一种选择性背金芯片封装结构及其工艺方法技术

本发明专利技术涉及一种选择性背金芯片封装结构及其工艺方法，所述封装结构包括基板(1)，所述基板(1)上通过银胶(2)设置有芯片(3)，所述芯片(3)包括RF信号焊垫(31)和接地焊垫(32)，所述芯片(3)上方包封有塑封料(7)，所述塑封料(7)上在对应于RF信号焊垫(31)和接地焊垫(32)之间的隔离区域开设有沟槽(5)，所述沟槽(5)向下延伸到基板(1)表面，所述沟槽(5)内填充绝缘材料(6)。本发明专利技术在芯片设计为选择性背金的情况下，在芯片表面设置一镭射开槽的沟道，通过在正常装片包封后镭射通过塑封料层和芯片层并填充绝缘材料的方式，隔离阻断接地焊垫和信号焊垫，解决选择性背金芯片装片遇到的桥接或信号焊垫无法与芯片连接的问题。

A Selective Gold Back Chip Packaging Architecture and Its Processing Method

The present invention relates to a selective gold-backed chip packaging structure and its process method. The packaging structure includes a substrate (1), which is equipped with a chip (3) through silver glue (2). The chip (3) includes an RF signal soldering pad (31) and a ground soldering pad (32). The chip (3) is coated with a plastic sealant (7), and the plastic sealant (7) is between a corresponding RF signal soldering pad (31) and a ground soldering pad (32). The isolation area is provided with a groove (5), which extends downward to the surface of the substrate (1), and the groove (5) is filled with insulating material (6). In the case that the chip is designed as selective backing gold, a laser groove is arranged on the chip surface. The problem that the bridge or signal bonding pad of selective backing gold chip can not be connected with the chip is solved by isolating and blocking the grounding welding pad and signal bonding pad through plastic sealing material layer and chip layer and filling insulating material after encapsulating the normal chip.

【技术实现步骤摘要】
一种选择性背金芯片封装结构及其工艺方法
本专利技术涉及一种选择性背金芯片封装结构及其工艺方法，属于半导体封装

技术介绍
现在一些GaAs芯片，为满足电性能的要求，会将芯片设计成选择性背金的设计，如图1所示，其中A和C区域为镀金区域，B区域为隔离区域，左右两边的镀金区域C为信号焊垫，中间大块镀金区域A为接地焊垫，信号焊垫不得与其他任何镀金区域桥接，否则会短路影响性能。然而，由于芯片越做越小，信号焊垫与接地焊垫间距小，加上基板设计问题，如果使用传统点胶工艺，不仅桥接风险非常大，同时左右两个信号焊垫也有可能未覆盖到银胶，造成无法与芯片连接的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种选择性背金芯片封装结构及其工艺方法，它在芯片设计为选择性背金的情况下，在芯片表面设置一镭射开槽的沟道，通过在正常装片包封后镭射通过塑封料层和芯片层并填充绝缘材料的方式，隔离阻断接地焊垫和信号焊垫，解决选择性背金芯片装片遇到的桥接或信号焊垫无法与芯片连接的问题。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种选择性背金芯片封装结构，它包括基板，所述基板上通过银胶设置有芯片，所述芯片包括信号焊垫和接地焊垫，所述芯片上方包封有塑封料，所述塑封料上在对应于信号焊垫和接地焊垫之间的隔离区域开设有沟槽，所述沟槽向下延伸到基板表面，所述沟槽内填充绝缘材料。所述塑封料区域的沟槽尺寸大于芯片区域的沟槽尺寸。一种选择性背金芯片封装结构的工艺方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、以正常方式在芯片背面进行划胶作业，保证芯片背面银胶的覆盖率；步骤二、正常作业装片、打线至包封完成；步骤三、镭射开沟槽，包封后在塑封料表面对应于芯片接地焊垫和信号焊垫间隔离区域的位置通过镭射形成沟槽，镭射依次通过塑封层和芯片层直至基板表面；步骤四、在沟槽内填充绝缘材料，起到阻断接地焊垫和信号焊垫的效果；步骤五、固化沟槽内的绝缘材料；步骤六、切割等后续制程，完成封装。优选的，步骤三中塑封料层的镭射沟槽范围大于芯片层的镭射沟槽范围。与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术一种选择性背金芯片封装结构及其工艺方法，它在芯片设计为选择性背金的情况下，在芯片表面设置一供镭射开槽的沟道，通过在正常装片包封后镭射塑封料和芯片并填充绝缘材料的方式，隔离阻断接地焊垫和信号焊垫，解决选择性背金芯片装片遇到的桥接或信号焊垫无法与芯片连接的问题。附图说明图1为选择性背金芯片的结构示意图。图2为本专利技术一种选择性背金芯片封装结构的示意图。图3～图6为本专利技术一种选择性背金芯片封装结构的工艺方法各工序流程示意图。其中：基板1银胶2芯片3信号焊垫31接地焊垫32保护膜4沟槽5绝缘材料6塑封料7。具体实施方式以下结合附图实施例对本专利技术作进一步详细描述。如图2所示，本实施例中的一种选择性背金芯片封装结构，它包括基板1，所述基板1上通过银胶2设置有芯片3，所述芯片3包括信号焊垫31和接地焊垫32，所述芯片3上方包封有塑封料7，所述塑封料7上在对应于信号焊垫31和接地焊垫32之间的隔离区域开设有沟槽5，所述沟槽5向下延伸到基板1表面，所述沟槽5内填充绝缘材料6；所述塑封料7区域的沟槽5尺寸大于芯片3区域的沟槽5尺寸。其工艺方法如下：步骤一、参见图3，以正常方式在芯片背面进行划胶作业，保证芯片背面银胶的覆盖率；步骤二、参见图4，正常作业装片、打线至包封完成；步骤三、参加图5，镭射开沟槽，包封后在塑封料表面对应于芯片接地焊垫和信号焊垫间隔离区域的位置通过镭射形成沟槽，镭射依次通过塑封层和芯片层直至基板表面；塑封料层的镭射范围大于芯片层的镭射范围；芯片在开沟槽的纵向区域内不设置线路；步骤四、参见图6，在沟槽内填充绝缘材料，起到阻断接地焊垫和信号焊垫的效果；步骤五、固化沟槽内的绝缘材料；步骤六、切割等后制程，完成封装。除上述实施例外，本专利技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本专利技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种选择性背金芯片封装结构，其特征在于：它包括基板(1)，所述基板(1)上通过银胶(2)设置有芯片(3)，所述芯片(3)包括信号焊垫(31)和接地焊垫(32)，所述芯片(3)上方包封有塑封料(7)，所述塑封料(7)上在对应于信号焊垫(31)和接地焊垫(32)之间的隔离区域开设有沟槽(5)，所述沟槽(5)向下延伸到基板(1)表面，所述沟槽(5)内填充绝缘材料(6)。

【技术特征摘要】
1.一种选择性背金芯片封装结构，其特征在于：它包括基板(1)，所述基板(1)上通过银胶(2)设置有芯片(3)，所述芯片(3)包括信号焊垫(31)和接地焊垫(32)，所述芯片(3)上方包封有塑封料(7)，所述塑封料(7)上在对应于信号焊垫(31)和接地焊垫(32)之间的隔离区域开设有沟槽(5)，所述沟槽(5)向下延伸到基板(1)表面，所述沟槽(5)内填充绝缘材料(6)。2.根据权利要求1所述的一种选择性背金芯片封装结构，其特征在于：所述塑封料(7)区域的沟槽(5)尺寸大于芯片(3)区域的沟槽(5)尺寸。3.一种选择性背金芯片封装结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32