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公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一电极，包括第一主部分、以及从第一主部分延伸的第一延伸部；以及介电层，围绕第一主部分的侧壁和底表面，其中，第一主部分包括具有第一深度的第一部分、和具有比第一深度深的第二深度的第二部分。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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