【技术实现步骤摘要】
一种新型循环均氧钝化炉
本技术涉及半导体加工设备领域，尤其是一种新型循环均氧钝化炉。
技术介绍
半导体晶片的钝化是半导体晶片加工的必要流程，一般将半导体晶片放置在钝化炉中，通入氧气或臭氧气体等氧化性气体，加热使半导体晶片表面发生氧化反应，实现表面钝化的目的。但在实际的钝化加工过程中，随着氧化性气体的通入和氧化反应的进行，仅凭气体的自由扩散无法保证炉内的气体浓度均匀，进而导致半导体晶片的钝化效果不一致，影响半导体晶片的加工质量。
技术实现思路
为了克服现有技术中所存在的上述缺陷，本技术提供了一种新型循环均氧钝化炉。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种新型循环均氧钝化炉，包括钝化炉和铰接在钝化炉正面的炉门，所述钝化炉的一侧连通有进气管道和循环出气管道，所述钝化炉的另一侧连通有出气管道和循环进气管道，所述循环进气管道和循环出气管道连通气体循环泵，所述进气管道上设置有流量控制装置。上述的一种新型循环均氧钝化炉，所述循环进气管道和循环出气管道外设置有石棉保温层。上述的一种新型循环均氧钝化炉，所述炉门和钝化炉之间设置有密封圈，所述密封圈由耐高温橡胶材料制成。上述的一种新型循环均氧钝化炉，所述出气管道连接尾气处理装置。本技术的有益效果是，本技术钝化炉内的氧化气体循环流动，保证钝化炉内各处的气体浓度均匀，对半导体晶片的氧化均匀、钝化质量一致。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1为本技术的结构示意图。图中1.钝化炉，2.炉门，3.进气管道，4.循环出气管道，5.出气管道，6.循环进气管道，7.气体循环泵，8.流量控制装置。具体实施方式为了更清楚地说明本技术的...
【技术保护点】
1.一种新型循环均氧钝化炉，包括钝化炉(1)和铰接在钝化炉(1)正面的炉门(2)，其特征在于：所述钝化炉(1)的一侧连通有进气管道(3)和循环出气管道(4)，所述钝化炉(1)的另一侧连通有出气管道(5)和循环进气管道(6)，所述循环进气管道(6)和循环出气管道(4)连通气体循环泵(7)，所述进气管道(3)上设置有流量控制装置(8)。
【技术特征摘要】
1.一种新型循环均氧钝化炉，包括钝化炉(1)和铰接在钝化炉(1)正面的炉门(2)，其特征在于：所述钝化炉(1)的一侧连通有进气管道(3)和循环出气管道(4)，所述钝化炉(1)的另一侧连通有出气管道(5)和循环进气管道(6)，所述循环进气管道(6)和循环出气管道(4)连通气体循环泵(7)，所述进气管道(3)上设置有流量控制装置(8)。2.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：李德鹏，
申请(专利权)人：青岛金汇源电子有限公司，
类型：新型
国别省市：山东,37
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