双面扇出型封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双面扇出型封装结构，包括：芯片，所述芯片具有第一表面，所述第一表面包括导电焊盘；以及对所述芯片进行包裹的塑封层，所述塑封层包括第一表面和第二表面，其中第二表面与第一表面相对，在第一表面上设置有第一重布线结构，在第二表面上设置有第二重布线结构，所述塑封层还包括贯穿第一表面和第二表面的第一导线，所述第一导线在第一重布线结构和第二重布线结构之间形成电连接，塑封层内还包括第二导线，所述第二导线从第一表面延伸到所述芯片的导电焊盘，在所述芯片与第一重布线结构之间形成电连接，其中所述第一导线和第二导线分别是一段导电弧线。

【技术实现步骤摘要】
双面扇出型封装结构
本技术涉及半导体封装
，具体而言，本技术涉及双面扇出型封装结构。
技术介绍
为了满足电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展，芯片的小型化、智能化使得芯片封装引脚的数量在提升的同时，封装引脚的尺寸也在快速下降。传统的倒装芯片晶圆级封装方案中I/O连接端子散布在芯片表面面积之内，从而限制了I/O连接数目。扇出型晶圆级封装能很好的解决这个问题，同时由于其具有小型化、低成本和高集成度等优点，因此正在迅速成为新型芯片和晶圆级封装技术的选择。现有的扇出型封装通常将裸芯片的背面嵌入在环氧树脂中，然后在裸芯片的正面形成介电层和重布线层，并在裸芯片正面的焊盘与重布线层之间形成电连接，重布线层可重新规划从裸芯片上的I/O连接到外围环氧树脂区域的路线，再在重布线层的焊盘上形成焊球突起结构，由此形成扇出型封装结构。扇出型晶圆级封装能够实现三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片性能和低功耗，但也存在着一定的缺陷。在将裸芯片的背面嵌入在环氧树脂中的过程中，通常是将裸芯片直接粘贴于粘合层上，然后将裸芯片转移至支撑衬底或支架上。然而，由于粘合层容易变形扭曲，大大影响了产品封装的可靠性，降低了产品性能。另外因塑封材料收缩引起的滑移也很难得到控制。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，根据本技术的一个实施例，提供一种双面扇出型封装结构，包括：芯片，所述芯片具有第一表面，所述第一表面包括导电焊盘；以及对所述芯片进行包裹的塑封层，所述塑封层包括第一表面和第二表面，其中第二表面与第一表面相对，在第一表面上设置有第一重布线结构，在第二表面上设置有第二重布线结构，所述塑封层还包括贯穿第一表面和第二表面的第一导线，所述第一导线在第一重布线结构和第二重布线结构之间形成电连接，塑封层内还包括第二导线，所述第二导线从第一表面延伸到所述芯片的导电焊盘，在所述芯片与第一重布线结构之间形成电连接，其中所述第一导线和第二导线分别是一段导电弧线。在本技术的一个实施例中，所述第一重布线结构和/或第二重布线结构包括N层导电线路以及设置在导电线路之间的绝缘介质，其中N≥2。在本技术的一个实施例中，所述第一重布线结构与所述第一导电柱和所述第二导电柱电连接，所述第一重布线结构上设置有一个或多个外接焊盘和/或焊料凸点。在本技术的一个实施例中，所述第二重布线结构与所述第一导电柱电连接，所述第二重布线结构上设置有一个或多个外接焊盘和/或焊料凸点。根据本技术的另一个实施例，提供一种双面扇出型封装结构的制造方法，包括：将芯片的背面固定到载片的凸台上，所述芯片的正面包括导电焊盘；通过引线键合工艺在所述导电焊盘和载片的键合位置之间形成键合引线，所述键合位置在所述凸台的外部；对所述芯片和载片进行塑封，使得塑封材料完全包封所述芯片、所述键合引线和所述载片；减薄所述塑封材料至所述键合引线的线弧最高点之下的特定距离，使得每根键合引线断开为第一弧线和第二弧线，所述第一弧线和第二弧线的一端分别暴露在所述塑封材料的第一表面上，其中所述第一弧线从所述塑封材料的第一表面延伸到第二表面，所述第二弧线从芯片的导电焊盘延伸到塑封材料的第一表面；在减薄后的塑封材料的第一表面上形成第一重布线结构；对所述载片进行背面减薄，直到暴露所述第一弧线的另一端。在本技术的另一个实施例中，该双面扇出型封装结构的制造方法还包括：去除所述载片的凸台，以便暴露芯片的背面；进行第二次注塑，使得塑封材料完全包封芯片和第一弧线的另一端；对注塑材料的第二面进行减薄，直至暴露第一弧线的另一端；在减薄后的塑封材料的第二表面上形成第二重布线结构。在本技术的另一个实施例中，所述凸台的尺寸大于、小于或等于所述芯片的尺寸。在本技术的另一个实施例中，还包括在所述第一重布线结构和第二重布线结构上制备焊料凸点。在本技术的另一个实施例中，形成第一重布线结构包括：形成一层或多层导电材料，再通过光刻和刻蚀技术去除不需要导电的区域，从而形成所需导电线路。在本技术的另一个实施例中，形成第二重布线结构包括：形成一层或多层导电材料，再通过光刻和刻蚀技术去除不需要导电的区域，从而形成所需导电线路。本技术公开的双面扇出型封装结构及其制造方法工艺简单、成本低，具有封装体积小，输入输出引脚数量多的优点。能够同时实现多芯片互连。并且该封装结构的芯片被全面包裹，可靠性高。附图说明为了进一步阐明本技术的各实施例的以上和其它优点和特征，将参考附图来呈现本技术的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本技术的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。图1示出根据本技术的一个实施例的扇出型封装结构100的横截面示意图。图2A至图2J示出根据本技术的实施例形成扇出型封装结构的过程的剖面示意图。图3示出根据本技术的实施例形成扇出型封装结构的流程图。具体实施方式在以下的描述中，参考各实施例对本技术进行描述。然而，本领域的技术人员将认识到可在没有一个或多个特定细节的情况下或者与其它替换和/或附加方法、材料或组件一起实施各实施例。在其它情形中，未示出或未详细描述公知的结构、材料或操作以免使本技术的各实施例的诸方面晦涩。类似地，为了解释的目的，阐述了特定数量、材料和配置，以便提供对本技术的实施例的全面理解。然而，本技术可在没有特定细节的情况下实施。此外，应理解附图中示出的各实施例是说明性表示且不一定按比例绘制。在本说明书中，对“一个实施例”或“该实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本技术的至少一个实施例中。在本说明书各处中出现的短语“在一个实施例中”并不一定全部指代同一实施例。需要说明的是，本技术的实施例以特定顺序对工艺步骤进行描述，然而这只是为了方便区分各步骤，而并不是限定各步骤的先后顺序，在本技术的不同实施例中，可根据工艺的调节来调整各步骤的先后顺序。为了解决现有技术中，将裸芯片直接粘贴于粘合层上再将裸芯片转移至支撑衬底或支架上的过程中，粘合层容易变形扭曲，引起晶片偏移，影响产品封装的可靠性的问题，本技术通打线高低弧方式，实现芯片的正反面凸点的互连；也可以实现双面扇出结构。本技术利用塑封工艺，将芯片全包裹至环氧树脂内，实现埋入式结构。利用低成本打线方式实现正反面互连，埋入式结构，芯片全面保护，可靠性高。正反面扇出可以实现高输入输出引脚数量。图1示出根据本技术的一个实施例的扇出型封装结构100的横截面示意图。扇出型封装结构100包括芯片110和对芯片进行包裹的塑封层120。芯片110可以是多种类型的芯片，例如，存储芯片、处理器芯片等等。芯片110也可以是堆叠的多个芯片或已经完成部分封装的模块。芯片110具有第一表面110a，芯片110的第一表面110a可包括器件区、芯片电路(图中未示出)和导电焊盘111。塑封层120将芯片110的包封起来。塑封层120具有第一表面120a和第二表面120b，其中第二表面120b与第一表面120a相对。在第一表面120a上设置有第一重布线结构130。在第二表面120b上设置有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面扇出型封装结构，包括：芯片，所述芯片具有第一表面，所述第一表面包括导电焊盘；以及对所述芯片进行包裹的塑封层，所述塑封层包括第一表面和第二表面，其中第二表面与第一表面相对，在第一表面上设置有第一重布线结构，在第二表面上设置有第二重布线结构，所述塑封层还包括贯穿第一表面和第二表面的第一导线，所述第一导线在第一重布线结构和第二重布线结构之间形成电连接，塑封层内还包括第二导线，所述第二导线从第一表面延伸到所述芯片的导电焊盘，在所述芯片与第一重布线结构之间形成电连接，其中所述第一导线和第二导线分别是一段导电弧线。

【技术特征摘要】
1.一种双面扇出型封装结构，包括：芯片，所述芯片具有第一表面，所述第一表面包括导电焊盘；以及对所述芯片进行包裹的塑封层，所述塑封层包括第一表面和第二表面，其中第二表面与第一表面相对，在第一表面上设置有第一重布线结构，在第二表面上设置有第二重布线结构，所述塑封层还包括贯穿第一表面和第二表面的第一导线，所述第一导线在第一重布线结构和第二重布线结构之间形成电连接，塑封层内还包括第二导线，所述第二导线从第一表面延伸到所述芯片的导电焊盘，在所述芯片与第一重布线结构之间形成电连接，其中所述第一导线和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：任玉龙，孙鹏，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32