂包括热融纸,且固定步骤包括在插入步骤之前,把光活性半导体元件埋藏进热融纸中。10.按照权利要求7的制作光活性纸的方法,其中的固定步骤,包括形成光活性半导体元件的预定图形的步骤。11.按照权利要求8的制作光活性纸的方法,其中形成光活性半导体元件预定图形的步骤,包括用静电把多个所述光活性半导体元件吸附在转印部件上,并把预定图形转印到绝缘粘结剂上。12.按照权利要求8的制作光活性纸的方法,其中形成光活性半导体元件预定图形的步骤,包括用磁力把多个所述光活性半导体元件吸附在转印部件上,并把预定图形转印到绝缘粘结剂上。13.按照权利要求8的制作光活性纸的方法,其中形成光活性半导体元件预定图形的步骤,包括用静电把多个所述光活性半导体元件吸附在转印部件上,并把预定图形转印到绝缘粘结剂上。14.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中透明导电层的形成,是通过印刷透明导电材料,形成导电的光透射接合面,每一所述面用于与各自光活性半导体的接合。15.按照权利要求14的制作光活性纸的方法,还包括至少在一个上基片和下基片上,形成有更高导电性的线路图形,为从电源到每一所述光活性半导体元件,提供更低电阻的路径。16.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,其中的导电表面和导电图形,包括各自的x和y布线格栅,用于有选择地对各个所述光活性半导体元件寻址,以便形成显示。17.按照权利要求1的制作光活性纸的方法,还包括在叠层中提供磷的步骤,所述磷被光活性半导体元件发出的第一波长辐射在光学上激发,发射第二波长的光。18.一种制作电子活性纸的方法,其特征在于以下步骤提供有导电表面的平面型下基片;提供粘结剂;把至少有一个半导体元件固定在粘结剂上,所述半导体元件有上导电体和下导电体;提供有导电图形置于其上的上基片;在导电表面与导电图形之间,插入其上固定了所述半导体元件的粘结剂,形成叠层;和激活粘结剂,使所述半导体元件的上导电体与下导电体之一自动地实现并保持与上基片导电图形的电连通,和使每一所述半导体元件的所述上导电体和所述下导电体的另一个,自动地实现并保持与下基片导电表面的电连通,形成电子活性纸。19.按照权利要求18的制作电子活性纸的方法,其中的下基片、粘结剂、和上基片,都各自作为材料卷筒提供;且该插入步骤包括,在连续的卷筒制作流程中,把下基片、粘结剂、和上基片装配在一起。20.按照权利要求18的制作电子活性纸的方法,其中的粘结剂包括热融纸材料,且激活步骤包括对叠层加热和加压,使热融材料软化。21.按照权利要求20的制作电子活性纸的方法,其中至少加热和加压之一,是由轧辊提供的。22.按照权利要求18的制作电子活性纸的方法,其中的激活步骤,至少包括粘结剂的溶解作用、催化反应、和辐射固化之一。23.按照权利要求18的制作电子活性纸的方法,其中的粘结剂包括热融纸,且固定步骤包括在插入步骤之前,把半导体元件埋藏进热融纸中。24.按照权利要求23的制作电子活性纸的方法,其中的固定步骤,包括形成半导体元件的预定图形的步骤。25.按照权利要求24的制作电子活性纸的方法,其中形成半导体元件预定图形的步骤,包括用静电把多个所述半导体元件吸附在转印部件上,并把预定图形转印到粘结剂上。26.按照权利要求24的制作电子活性纸的方法,其中形成半导体元件预定图形的步骤,包括用磁力把多个所述半导体元件吸附在转印部件上,并把预定图形转印到粘结剂上。27.按照权利要求24的制作电子活性纸的方法,其中形成半导体元件预定图形的步骤,包括用使用拾取和放置装置。28.一种制作密封的半导体装置的方法,其特征在于以下步骤提供有导电表面的下基片;在该导电表面上提供粘结剂层;把半导体元件的预定图形固定在粘结剂上,所述半导体元件各有上装置导电体和下装置导电体;提供有导电图形置于其上的上基片,形成叠层,以便使必需的金属与上基片绝缘并使上基片与下基片粘合,使半导体元件的所述上装置导电体及下装置导电体之一,与上基片的导电图形实现电连通,和使每一所述半导体元件的所述上装置导电体和下装置导电体的另一个,与下基片的导电层实现电连通。29.按照权利要求28制作密封的半导体装置的方法,其中至少一个所述半导体元件,在上导电体与下导电体之间包括中部导电体区,且其中的粘结剂包括至少一个导电部分,用于与该中部导电体区实施电连接。30.按照权利要求28制作密封的半导体装置的方法,其中的下基片、粘结剂、和上基片,都各自作为材料卷筒提供;且该插入步骤包括,在连续的卷筒制作流程中,把下基片、粘结剂、和上基片装配在一起。31.按照权利要求28制作密封的半导体装置的方法,其中的粘结剂包括热融纸材料,且激活步骤包括对叠层加热和加压,使热融材料软化。32.按照权利要求31制作密封的半导体装置的方法,其中至少加热和加压之一,是由轧辊提供的。33.按照权利要求28制作密封的半导体装置的方法,其中的粘结剂包括热融纸,且固定步骤包括在插入步骤之前,把半导体元件埋藏进热融纸中。34.按照权利要求33制作密封的半导体装置的方法,其中的固定步骤,包括形成半导体元件的预定图形的步骤。35.按照权利要求34制作密封的半导体装置的方法,其中形成半导体元件预定图形的步骤,包括用静电把多个所述半导体元件吸附在转印部件上,并把预定图形转印到粘结剂上。36.按照权利要求34制作密封的半导体装置的方法,其中形成半导体元件预定图形的步骤,包括用磁力把多个所述半导体元件吸附在转印部件上,并把预定图形转印到粘结剂上。37.按照权利要求34制作密封的半导体装置的方法,其中形成半导体元件预定图形的步骤,包括用使用拾取和放置装置。38.按照权利要求34制作密封的半导体装置的方法,其中形成半导体元件预定图形的步骤,包括把所述半导体元件,从相对低粘性的粘结剂转印到相对高粘性的粘结剂。39.一种光活性纸,其特征在于有导电表面的下基片可弯曲纸;有透明导电层置于其上的上透明基片可弯曲纸;电绝缘粘结剂的可弯曲纸;固定于电绝缘粘结剂可弯曲纸的光活性半导体元件,所述光活性半导体元件各有n侧和p侧,有光活性半导体元件固定在其上的电绝缘粘结剂纸,被插入导电表面和透明导电层之间,形成叠层并被激活,以便电绝缘粘结剂使上基片与下基片在电上绝缘和把上基片纸粘合到下基片纸,使光活性半导体元件的所述n侧或p侧之一,与上基片纸透明导电层实现电连通,和使每一所述光活性半导体元件的所述n侧或所述p侧另一侧,与下基片纸导电表面实现电连通,形成光活性装置。40.按照权利要求39的光活性纸,其中的下基片、电绝缘粘结剂、和上基片,都各自作为材料卷筒提供;且该插入步骤包括,在连续的卷筒制作流程中,把下基片、电绝缘粘结剂、和上基片装配在一起。41.按照权利要求39的光活性纸,其中的电绝缘粘结剂包括热融材料,通过对叠层加热和加压,能够激活热融材料,使热融材料软化。42.按照权利要求39的光活性纸,其中的粘结剂,能够通过至少溶解作用、蒸发作用、催化反应、和辐射固化之一激活。43.按照权利要求39的光活性纸,其中的光活性半导体元件,是发光二极管管芯。44.按照权利要求39的光活性纸,其中的光活性半导体元件,是从光转换为能量的装置。45.按照权利要求39的光活性纸,其中的光活性半导体元件的第一部分,发射第一波长的辐射,而光活性半导体元件的第二部分,发射第二波长的辐射。46.按照权利要求39的光活性纸,其中的电绝缘粘结剂包括热融纸,且在形成叠层之前,把光活性半导体元件埋藏进热融纸中。47.按照权利要求39的光活性纸,其中的光活性半导体元件形成预定的图形。48.按照权利要求47的光活性纸,其中通过把多个所述光活性半导体元件,用静电吸附在转印部件上,并把预定图形转印到绝缘粘结剂上,使光活性半导体元件形成预定的图形。49.按照权利要求47的光活性纸,其中通过把多个所述光活性半导体元件,用磁力吸附在转印部件上,并把预定图形转印到绝缘粘结剂上,使光活性半导体元件形成预定的图形。50.按照权利要求39的光活性纸,其中的透明导电层,包括作为导电光透射接合面形成的透明导电材料,每一所述面用于与各自光活性半导体的接合。51.按照权利要求50的光活性纸,还包括至少在上基片和下基片之一上形成的有更高导电性的线路图形,为从电源到每一所述光活性半导体元件,提供更低电阻的路径。52.按照权利要求39的光活性纸,其中的导电表面和导电图形,包括各自的x和y布线格栅,用于有选择地对各个所述光活性半导体元件寻址,以便形成显示。53.按照权利要求39的光活性纸,还包括在叠层中的磷,所述磷被光活性半导体元件发出的第一波长辐射在光学上激发,发射第二波长的光。54.一种电子活性纸,其特征在于有导电表面的平面型下基片;有导电图形置于其上的上基片;至少一个半导体元件,每一所述半导体元件有上导电体和下导电体;有所述至少一个半导体元件固定在其上、并置于导电表面及导电图形之间,以形成叠层的粘结剂,该粘结剂能够被激活,使上基片与下基片粘合,以便所述半导体元件的所述上导电体和所述下导电体之一,自动地实现并保持与上基片导电图形的电连通,同时每一所述半导体元件的所述上导电体和所述下导电体的另一个,自动地实现并保持与下基片导电表面的电连通,形成电子活性纸。55.按照权利要求54的电子活性纸,其中的下基片、粘结剂、和上基片,都各自作为材料卷筒提供;且在连续的卷筒制作流程中,把下基片、粘结剂、和上基片装配在一起。56.按照权利要求54的电子活性纸,其中的粘结剂包括热融纸材料,通过对叠层加热和加压,能够激活热融纸材料,使热融材料软化。57.按照权利要求54的电子活性纸,其中的粘结剂,能够通过至少粘结剂的溶解作用、蒸发作用、催化反应、和辐射固化之一激活。58.按照权利要求54的电子活性纸,其中的粘结剂包括热融纸,且在形成叠层之前,把所述半导体元件按预定图形埋藏进热融纸中。59.按照权利要求58的电子活性纸,其中的预定图形,是把多个所述光活性半导体元件通过静电吸附在转印部件上,并把预定图形转印到粘结剂上形成的。60.按照权利要求58的电子活性纸,其中的预定图形,是把多个所述光活性半导体元件通过磁力吸附在转印部件上,并把预定图形转印到粘结剂上形成的。61.按照权利要求58的电子活性纸,其中的半导体元件预定图形,是使用拾取和放置装置形成的。62.一种密封的半导体装置,其特征在于以下步骤有导电表面的下基片;有导电图形置于其上的上基片;半导体元件的预定图形,每一半导体元件有上上装置的导电体和下装置的导电体;有所述图形固定在其上、并置于导电表面及导电图形之间,以形成叠层的粘结剂,该粘结剂能够被激活,使上基片与下基片粘合,以便每一所述半导体元件的所述上导电体和所述下导电体之一,自动地实现并保持与上基片导电图形的电连通,同时每一所述半导体元件的所述上导电体和所述下导电体的另一个,自动地实现并保持与下基片导电表面的电连通,形成电子活性纸。63.按照权利要求62的密封的半导体装置,其中至少一个所述半导体元件,在上导电体与下导电体之间包括中部导电体区,且其中的粘结剂包括至少一个导电部分,用于与该中部导电体区实施电连接。64.按照权利要求62的密封的半导体装置,其中的下基片、粘结剂、和上基片,都各自作为材料卷筒提供;且在连续的卷筒制作流程中,把下基片、电粘结剂、和上基片装配在一起,形成叠层。65.按照权利要求62的密封的半导体装置,其中的粘结剂包括热融纸材料,通过对叠层加热和加压,能够激活热融纸材料,使热融材料软化。66.按照权利要求62的密封的半导体装置,其中的粘结剂包括热融纸,且在形成叠层之前,把半导体元件的图形埋藏进热融纸中。67.按照权利要求62的密封的半导体装置,其中的预定图形,是把多个所述半导体元件通过静电吸附在转印部件上,并把预定图形转印到粘结剂上形成的。68.按照权利要求62的密封的半导体装置,其中的预定图形,是把多个所述半导体元件通过磁力吸附在转印部件上,并把预定图形转印到粘结剂上形成的。69.按照权利要求62的密封的半导体装置,其中的半导体元件预定图形,是使用拾取和放置装置形成的。70.按照权利要求62的密封的半导体装置,其中半导体元件的预定图形,是通过把所述半导体元件,从相对低粘性的粘结剂转印到相对高粘性的粘结剂上形成的。71.一种光辐射源,用于可光辐射固化的有机材料的选择性聚合反应,其特征在于第一电极;与第一电极相邻并定义其间间隙的第二电极;和位于间隙中的光辐射发射层,该光辐射发射层包括电荷迁移基质材料及分散在电荷迁移基质材料中的发射颗粒,在向第一电极和第二电极施加电压时,该发射颗粒通过电荷迁移基质材料接收电能,发射颗粒响应施加的电压,产生光辐射,所述光辐射对可光辐射固化的有机材料的选择性聚合反应是有效的。72.按照权利要求71的光辐射源,其中的电荷迁移基质材料,包括离子迁移材料。73.按照权利要求72的光辐射源,其中的离子迁移材料,包括电解质。74.按照权利要求73的光辐射源,其中的电解质,是固体聚合物电解质。75.按照权利要求74的光辐射源,其中的固体聚合物电解质包括,至少包含聚乙二醇(polyethylene glycol)、聚环氧乙烷(polyethyleneoxide)、和聚乙烯硫化物(polyethylene sulfide)之一的聚合物电解质。76.按照权利要求71的光辐射源,其中的电荷迁移基质材料,包括本性导电聚合物。77.按照权利要求76的光辐射源,其中的本性导电聚合物,包括聚合物主链中的芳烃(aromatic)重复单元。78.按照权利要求76的光辐射源,其中的本性导电聚合物,包括聚噻吩(polythiophene)。79.按照权利要求71的光辐射源,其中的电荷迁移基质材料,对某个光辐射谱中的光辐射,是透明的,该光辐射谱对可光辐射固化的有机材料的选择性聚合反应,是有效的。80.按照权利要求71的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,在并包含UV到蓝光之间。81.按照权利要求71的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,在并包含365到405nm之间。82.按照权利要求71的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,包含420nm。83.按照权利要求71的光辐射源,其中至少第一电极和第二电极之一,对某个光辐射谱中的光辐射,是透明的,该光辐射谱对可光辐射固化的有机材料的选择性聚合反应,是有效的。84.按照权利要求78的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,在并包含UV到蓝光之间。85.按照权利要求78的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,在并包含365到405nm之间。86.按照权利要求78的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,包含420nm。87.按照权利要求71的光辐射源,其中的第一电极和第二电极,是平面型的,并置于可弯曲的基片之上。88.按照权利要求71的光辐射源,其中的电荷迁移材料,当向第一电极和第二电极施加电压时,对把电荷迁移到发射颗粒,是有效的,所述电荷对引起发射颗粒的光辐射发射,是有效的,所述光辐射对可光辐射固化的有机材料的选择性聚合反应,是有效的。89.按照权利要求71的光辐射源,其中的发射颗粒,能在可光辐射固化的有机材料选择性聚合反应有效的光辐射谱中,发射光辐射。90.按照权利要求84的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,在并包含UV到蓝光之间。91.按照权利要求84的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,在并包含365到405nm之间。92.按照权利要求84的光辐射源,其中的光辐射谱包括的范围,包含420nm。93.按照权利要求71的光辐射源,其中第一电极和第二电极之一,至少对发射颗粒发射的光辐射的一部分,是透明的,而第一电极和第二电极的另一个,对发射颗粒发射的光辐射的所述部分,是反射的。94.按照权利要求71的光辐射源,其中的发射颗粒,包括半导体材料。95.按照权利要求71的光辐射源,其中的发射颗粒,至少包括有机的和无机的多层半导体颗粒之一。96.按照权利要求71的光辐射源,其中的半导体颗粒,至少包括有机的和无机的半导体之一。97.按照权利要求71的光辐射源,其中的半导体颗粒,由包括至少一种共轭聚合物的有机光活性颗粒构成,所述至少一种共轭聚合物,有足够低的杂质电荷载流子浓度,以致在第一和第二接触层间,通过导电载流子材料向半导体颗粒施加电场时,第二接触层相对第一接触层是正的,且所述第一和第二类电荷载流子,被注入半导体颗粒中并组合,形成共轭聚合物电荷载流子对,该电荷载流子对通过辐射而衰变,于是从共轭聚合物发射辐射。98.按照权利要求97的光辐射源,其中的有机光活性颗粒,由至少包括空穴迁移材料、有机发射体、和电子迁移材料之一构成。99.按照权利要求97的光辐射源,其中的有机光活性颗粒,由包括共混聚合物的粒子构成,该共混聚合物包括与至少空穴迁移材料、有机发射体、和电子迁移材料之一共混的有机发射体。100.按照权利要求99的光辐射源,其中的有机光活性颗粒由包括聚合物外壳的微囊体构成,该聚合物外壳密封由共混聚合物构成的内部相,该共混聚合物包括至少与空穴迁移...
【专利技术属性】
技术研发人员:约翰J丹尼尔斯,格雷戈里V尼尔森,
申请(专利权)人:连接技术公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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