封装结构及其制法制造技术

一种封装结构及其制法，通过设置多个电子元件与一支撑组件于承载件上，且该支撑组件位于该电子元件的周围而未延伸至各该电子元件之间，接着形成封装层于该承载件上以包覆该电子元件与支撑组件，之后移除该承载件，以通过该支撑组件抑制该封装层的翘曲。

Packaging Structure and Its Manufacturing Method

An encapsulation structure and its manufacturing method are described in this paper. The encapsulation layer is formed to encapsulate the electronic component and the supporting component on the bearing by setting a plurality of electronic components and a supporting component around the electronic component and not extending between the electronic components. The supporting component is then removed to suppress the warpage of the packaging layer through the supporting component. \u3002

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制法
本专利技术有关一种半导体封装技术，尤指一种封装结构及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化(miniaturization)的封装需求，发展出晶圆级封装(WaferLevelPackaging,WLP)的技术。如图1A至图1D，其为现有晶圆级半导体封装件1的制法的剖面示意图。如图1A所示，提供一具有热化离型胶层(thermalreleasetape)11的承载件10。接着，置放多个半导体元件12于该热化离型胶层11上，且该些半导体元件12具有相对的主动面12a与非主动面12b，其中，该主动面12a具有多个电极垫120，并以该主动面12a黏着于该热化离型胶层11上。如图1B所示，以压合(lamination)方式形成一封装胶体13于该热化离型胶层11上，以包覆该半导体元件12。如图1C所示，进行烘烤制程以硬化该封装胶体13，且同时该热化离型胶层11因受热后会失去黏性，再一并移除该热化离型胶层11与该承载件10，以外露该半导体元件12的主动面12a。如图1D所示，进行线路重布层(Redistributionlayer，简称RDL)制程，形成一线路部14于该封装胶体13与该半导体元件12的主动面12a上，令该线路部14电性连接该半导体元件12的电极垫120。接着，形成一绝缘保护层15于该线路部14上，且该绝缘保护层15外露该线路部14的部分表面，以供结合如焊锡凸块的导电元件16。惟，现有半导体封装件1的制法中，由于该半导体元件12与该封装胶体13热膨胀系数(Coefficientofthermalexpansion，简称CTE)不匹配(mismatch)，因而容易发生热应力不均匀的情况，致使热循环(thermalcycle)时，造成该封装胶体13翘曲(warpage)，如图1D’所示，致使该线路部14与该半导体元件12的电极垫120间的对位产生偏移。故而，当该承载件10的尺寸越大时，各该半导体元件12间的位置公差也随之加大，而当翘曲过大时，将使该线路部14无法与该电极垫120连接，也就是对该线路部14与该半导体元件12间的电性连接造成极大影响，因而造成良率过低及产品可靠度不佳等问题。此外，当该封装胶体13发生过大的翘曲时，会造成机台运作(Handling)与产量(Yield)的问题，例如，无法将模压好的结构(如图1C或图1D所示的结构)放入机台的入口，因而无法进行后续制程。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本专利技术提供一种封装结构及其制法，可抑制该封装层的翘曲。本专利技术的封装结构，其包括：封装层；一电子元件群组，其包含有多个电子元件且嵌埋于该封装层中；以及支撑组件，其嵌埋于该封装层中并环绕该电子元件群组周围且未延伸至各该电子元件之间。本专利技术还提供一种封装结构的制法，包括：设置一电子元件群组于承载件上，且于该承载件上形成环绕该电子元件群组周围的支撑组件，其中，该电子元件群组包含多个电子元件，且该支撑组件并未延伸至各该电子元件之间；形成封装层于该承载件上以包覆该支撑组件与该电子元件群组；以及移除该承载件，以外露该支撑组件与该电子元件群组。前述的制法中，还包括于移除该承载件后，进行切单以分离各该电子元件。前述的制法中，还包括于移除该承载件后，移除该支撑组件。前述的制法中，该承载件定义有一置放区，以设置该电子元件群组，且该支撑组件位于该置放区外而未延伸至该置放区内。前述的封装结构及其制法中，该支撑组件呈环状。前述的封装结构及其制法中，该支撑组件包含环形件、弧形件或棒状物。前述的封装结构及其制法中，形成该支撑组件的材质为金属或非金属。前述的封装结构及其制法中，形成该支撑组件的材质为硅、不锈钢或塑胶。前述的封装结构及其制法中，该支撑组件位于该承载件(或该封装层)的边缘内移3mm之处。另外，前述的封装结构及其制法中，还包括形成一线路部于该封装层与该电子元件群组上，且该线路部电性连接该电子元件群组。该线路部包含相叠的至少一介电层与至少一线路层，且该线路层电性连接该电子元件群组。由上可知，本专利技术的封装结构及其制法，通过该支撑组件环绕于该电子元件群组的周围且未延伸至各该电子元件之间，以抑制该封装层因与电子元件间的CTE不匹配所造成的翘曲，且可针对不同的封装结构，利用调整该支撑组件的尺寸或排列方式以最佳化翘曲数值，故相较于现有技术，本专利技术于该承载件的尺寸越大时，该封装层的翘曲程度不会随之加大，因而能避免良率过低及产品可靠度不佳等问题，进而得以降低成本及提高制程良率。附图说明图1A至图1D为现有半导体封装件的制法的剖面示意图；图1D’为现有半导体封装件于制程中发生翘曲问题的示意图；图2A至图2D为本专利技术的封装结构的制法的剖面示意图，其中，第2A’及2A”图为对应图2A的不同实施例的平面上视图；以及图3为对应图2D的后续制程的剖面示意图。符号说明：1半导体封装件10,20承载件11热化离型胶层12半导体元件12a,22a主动面12b,22b非主动面120,220电极垫13封装胶体14,24线路部15,25绝缘保护层16,26导电元件2封装结构2a电子元件群组20c,23c边缘200载板201离型层202黏着层21支撑组件21a,21b弧形件21c棒状物22电子元件23封装层23a表面240介电层241线路层242导电盲孔3电子封装件A置放区S切割路径t距离。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员士的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图2A至图2D为本专利技术的封装结构2的制法的剖面示意图。如图2A所示，设置一电子元件群组2a于一承载件20上，且设置一支撑组件21于该承载件20上，以令该支撑组件21环绕于该电子元件群组2a的周围。于本实施例中，该承载件20的尺寸可依需求选择晶圆型基板(Waferformsubstrate)或一般面板型基板(Panelformsubstrate)，且该承载件20可包括例如晶圆、硅板等的半导体材或玻璃材的圆形载板200，该载板200上依序形成有一离型层201与一黏着层202，并以黏着层202结合该电子元件群组2a与该支撑组件21，其中，该黏着层202例如为热化离型胶层(thermalreleasetape)。此外，该承载件20定义有一置放区A，以设置该电子元件群组2a，且该电子元件群组2a包含阵列排设的多个电子元件22，该电子元件22为主动元件、被动元件或其二者组合，其中，该主动元件为例如半导体晶片，而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：封装层；一电子元件群组，其包含有多个电子元件且嵌埋于该封装层中；以及支撑组件，其嵌埋于该封装层中并环绕该电子元件群组周围且未延伸至各该电子元件之间。

【技术特征摘要】
2017.07.14 TW 1061236451.一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：封装层；一电子元件群组，其包含有多个电子元件且嵌埋于该封装层中；以及支撑组件，其嵌埋于该封装层中并环绕该电子元件群组周围且未延伸至各该电子元件之间。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征为，该支撑组件呈环状。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征为，该支撑组件包含环形件、弧形件或棒状物。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征为，形成该支撑组件的材质为金属或非金属。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征为，形成该支撑组件的材质为硅、不锈钢或塑胶。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征为，该支撑组件位于该封装层的边缘内移3mm处。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括形成于该封装层与该电子元件群组上且电性连接该电子元件群组的线路部。8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征为，该线路部包含相叠的至少一介电层与至少一线路层，且该线路层电性连接该电子元件群组。9.一种封装结构的制法，其特征为，该制法包括：设置一电子元件群组于承载件上，且于该承载件上形成环绕该电子元件群组周围的支撑组件，其中，该电子元件群组包含有多个电子元件，且该支撑组件并未延伸至各该电子元件之间；形成封装层于该承...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖杰隆，卢俊宏，林谷彦，叶懋华，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71