基板处理装置制造方法及图纸

提供一种基板处理装置。可靠地进行需要区域的气氛调整，同时削减气氛调整用气体使用量。基板处理装置具备：处理单元，其对基板实施处理；输送空间，其在容器输入输出部与处理单元间输送基板；基板输送机构，其在输送空间内容器输入输出部与处理单元间输送基板；第1气体供给路径，其向处理单元供给气氛调整气体；第1气体排出路径，其从处理单元排出气氛调整气体；循环路径，其与输送空间连接，使从输送空间流出的气氛调整气体返回输送空间；第2气体供给路径，其向由输送空间和循环路径构成的循环系统供给气氛调整气体；及第2气体排出路径，其从循环系统排出气氛调整气体。

Substrate Processing Unit

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及一种具有对基板的周围的气氛进行调节的功能的基板处理装置。
技术介绍
为了制造半导体装置，对半导体晶圆等基板实施各种处理。在进行某一个处理的情况下，基板在收容到FOUP等基板输送容器内的状态下向基板处理装置输入。接下来，利用基板输送装置将基板从基板输送容器取出而向处理腔室内输入，在该处理腔室内实施处理，之后，利用基板输送装置将基板从处理腔室取出而向原来的基板输送容器输入。有时因含有比较多的氧的无尘室内的大气气氛而在基板的表面产生达到问题程度的氧化。为了防止该氧化，在从基板输送容器输出来之后直到再次返回基板输送容器为止，将基板所经过的区域的至少一部分设为低氧浓度气体气氛(参照例如专利文献1)。也存在要求在从基板输送容器输出来之后直到再次返回基板输送容器为止将基板所经过的整个区域设为低氧浓度气体气氛的情况。在该情况下，需要使大量的低氧浓度气体向基板处理装置的内部流通，耗费很大的工厂能源。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-102374号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于可靠地进行基板处理装置内的空间的气氛调整、同时削减气氛调整用的气体的使用量。用于解决问题的方案根据本专利技术的一实施方式，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：容器输入输出部，其供收容有基板的基板输送容器载置；处理单元，其对所述基板实施处理；输送空间，其用于在所述容器输入输出部与所述处理单元之间输送基板；基板输送机构，其在所述输送空间内在所述容器输入输出部与所述处理单元之间输送所述基板；第1气体供给路径，其用于向所述处理单元供给气氛调整气体；第1气体排出路径，其用于从所述处理单元排出所述气氛调整气体；循环路径，其与所述输送空间连接，使从所述输送空间流出来的所述气氛调整气体返回所述输送空间；第2气体供给路径，其用于向由所述输送空间和所述循环路径构成的循环系统供给所述气氛调整气体；以及第2气体排出路径，其用于从所述循环系统排出所述气氛调整气体。专利技术的效果根据上述本专利技术的实施方式，使输送空间的气氛调整用的气氛调整气体循环而被反复利用，因此，能够削减气氛调整气体的使用量，能够降低基板处理装置的运行成本和对工厂能源的负担。附图说明图1是第1实施方式的基板处理系统的概略俯视图。图2是沿着图1的II-II线的基板处理系统概略剖视图。图3是沿着图1的III-III线的基板处理系统概略剖视图。图4是处理单元的概略纵剖视图。图5是第1实施方式的基板处理系统的概略配管系统图。图6是第2实施方式的基板处理系统的概略配管系统图。图7是包括第3实施方式的基板处理系统的概略配管系统图的概略剖视图，且是在与图2同样的位置剖切的基板处理系统概略剖视图。附图标记说明W、基板；C、基板输送容器；2、容器输入输出部；60A、60B、处理单元；33、50A、50B、4A、4B、4C、输送空间；33、第1输送区域；50A、50B、50C、第2输送区域；4A、4B、4C、连接区域(交接单元)；32、51A、51B、基板输送机构(基板输送装置)；32、第1基板输送装置；51A、51B、51C、第2基板输送装置；76A、76B、66、第1气体供给路径；67、79A、79B、第1气体排出路径(排气路径)；81、82、80L、811～813、821～824、循环路径；801a、第2气体供给路径；804、第2气体排出路径；37、56A、56B、72、维护门；802a、循环系统通气路径；69、单元通气路径；39、57、74、锁定机构；S1～S4、氧浓度传感器；100、控制部(安全装置)。具体实施方式以下，参照附图对作为本专利技术的基板处理装置的一实施方式的基板处理系统进行说明。图1是表示基板处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。如图1所示，基板处理系统1具有输入输出部2、第1输送部3、转接部(连接部)4以及处理部5。第1输送部3、转接部4以及处理部5收容于覆盖基板处理系统1的整体的外壳内。输入输出部2具有容器载置部20，在该容器载置部20上能够载置多个基板输送容器C(以下，简称为“容器C”)。容器C是被称为例如FOUP(Front-OpeningUnifiedPod：前开式晶圆传送盒)式的承载件。在容器C内以水平姿势沿着铅垂方向等间隔地收纳有多张基板W(例如半导体晶圆)。载置到容器载置部20的容器C的外表面暴露于设置有该基板处理系统1的无尘室内的气氛。在第1输送部3的前表面板31(参照图1和图2)设置有多个门。在各门设置有容器C的盖(未图示)的解锁机构和盖吸附机构，能够用于拆卸载置于容器载置部20的容器C的盖。在容器C的盖被拆卸时，容器C的内部空间与第1输送部3的内部空间(随后论述的第1输送空间33)连通。此时，容器C的开口部的周缘与第1输送部3的前表面板31紧密接触，因此，无尘室内的气氛不进入容器C的内部。在收纳有基板W的容器C输入到该基板处理系统1时，容器C内设为氮气气氛并被密闭。本段落所记载的内容是在半导体制造装置的
中众所周知的，在附图中未示出。在第1输送部3内设置有第1基板输送装置32。在转接部4设置有两个交接单元4A、4B。各交接单元4A、4B能够以水平姿势沿着铅垂方向隔开间隔地保持多张基板W。第1基板输送装置32从载置于容器载置部20而盖被拆卸掉的容器C取出基板W，向两个交接单元4A、4B中的任一者输入。第1输送部3的内部空间33也被称为第1输送空间33。此外，在本说明书中“输送空间”是指利用基板输送装置输送基板W的空间。处理部5具有上侧部分5A和下侧部分5B。上侧部分5A和下侧部分5B的结构彼此大致相同，因此，在本说明书中，在很多情况下，仅对上侧部分5A进行说明。在上侧部分5A的左右方向(Y方向)中央部形成有沿着前后方向(X方向)延伸的第2输送空间50A。在第2输送空间50A内设置有第2基板输送装置51A。在第2输送空间50A的左右两旁分别设置有多个处理单元60A。第2基板输送装置51A能够在上侧的交接单元4A与位于上侧部分5A的多个处理单元60A之间输送基板。如图4所示，处理单元60A具有单元壳体(腔室)61和配置到单元壳体61内的处理机构62。在图示的实施方式中，处理机构62具有：旋转卡盘63(基板保持旋转机构)，其以水平姿势保持基板W而使基板W绕铅垂轴线旋转；喷嘴64，其向基板W供给处理流体(化学溶液、冲洗液、二流体等)；以及杯体65，其包围基板W的周围。处理单元60A具有向单元壳体61的内部空间(处理空间)、特别是基板W的上方的空间供给气氛调整气体、在本例中是氮气的氮气供给部66。氮气供给部66也可以构成为风机过滤单元，在该情况下，在处理空间形成有气氛调整气体的下降流。在杯体65连接有：排气路径67，其用于对杯体65内部的气氛进行抽吸；以及排液路径68，其用于从杯体65排出自基板W飞散的处理流体。排液路径68与半导体制造工厂的废液管线连接。从排气路径67排出含有充满单元壳体61的内部空间的气体和从喷嘴64供给到基板W的处理流体的混合流体。在处理单元60设置有空气供给口69(单元通气路径)，该空气供给口69用于向单元壳体61的内部空间供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其具备：容器输入输出部，其供收容有基板的基板输送容器载置；处理单元，其对所述基板实施处理；输送空间，其用于在所述容器输入输出部与所述处理单元之间输送基板；基板输送机构，其在所述输送空间内在所述容器输入输出部与所述处理单元之间输送所述基板；第1气体供给路径，其用于向所述处理单元供给气氛调整气体；第1气体排出路径，其用于从所述处理单元排出所述气氛调整气体；循环路径，其与所述输送空间连接，使从所述输送空间流出来的所述气氛调整气体返回所述输送空间；第2气体供给路径，其用于向由所述输送空间和所述循环路径构成的循环系统供给所述气氛调整气体；以及第2气体排出路径，其用于从所述循环系统排出所述气氛调整气体。

【技术特征摘要】
2018.02.09 JP 2018-022427;2018.11.30 JP 2018-225781.一种基板处理装置，其具备：容器输入输出部，其供收容有基板的基板输送容器载置；处理单元，其对所述基板实施处理；输送空间，其用于在所述容器输入输出部与所述处理单元之间输送基板；基板输送机构，其在所述输送空间内在所述容器输入输出部与所述处理单元之间输送所述基板；第1气体供给路径，其用于向所述处理单元供给气氛调整气体；第1气体排出路径，其用于从所述处理单元排出所述气氛调整气体；循环路径，其与所述输送空间连接，使从所述输送空间流出来的所述气氛调整气体返回所述输送空间；第2气体供给路径，其用于向由所述输送空间和所述循环路径构成的循环系统供给所述气氛调整气体；以及第2气体排出路径，其用于从所述循环系统排出所述气氛调整气体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还具备压力调节设备，该压力调节设备设置于所述循环系统，对所述输送空间内的压力进行调节。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述压力调节设备以使所述输送空间内的压力维持得比所述处理单元内的压力高的方式进行动作。4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，所述压力调节设备包括风扇或调节阀。5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，所述气氛调整气体是氧浓度比空气的氧浓度低的气体。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还具备单元通气路径，该单元通气路径向所述处理单元导入空气，以便将所述处理单元内部的空间的气氛从所述气氛调整气体置换成空气气氛。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，所述处理单元具有维护门，通过打开所述维护门，使所述处理单元内部的空间向所述基板处理装置的周围的气氛开放。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还具备：氧浓度传感器，其对所述处理单元内部的空间的氧浓度进行检测；锁定机构，其附设于所述维护门；以及安全装置，其在由...

【专利技术属性】
技术研发人员：南田纯也，伊藤达也，豊田康典，青木大辅，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP