A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device comprises a first electrode, including a first main part and a first extension extending from the first main part, and a dielectric layer surrounding the side wall and bottom surface of the first main part, wherein the first main part comprises a first part having a first depth and a second depth having a second depth deeper than the first depth. Part.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月21日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0155586的优先权,其公开内容通过引用整体结合于此。
本专利技术构思涉及一种半导体器件、半导体器件的布局设计方法以及制造半导体器件的方法。更具体地,本专利技术构思涉及包括电容器结构的半导体器件、半导体器件的布局设计方法以及制造半导体器件的方法。
技术介绍
集成电路(IC)的制造需要在半导体基板上执行各种工艺。这些工艺包括晶片生产和在晶片板上构建电路(图案化)的步骤。可以减小由图案化产生的图案的宽度,以产生具有高集成度的半导体器件。多图案化是一类用于制造具有增强密度的IC的技术。然而,当图案的宽度减小得太大时,由多图案化产生的半导体器件的可靠性可能降低。
技术实现思路
本专利技术构思的至少一个实施例提供了一种具有改善的产品可靠性的半导体器件。本专利技术构思的至少一个实施例提供了设计具有改善的颜色平衡的半导体器件的布局(例如,电路布局)的方法。本专利技术构思的至少一个实施例提供了一种用于制造具有改善的产品可靠性的半导体器件的方法。根据本专利技术构思的示例性实施例,提供了一种半导体器件,包括:第一电极,包括第一主部分、以及从第一主部分延伸的第一延伸部;以及介电层,围绕第一主部分的侧壁和底表面,其中,第一主部分包括具有第一深度的第一部分、和具有比第一深度深的第二深度的第二部分。根据本专利技术构思的示例性实施例,提供了一种半导体器件,包括:第一电极,包括在第一方向上延伸的第一主部分、以及在与第一方向交叉的第二方向上从第一主部分延伸的第一延伸部;第二电 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,包括:第一电极,包括第一主部分和从所述第一主部分延伸的第一延伸部;以及介电层,围绕所述第一主部分的侧壁和底表面,其中,所述第一主部分包括具有第一深度的第一部分以及具有比所述第一深度深的第二深度的第二部分。
【技术特征摘要】
2017.11.21 KR 10-2017-01555861.一种半导体器件,包括:第一电极,包括第一主部分和从所述第一主部分延伸的第一延伸部;以及介电层,围绕所述第一主部分的侧壁和底表面,其中,所述第一主部分包括具有第一深度的第一部分以及具有比所述第一深度深的第二深度的第二部分。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一延伸部具有比所述第二深度浅的第三深度。3.根据权利要求2所述的半导体器件,所述第一深度和所述第三深度基本相同。4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:第二电极,包括第二主部分和从所述第二主部分延伸的第二延伸部,其中,所述介电层将所述第一电极与所述第二电极电绝缘。5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述介电层还围绕所述第二主部分的侧壁和底表面,并且所述第二主部分包括具有第三深度的第三部分以及具有比所述第三深度深的第四深度的第四部分。6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,所述第二深度与所述第四深度基本相同。7.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第一主部分和所述第二主部分在第一方向上延伸,并且所述第一延伸部和所述第二延伸部在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述第一主部分的第二部分在所述第二方向上延伸。9.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述第一主部分的第二部分在所述第二方向上与所述第二延伸部重叠。10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一主部分还包括具有第三深度的第三部分,并且所述第三深度与所述第一深度不同,并且比所述第二深度浅。11.一种半导体器件,包括:第一电极,包括在第一方向上延伸的第一主部分、以及在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述第一主部分延伸的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:李峻宁,安正勋,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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