蒸镀装置制造方法及图纸

本发明专利技术的技术目的为提供一种能够保护基板的表面免受粘在蒸镀用喷嘴上的污染物污染的蒸镀装置。为此，用于在基板上蒸镀一种以上的薄膜形成用物质的本发明专利技术的蒸镀装置包括：第一线性蒸发源，具有使得用于将第一薄膜形成用物质喷射到上述基板上的多个蒸镀用喷嘴沿着第一方向长长地排列的第一传导管；固定型遮挡部件，包括通道区域部及遮挡区域部，上述通道区域部设置于上述第一传导管与上述基板之间，用于使得所喷射的上述第一薄膜形成用物质的一部分朝向上述基板通过，上述遮挡区域部用于阻挡第一薄膜形成用物质的剩余部分；以及第一防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，用于防止粘在多个上述蒸镀用喷嘴中的至少一个蒸镀用喷嘴上的污染物移动到上述基板。

Evaporation device

The technical purpose of the present invention is to provide an evaporation plating device capable of protecting the surface of the substrate from contamination by pollutants adhering to the nozzle for evaporation plating. To this end, the evaporation device of the present invention for evaporating more than one substance for film formation on a substrate includes: a first linear evaporation source having a first conducting tube arranged long in the first direction by a plurality of evaporation nozzles for ejecting the substance for first film formation onto the substrate; a fixed shielding component comprising a channel area and a shielding area; The channel area part is arranged between the first conducting tube and the substrate to make a part of the sprayed material for forming the first film pass toward the substrate, the shielding area part is used to block the remaining part of the material for forming the first film, and the first anti-pollution part is arranged in the fixed shielding part to prevent sticking to the plurality of the above-mentioned steaming parts. Pollutants on at least one of the plating nozzles for evaporation move to the substrate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蒸镀装置
本专利技术涉及利用线性蒸发源的蒸镀装置。
技术介绍
通常，在半导体制造工艺中，在晶片表面形成由特定物质制成的薄膜或者在制造大型平板显示装置的过程中，将蒸镀装置用于在玻璃基板等的表面上形成所需物质的薄膜。这种蒸镀装置包括：真空室；安装部，用于在真空室设置晶片或基板(以下，称为“基板”)；以及线性蒸发源，用于使薄膜形成用物质蒸发到基板表面上。尤其，线性蒸发源包括：坩埚，用于盛放薄膜形成用物质；加热器，用于加热坩埚；以及多个蒸镀用喷嘴，线性排列，用于将加热的薄膜形成用物质喷射到基板的表面。然而，传统的蒸镀装置存在粘在蒸镀用喷嘴的污染物被喷射或掉落并污染基板的表面的问题。而且，存在因每个蒸镀用喷嘴的喷射量不同而导致蒸镀在基板表面上的薄膜形成用物质的蒸镀厚度产生偏差的问题。即，存在如下问题：在线性蒸发源中，以薄膜形成用物质的移动方向为基准，各个蒸镀用喷嘴中的相对位于后端侧的蒸镀用喷嘴的喷射量有可能相对较小，从而导致基板上的蒸镀厚度产生偏差。并且，即使使用两个线性蒸发源来蒸镀两种不同的薄膜形成用物质，用于产生所需的蒸镀率的温度(以下，称为“所需蒸镀率产生温度”)也各不相同，而存在两种薄膜形成用物质蒸镀率产生偏差的问题。例如，当每个线性蒸发源的坩埚温度相同时，对于所需蒸镀率产生温度相对高的薄膜形成用物质，存在蒸镀率相对较低的问题，在通过提高线性蒸发源的坩埚温度来提高具有高所需蒸镀率产生温度的薄膜形成用物质的蒸镀率的情况下，存在线性蒸发源的热稳定性降低的问题。
技术实现思路
技术问题本专利技术的目的为提供一种如下的蒸镀装置，即，可保护基板表面免受粘在蒸镀用喷嘴上的污染物污染。本专利技术的再一目的为提供如下的蒸镀装置，即，可使蒸镀在基板表面的薄膜形成用物质的蒸镀厚度的偏差最小化。本专利技术的另一目的为提供如下的蒸镀装置，即，上述蒸镀装置可同时蒸镀至少两种具有不同的用于产生所需的蒸镀率的温度(以下称为“所需蒸镀率温度”)的薄膜形成用物质，而且防止蒸镀率相对降低，同时可确保线性蒸发源的热稳定性。本专利技术的还有一目的为提供如下的蒸镀装置，即，上述蒸镀装置能够使至少两种不同的薄膜形成用物质的蒸镀率比尽量在基板上的所有位置相同。解决问题的方案为了实现上述目的，用于在基板上蒸镀一种以上的薄膜形成用物质的本专利技术实施例的蒸镀装置包括：第一线性蒸发源，具有使得用于将第一薄膜形成用物质喷射到上述基板上的多个蒸镀用喷嘴沿着第一方向长长地排列的第一传导管；固定型遮挡部件，包括通道区域部以及遮挡区域部，上述通道区域部设置于上述第一传导管与上述基板之间，用于使得所喷射的上述第一薄膜形成用物质的一部分朝向上述基板通过，上述遮挡区域部用于阻挡第一薄膜形成用物质的剩余部分；以及第一防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，用于防止粘在多个上述蒸镀用喷嘴中的至少一个蒸镀用喷嘴上的污染物移动到上述基板。上述第一防污染部件可通过横穿上述通道区域来将上述通道区域部分为第一通道区域及第二通道区域。上述第一防污染部件可沿着第一方向横穿上述通道区域部来长长地设置，多个上述蒸镀用喷嘴能够以对应于上述第一防污染部件的方式排列。本专利技术实施例的上述蒸镀装置还可包括第一旋转型遮挡部件，上述第一旋转型遮挡部件以可通过第一铰链轴旋转的方式设置于上述固定型遮挡部件，用于调节上述第一通道区域的宽度。上述第一铰链轴可设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部，并设置在相对于上述第一防污染部件的侧面的中心垂直的位置。通过第一旋转型遮挡部件的旋转，上述第一通道区域的宽度朝向上述第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向上述第一传导管的末端逐渐线性增大。本专利技术实施例的上述蒸镀装置还可包括第二旋转型遮挡部件，上述第二旋转型遮挡部件以可通过第二铰链轴旋转的方式设置于上述固定型遮挡部件，用于以使第二通道区域的宽度朝向上述第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向上述第一传导管的末端逐渐线性增大的方式调节上述第二通道区域的宽度。本专利技术实施例的上述蒸镀装置还可包括：第一驱动部及第二驱动部，分别对上述第一旋转型遮挡部件及上述第二旋转型遮挡部件施加旋转力；前端侧蒸镀率传感器，设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部中的对应于上述第一传导管前端部的第一部分来测定蒸镀率；以及末端侧蒸镀率传感器，设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部中的对应于上述第一传导管的末端部的第二部分来测定蒸镀率。若由上述前端侧蒸镀率传感器测定的前端侧蒸镀率大于由上述后端侧蒸镀率传感器测定的末端侧蒸镀率，则上述第一驱动部及上述第二驱动部分别使第一旋转型遮挡部件及第二旋转型遮挡部件各自旋转，来使得上述第一通道区域及上述第二通道区域各自的宽度朝向上述第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向上述第一传导管的末端逐渐线性增大。本专利技术实施例的上述蒸镀装置还可包括：第二传导管，位于上述第一传导管的左侧，用于引导第二薄膜形成用物质；以及第三传导管，位于上述第一传导管的右侧，用于引导属于与上述第二薄膜形成用物质相同的物质的第三薄膜形成用物质，上述第二薄膜形成用物质及上述第三薄膜形成用物质为用于产生所需蒸镀率的所需蒸镀率产生温度高于上述第一薄膜形成用物质的物质。本专利技术实施例的上述蒸镀装置还可包括：第二防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，以与上述第二传导管相对应的方式设置；以及第三防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，以与上述第三传导管相对应的方式设置。上述第二传导管及上述第三传导管可分别包括在互不相同的第二线性蒸发源及第三线性蒸发源。上述第二传导管及上述第三传导管可平行于第一传导管，上述第二传导管、上述第一传导管以及上述第三传导管可按上述第二传导管、上述第一传导管以及上述第三传导管的顺序设置成圆弧状。上述圆弧的中心可位于上述基板的第一部分，上述第一部分可为与上述通道区域部的中心相对应的部分。本专利技术实施例的上述蒸镀装置还可包括分别设置于上述第一传导管、第二传导管以及第三传导管来分别测定蒸镀率的一个以上的蒸镀率测定部。上述蒸镀率测定部可包括：测定用喷嘴，分别与上述第一传导管、第二传导管以及第三传导管连通；测定用传导管，一端分别设置于上述第一传导管、第二传导管以及第三传导管，用于引导从上述测定用喷嘴喷射的薄膜形成用物质；以及传导管侧蒸镀率传感器，设置于上述测定用传导管的另一端，用于测定所喷射的上述薄膜形成用物质的蒸镀率。一个以上的上述蒸镀率测定部可包括：前端侧蒸镀率测定部，设置于上述第一传导管、第二传导管、第三传导管各自的前端部，以测定各自的蒸镀率；以及末端侧蒸镀率测定部，设置于上述第一传导管、第二传导管、第三传导管各自的末端部，以测定各自的蒸镀率。本专利技术实施例的上述蒸镀装置还可包括基板移送部，用于沿着第二方向移送上述基板，上述第一方向及上述第二方向相互垂直。专利技术的效果如上所述，本专利技术实施例的蒸镀装置可以具有以下效果。根据本专利技术的实施例，所提供的技术结构包括：第一线性蒸发源，具有用于引导第一薄膜形成用物质的第一传导管；固定型遮挡部件，具有通道区域部和遮挡区域部；以及第一防污染部件，因此，可使得粘在第一传导管的多个蒸镀用喷嘴中的一种以上的污染物在移动到基板表面之前被第一防污染部件阻挡，从而可保护基板表面免受污染。并且，根据本专利技术的实施例，由于提供了还包括第一旋转型遮挡部件的技术结构，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸镀装置，用于在基板上蒸镀一种以上的薄膜形成用物质，其特征在于，包括：第一线性蒸发源，具有使得用于将第一薄膜形成用物质喷射到上述基板上的多个蒸镀用喷嘴沿着第一方向长长地排列的第一传导管；固定型遮挡部件，包括通道区域部以及遮挡区域部，上述通道区域部设置于上述第一传导管与上述基板之间，用于使得所喷射的上述第一薄膜形成用物质的一部分朝向上述基板通过，上述遮挡区域部用于阻挡第一薄膜形成用物质的剩余部分；以及第一防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，用于防止粘在多个上述蒸镀用喷嘴中的至少一个蒸镀用喷嘴上的污染物移动到上述基板。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.13 KR 10-2016-01183171.一种蒸镀装置，用于在基板上蒸镀一种以上的薄膜形成用物质，其特征在于，包括：第一线性蒸发源，具有使得用于将第一薄膜形成用物质喷射到上述基板上的多个蒸镀用喷嘴沿着第一方向长长地排列的第一传导管；固定型遮挡部件，包括通道区域部以及遮挡区域部，上述通道区域部设置于上述第一传导管与上述基板之间，用于使得所喷射的上述第一薄膜形成用物质的一部分朝向上述基板通过，上述遮挡区域部用于阻挡第一薄膜形成用物质的剩余部分；以及第一防污染部件，设置于上述固定型遮挡部件，用于防止粘在多个上述蒸镀用喷嘴中的至少一个蒸镀用喷嘴上的污染物移动到上述基板。2.根据权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，上述第一防污染部件通过横穿上述通道区域来将上述通道区域部分为第一通道区域及第二通道区域。3.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，上述第一防污染部件沿着第一方向横穿上述通道区域部来长长地设置，多个上述蒸镀用喷嘴以对应于上述第一防污染部件的方式排列。4.根据权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，上述蒸镀装置还包括第一旋转型遮挡部件，上述第一旋转型遮挡部件以通过第一铰链轴旋转的方式设置于上述固定型遮挡部件，用于调节上述第一通道区域的宽度。5.根据权利要求4所述的蒸镀装置，其特征在于，上述第一铰链轴设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部，并设置在相对于上述第一防污染部件的侧面的中心垂直的位置。6.根据权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，通过第一旋转型遮挡部件的旋转，上述第一通道区域的宽度朝向上述第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向上述第一传导管的末端逐渐线性增大。7.根据权利要求6所述的蒸镀装置，其特征在于，上述蒸镀装置还包括第二旋转型遮挡部件，上述第二旋转型遮挡部件以通过第二铰链轴旋转的方式设置于上述固定型遮挡部件，用于以使第二通道区域的宽度朝向上述第一传导管的前端逐渐线性减小且朝向上述第一传导管的末端逐渐线性增大的方式调节上述第二通道区域的宽度。8.根据权利要求7所述的蒸镀装置，其特征在于，上述蒸镀装置还包括：第一驱动部及第二驱动部，分别对上述第一旋转型遮挡部件及上述第二旋转型遮挡部件施加旋转力；前端侧蒸镀率传感器，设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部中的对应于上述第一传导管前端部的第一部分来测定蒸镀率；以及末端侧蒸镀率传感器，设置于上述固定型遮挡部件的上述遮挡区域部中的对应于上述第一传导管的末端部的第二部分来测定蒸镀率。9.根据权利要求8所述的蒸镀装置，其特征在于，若由上述前端侧蒸镀率传感器测定的前端侧蒸镀率大于由上述后端侧蒸镀率...

【专利技术属性】
技术研发人员：文一权，黄道元，
申请(专利权)人：艾尔法普拉斯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR