集成电路电容器及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种集成电路电容器及半导体器件，所述集成电路电容器包括第一电极板，位于第一电极板上的电容介电层以及位于电容介电层上的第二电极板，电容介电层包括多层结晶态第一介电层，且第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素，以促使第一介电层的结晶态呈四方晶态结构，以此获取较高K值的结晶态第一介电层，提升电容器的电容值，优化电容介电层电容特性。

【技术实现步骤摘要】
集成电路电容器及半导体器件
本技术涉及半导体
，特别涉及一种集成电路电容器及半导体器件。
技术介绍
在集成电路电容器中，随着尺寸微缩，高介电常数材料取代传统的介电层SiO2，不仅可以维持足够的驱动电流，且可以在保持相同等效氧化层厚度(equivalentoxidethickness，EOT)的情况下增加氧化层的实际物理厚度，有效抑制量子隧穿效应。然而，DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)单元数组上的储存电容区域(storagecapacitorarea)的微缩，其电容值(Capacitance)以微缩尺寸平方的速度下降，维持电荷于电容的记忆数据时间以指数函数的方式下降，增加功率消耗。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种集成电路电容器及半导体器件，获取较高K值的结晶态介电层，提升电容值，优化电容介电层电容特性。为实现上述目的，本技术提供一种集成电路电容器，包括：第一电极板、位于所述第一电极板上的电容介电层以及位于所述电容介电层上的第二电极板，其中，所述电容介电层包括多层结晶态第一介电层，且所述、第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素，以促本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路电容器，其特征在于，包括：第一电极板、位于所述第一电极板上的电容介电层以及位于所述电容介电层上的第二电极板，其中，所述电容介电层包括多层结晶态第一介电层，且所述第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素，以促使所述第一介电层的结晶态呈四方晶态结构。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路电容器，其特征在于，包括：第一电极板、位于所述第一电极板上的电容介电层以及位于所述电容介电层上的第二电极板，其中，所述电容介电层包括多层结晶态第一介电层，且所述第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素，以促使所述第一介电层的结晶态呈四方晶态结构。2.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电容介电层还包括多层第二介电层，所述第二介电层与所述第一介电层交错层叠设置。3.如权利要求2所述的集成电路电容器，其特征在于，所述第一介电层包括氧化锆层或氧化铪层；所述掺杂元素的原子半径小于锆或铪的原子半径；所述第二介电层包括氧化铝层。4.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述掺杂元素包括锗或/和硅。5.如权利要求4所述的集成电路电容器，其特征在于，所述掺杂元素的含量介于3at.％～9.3at.％之间。6.如权利要求4所述的集成电路电容器，其特征在于，所述掺杂元素的含量介于4.1at.％～6.2at.％之间。7.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电容介电层还包括附着层，所述附着层位于所述第一电极板与所述第一介电层之间。8.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电容介电层的总厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34