一种3D-IC中的共振电感耦合互连通道制造技术

本发明专利技术公开了一种3D‑IC中的共振电感耦合互连通道，包括：设置于发送层上的发送电感以及设置在接受层上的接受电感；发送层和接收层之间通过发送电感与接受电感之间形成的无线互连通道来进行耦合通信；当发送电感和接收电感工作在共振状态时形成了共振电感耦合无线互连通道。本发明专利技术可以提升通道的电流电压增益，增强电感耦合无线互连通道接收端的电压，减少系统设计难度。本发明专利技术以两个工作在共振状态的无线电感作为本方法实施的最小单位。基于其工作频率，电感的自身耦合电感不能被忽略，在引入自身耦合电感之后，通道传输性能得以加强。本发明专利技术基于电感耦合无线互连通道的共振效果，有效改善3D‑IC标准电感耦合通道电流电压增益低的问题。

A Resonant Inductively Coupled Interconnection Channel in 3D-IC

The invention discloses a resonant inductance coupling interconnection channel in 3D IC, which includes: a transmitting inductance set on the transmitting layer and a receiving inductance set on the receiving layer; a wireless interconnection channel formed between the sending inductance and the receiving inductance for coupling communication; and a resonant electricity formed when the sending inductance and the receiving inductance work in a resonant state. Inductively coupled wireless interconnection channel. The invention can improve the current and voltage gain of the channel, enhance the voltage of the receiving end of the inductively coupled wireless interconnection channel, and reduce the difficulty of system design. The invention takes two radio inductances working in resonance state as the minimum unit for the implementation of the method. Based on its working frequency, the self-coupling inductance of the inductor can not be ignored. After introducing the self-coupling inductance, the channel transmission performance can be enhanced. Based on the resonance effect of the inductively coupled wireless interconnection channel, the invention effectively improves the problem of low current and voltage gain of the standard inductively coupled channel of 3D IC.

【技术实现步骤摘要】
一种3D-IC中的共振电感耦合互连通道
本专利技术属于3D-IC电感耦合无线互连
，更具体地，涉及一种3D-IC中的共振电感耦合互连通道。
技术介绍
3D-IC是一种系统级架构的新方法，内部含有多个平面器件层的叠层，并经由穿透硅通孔(TSV)在垂直方向实现相互连接。采用这种方式可以大幅缩小芯片尺寸，提高芯片的晶体管密度，改善层间电气互联性能，提升芯片运行速度，降低芯片的功耗。在设计阶段导入3D-IC的概念，可以将一个完整、复杂的芯片，拆分成若干子功效芯片，在不同层实现，既增强了芯片功能，又避免了相关的成本、设计复杂度增加等问题。3D-IC芯片具有体积小、集成度高、功耗及成本低，有利于实现功能多样化的特点，符合当前数字电子产品轻薄短小发展趋势，近年来产业化进程加快。目前3D-IC中的层间互连方式主要有硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)互连，电容耦合互连和电感耦合互连三种。由于一般的半导体芯片仅仅在其顶部具有电气接口，所以一般这样的结构不太适合用来垂直堆叠。所以为了实现层间互连，就需要完全穿过半导体芯片的硅衬底的电气连接，这就是我们提到的硅通孔(ThroughSi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D‑IC中的共振电感耦合互连通道，其特征在于，包括：设置于发送层上的发送电感以及设置在接受层上的接受电感；所述发送层和接收层之间通过发送电感与接受电感之间形成的无线互连通道来进行耦合通信；当发送电感和接收电感工作在共振状态时形成了共振电感耦合无线互连通道。

【技术特征摘要】
1.一种3D-IC中的共振电感耦合互连通道，其特征在于，包括：设置于发送层上的发送电感以及设置在接受层上的接受电感；所述发送层和接收层之间通过发送电感与接受电感之间形成的无线互连通道来进行耦合通信；当发送电感和接收电感工作在共振状态时形成了共振电感耦合无线互连通道。2.如权利要求1所述的共振电感耦合互连通道，其特征在于，所述发送电感和所述接受电感均为多层平面电感，且层间与层间首尾相连。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷鑑铭，褚轶，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42