电阻器、显示设备和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及电阻器、显示设备和电子设备。提供一种新电阻器。提供具有能够提高其可靠性的新结构的显示设备。提供具有能够减少静电释放损害的新结构的显示设备。电阻器包括半导体层以及形成于半导体层之上的绝缘层，并且半导体层是以至少含有铟（In）、锌（Zn）和M（M是诸如Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf之类的金属）的In‑M‑Zn氧化物为代表的氧化物，并且绝缘层至少含有氢。

【技术实现步骤摘要】
电阻器、显示设备和电子设备
本专利技术的一种实施例涉及对象、方法、制造泛法、过程、机器、制造或物质的组成。特别地，本专利技术的一种实施例涉及，例如，半导体设备、显示设备、发光设备、电子设备、它们的驱动方法或者它们的制造方法。特别地，例如，本专利技术的一种实施例涉及每个都包含氧化物半导体的电阻器、半导体设备、显示设备、电子设备或发光设备。注意，术语“显示设备”意指包括显示元件的设备。另外，显示设备还包括用于驱动多个像素的驱动电路等。此外，显示设备还包括形成于另一个基板上的控制电路、电源电路、信号发生电路等。
技术介绍
对于以液晶显示设备为代表的显示设备，元件和布线已经随着新近的技术革新而缩小了尺寸，并且大规模生产技术同样已经得到了大大改进。制造产出率的提高需要在将来实现更低的成本。如果因静电等所致的浪涌电压被施加于显示设备，则元件会被损坏而产生异常的显示。因而，制造产出率很可能会被降低。为了克服这点，用于将浪涌电压释放到另一个布线的保护电路被设置于显示设备内（例如，参见专利文献1至7）。[参考文献][专利文献1]日本公开专利申请No.2010-92036[专利文献2]日本公开专利申请No.2010-92037[专利文献3]日本公开专利申请No.2010-97203[专利文献4]日本公开专利申请No.2010-97204[专利文献5]日本公开专利申请No.2010-107976[专利文献6]日本公开专利申请No.2010-107977[专利文献7]日本公开专利申请No.2010-113346
技术实现思路
以提高可靠性为目标的结构（例如，保护电路）对于显示设备是重要的。本专利技术的一种实施例的一个目的是提供具有新结构的电阻器等。作为选择，本专利技术的一种实施例的一个目的是提供具有能够提高可靠性的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够减少静电释放损伤的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够减少静电的不利影响的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够在摩擦过程中减少对晶体管的不利影响的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够在检测步骤中减少对晶体管的不利影响的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够在使用触摸传感器时减少故障的不利影响的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够减少晶体管特性的波动或劣化的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够减少晶体管的阈值电压的波动或晶体管的劣化的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够提高晶体管的制造产出率的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有含有电导率已提高的氧化物半导体层的新结构的显示设备等。作为选择，本专利技术的一种实施例的另一个目的是提供具有能够控制氧化物半导体层的电导率的新结构的显示设备等。注意，关于这些目的描述并不妨碍其它目的存在。注意，在本专利技术的一种实施例中，不需要实现全部目的。根据关于本说明书、附图、权利要求书等的描述，除上述目的外的目的将会变得明显，并且可以从所述描述中得出。本专利技术的一种实施例是包括半导体层以及在半导体层上的绝缘层的电阻器，并且半导体层是以至少含有铟（H）、锌（Zn）和M（M为例如Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf）的In-M-Zn氧化物为代表的氧化物，并且绝缘层至少含有氢。本专利技术的另一种实施例是包括像素部分、在像素部分之外的驱动电路部分以及与像素部分和驱动电路部分之一或两者电连接的保护电路部分的显示设备。显示设备包括成矩阵排布的像素电极以及与像素电极电连接的第一晶体管，驱动电路部分包括配置用于控制第一晶体管的通/断（ON/OFF）的第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管每个都包括在沟道形成区内的第一氧化物半导体层，保护电路部分包括在第一氧化物半导体层形成的同一过程中形成的第二氧化物半导体层，并且在第一氧化物半导体层内的氢浓度不同于在第二氧化物半导体层内的氢浓度。根据本专利技术的一种实施例，能够提供具有新结构的电阻器。此外，根据本专利技术的一种实施例，能够提高显示设备的可靠性。附图说明图1A和1B是显示设备的平面示意图以及保护电路部分的电路图。图2A是电阻器的顶视图，以及图2B和2C是电阻器的截面图。图3A是电阻器的顶视图，而图3B和3C是电阻器的截面图。图4是显示设备的平面示意图，包括保护电路部分的电路图。图5是保护电路部分的电路图。图6A和6B是能够在显示设备中使用的像素电路的示意图。图7A至7C是显示设备的顶视图。图8是显示设备的顶视图。图9A至9C是显示设备的截面图。图10A至10C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图11A至11C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图12A至12C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图13A至13C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图14A至14C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图15A至15C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图16A至16C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图17A至17C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图18A至18C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图19A至19C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图20A至20C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图21A至21C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图22A至22C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图23A至23C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图24A至24C是显示设备的截面图。图25A至25C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图26A至26C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图27A至27C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图28A至28C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图29A至29C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图30A至30C是显示设备的截面图。图31A至31C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图32A至32C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图33A至33C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图34A至34C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图35A至35C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图36A至36C是显示设备的截面图。图37A至37C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图38A至38C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图39A至39C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图40A至40C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图41A至41C是示出用于制造显示设备的方法的截面图。图42A至42C是显示设备的截面图。图43A至43C是显示设备的截面图。图44A至44C是显示设备的截面图。图45A是晶体管的截面图，而图45B至45D是示出氧化物叠层的示意图。图46是示出沉积装置和基板加热装置的示意图。图47A和47B是示出使用DC电源的溅射装置的截面图。图48A和48B是示出基板加热装置的示意图。图49A和49本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻器，包括：在基板之上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上的半导体层；在所述半导体层之上的一对电极层；在所述一对电极层之上的包含开口的第三绝缘层；以及在所述第三绝缘层之上的第四绝缘层，其中所述半导体层是含有铟、锌与选自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金属的氧化物，其中所述第四绝缘层包含氢，并且其中所述第四绝缘层通过所述开口与所述半导体层接触。

【技术特征摘要】
2012.12.25 JP 2012-2818731.一种电阻器，包括：在基板之上的第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；在所述第二绝缘层之上的半导体层；在所述半导体层之上的一对电极层；在所述一对电极层之上的包含开口的第三绝缘层；以及在所述第三绝缘层之上的第四绝缘层，其中所述半导体层是含有铟、锌与选自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金属的氧化物，其中所述第四绝缘层包含氢，并且其中所述第四绝缘层通过所述开口与所述半导体层接触。2.根据权利要求1所述的电阻器，其中所述半导体层包括微晶区，其中在利用以上且以下的射束直径的所述微晶区的电子衍射图中观察到布置于周边的多个斑点，并且其中在利用以上的射束直径的所述微晶区的电子衍射图中没有观察到斑点。3.根据权利要求1所述的电阻器，其中所述第四绝缘层是氮化硅膜。4.根据权利要求1所述的电阻器，其中所述第四绝缘层与所述半导体层接触。5.根据权利要求1所述的电阻器，其中所述第四绝缘层中所含有的氢浓度为1×1022原子/cm3或更高。6.一种电阻器，包括：半导体层；以及在所述半导体层之上的绝缘层，其中所述半导体层是含有铟、锌与选自Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce和Hf中的金属的氧化物，其中所述绝缘层包含氢，其中所述半导体层包括微晶区，其中在利用以上且以下的射束直径的所述微晶区的电子衍射图中观察到布置于周边的多个斑点，并且其中在利用以上的射束直径的所述微晶区的电子衍射图中没有观察到斑点。7.根据权利要求6所述的电阻器，还包括在所述半导体层之上的一对电极层。8.根据权利要求6所述的电阻器，其中所述绝缘层是氮化硅膜。9.根据权利要求1或6所述的电阻器，其中所述半导体层的电阻率高于或等于1×10-3Ωcm且低于1×104Ωcm。10.根据权利要求6所述的电阻器，其中所述绝缘层与所述半导体层接触。11.根据权利要求6所述的电阻器，其中所述绝缘层中所含有的氢浓度为1×1022原子/cm3或更高。12.一种显示设备，包括：像素部分；在所述像素部分外部的驱动电路部分；以及与所述像素部分和所述驱动电路部分之一或两者电连接的保护电路部分，其中所述像素部分包括像素电极以及与所述像素电极电连接的第一晶体管，其中所述驱动电路部分包括被配置用于控制所述第一晶体管的导通状态或截止状态的第二晶体管，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本,JP