加热台以及用于处理半导体晶片的设备制造技术

本发明专利技术实施例提供一种加热台及用于处理半导体晶片的设备。一种加热台包含底座以及导热板。导热板位于底座上。导热板具有中央部以及包围中央部的边缘部，且边缘部包括第一部分以及连接到第一部分的第二部分，其中第一部分包夹在中央部与第二部分之间。第二部分的高度沿从中央部朝向边缘部的方向逐渐降低。

Heating table and equipment for processing semiconductor wafers

【技术实现步骤摘要】
加热台以及用于处理半导体晶片的设备
本专利技术实施例是有关于一种加热台以及用于处理半导体晶片的设备。
技术介绍
制造半导体集成电路(integratedcircuit；IC)通常涉及许多需要升高晶片(wafer)温度的处理技术来执行所需工艺，例如化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)、物理气相沉积(physicalvapordeposition；PVD)、干式蚀刻或其他处理技术。由于温度升高，有可能出现严重弯曲或翘曲，而在处理晶片时导致晶片损坏。因此，改进的晶片固持设备是抑制所述影响的关键因素。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种加热台包含底座和导热板。所述导热板位于所述底座上。所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间。所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。本专利技术实施例提供一种加热台包含底座、导热板、支撑轴杆以及通管。所述底座具有第一主表面和与所述第一主表面相对的第二主表面。所述导热板位于所述底座的所述第一主表面上，其中所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。所述支撑轴杆位于所述底座的所述第二主表面上，其中所述底座位于所述导热板与所述支撑轴杆之间。所述通管嵌入于所述支撑轴杆中。本专利技术实施例提供一种用于处理半导体晶片的设备包含腔室，所述腔室包含外壳、喷头以及加热台。所述外壳具有顶部表面、与顶部表面相对的底部表面以及连接顶部表面与底部表面的侧壁。所述喷头位于所述外壳内部且设置于所述顶部表面上。所述加热台至少部分地位于所述外壳内部且设置于所述底部表面上，其中所述加热台包含底座和设置于所述底座上的导热板，其中所述导热板具有中央部和包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本公开实施例的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1是根据本公开的一些示例性实施例的具有加热台的设备的示意性横截面图。图2是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性横截面图。图3是图2中所描绘的加热台的一部分的放大示意性横截面图。图4是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图。图5是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图。图6是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图。图7是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图。[附图标号说明]100：腔室；110：外壳；110a：顶部部分；110b：底部部分；110s：侧壁部分；120：喷头；130：加热台；132：底座；132a、S1、WSa：顶部表面；132b、S2：底部表面；132s：底座的侧壁；134：板；134a：环形框架部；134b：中央部；136：针脚；138：支撑轴杆；138a：通管；138a1：第一末端开口；138a2：第二末端开口；140：排气装置；142、152：阀门；144、154：导管；150：供气装置；CS：封闭空间；GV：沟槽；H1、H2、H5、Ha、Hb：高度；H4：高度差；PG：处理气体；Ra、Rb：部分；S：空间；S3：非平面表面；S3a、S3b：平面表面；S4：内侧壁；S5：外侧壁；W1、W2：半径；W3、W4、W5、W6、Wa、Wb：宽度；WS：晶片衬底；WSb：背侧表面；X、Y：方向。具体实施方式以下公开内容提供用于实作所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件、值、操作、材料、布置或其类似者的特定实例以简化本公开实施例。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。涵盖其它组件、值、操作、材料、布置或其类似者。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成，使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本专利技术实施例可以在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。此外，为易于描述，可在本文中使用空间相对术语，例如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上方”、“上部”等，以描述如图式中所绘示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图式中所描绘的取向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同取向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它取向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。另外，为易于描述，可在本文中使用例如“第一”、“第二”、“第三”等术语以描述如图式中所绘示的类似或不同的元件或特征，且可取决于存在次序或描述的上下文而互换使用。本公开将于文中以特定的实施例进行描述，所述实施例涉及升高晶片温度的工艺期间实现晶片衬底中的均匀温度分布而不具有由弯曲或翘曲所引起损坏的加热台，所述工艺例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子层沉积(atomiclayerdeposition；ALD)、杂质掺杂、高速热处理(rapidthermalprocess；RTP)、退火以及金属沉积。所述实施例可用于加热具有各种直径的晶片衬底，实现每一晶片衬底上的均匀温度分布，从而执行所需工艺的同时抑制由弯曲或翘曲效应所引起的损坏。应注意，尽管已结合特定实施例描述本公开，但应理解，本公开不限于这些实施例，且可在不脱离如在所述实施例中所具体界定的本公开的范围和精神的情况下作出许多修改和改变。举例来说，所述实施例可用于其它半导体制造工艺，其中在该些半导体制造工艺中涉及处理半导体工件，使半导体工件达到所需要的均匀的热分布而没有由弯曲或翘曲效应所引起的损坏。图1是根据本公开的一些示例性实施例的具有加热台的设备的示意性横截面图。图2是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性横截面图。图3是图2中所描绘的加热台的一部分的放大示意性横截面图。图4是根据本公开的一些示例性实施例的加热台的示意性俯视平面图，其中图4绘示图2中所描绘的加热台的俯视平面图。在图1至图4中所示的示例性实施例中，本公开的加热台可用于化学气相沉积(CVD)腔室中，然而本公开不限于此。在一替代实施例中，本公开的加热台可用于执行其它工艺的腔室或装置，所述工艺例如物理气相沉积、原子层沉积、杂质掺杂、高速热处理、退火、金属沉积等。参照图1，在一些实施例中，提供腔室100。在一些实施例中，腔室100为用于在晶片衬底制造期间将材料层沉积于衬底上的材料沉积腔室，且可经由使用化学气相沉积工艺的沉积工艺来沉积各层，其中气体在一或多个晶片衬底上流动。所述化学气相沉积工艺例如是等离子体增强式化学气相沉积(plasmaenh本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热台，其特征在于，包括：底座；以及导热板，位于所述底座上，其中所述导热板具有中央部以及包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分以及包围所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。

【技术特征摘要】
2017.11.27 US 62/591,1561.一种加热台，其特征在于，包括：底座；以及导热板，位于所述底座上，其中所述导热板具有中央部以及包围所述中央部的边缘部，且所述边缘部包含第一部分以及包围所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，且所述第二部分的高度沿从所述中央部朝向所述边缘部的方向逐渐降低。2.根据权利要求1所述的加热台，其特征在于，还包括：位于所述第一部分的顶部表面的延长平面与所述第二部分的顶部表面的延长平面之间的角度，其中所述角度大约介于0.1°至2.0°的范围内。3.根据权利要求1所述的加热台，其特征在于，还包括以同心布置或矩阵布置定位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚。4.根据权利要求1所述的加热台，其特征在于，还包括以随机分布定位于所述导热板的所述中央部上的多个针脚。5.根据权利要求1所述的加热台，其特征在于，还包括位于所述导热板的所述中央部上的多个沟槽，其中所述多个沟槽均匀分布在所述导热板上方以及贯穿所述导热板的一部分。6.一种加热台，其特征在于，包括：底座，具有第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面；导热板，位于所述底座的所述第一主表面上，其中所述导热板具有中央部以及包围所述中央部的边缘部，所述边缘部包含第一部分以及连接到所述第一部分的第二部分，其中所述第一部分包夹在所述中央部与所述第二部分之间，其中所述第二部分的高度沿从所述中央部朝...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱柏渊，黄之骏，沈秉廷，黄力上，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71