A semiconductor field effect transistor (FET) provides a resonant gate, source and drain, in which the resonant gate resonates electromagnetically at one or more predetermined frequencies.
【技术实现步骤摘要】
具有谐振晶体管栅极的功率场效应晶体管本申请为分案申请，母案申请的国家申请号为：201180051163.7、进入中国国家阶段日期为：2013年4月23日，专利技术名称为：具有谐振晶体管栅极的功率场效应晶体管。
本专利技术特别涉及场效应晶体管(“FET”)的加长栅极内的无源电路元件的集成，其引起栅极以预定的频率或想要的频段谐振，用以转换通过装置的电流负载。本专利技术总体上涉及完全集成的功率管理模块的功率FET内或为半导体载体一部分的、用于在通过其表面电连接的附加的半导体芯片之间管理数据传送的电路内的谐振晶体管栅极的集成。
技术介绍
功率FET已经成为许多用于在直流-直流变换器、交流-直流逆变器或交流变压器中调节电压和/或电流的功率管理电路中的限制组件。近几十年来，已经针对增加功率FET的输出电流以及转换速度以与集成电路“晶体管收缩”保持同步做出了巨大努力。较小的晶体管增加系统转换速度以及集成电路内的晶体管密度。较高的密度在很大程度上允许更多的晶体管并入单个半导体芯片中，这导致其需要较大的工作电流。类似地，较小的晶体管尺寸还增加工作系统速度。任何不能提供较高的转换速度...
【技术保护点】
1.一种在基板上或在基板内形成的蛇形谐振传输线，其特征在于，包含：电传导路径，其折叠以引起相邻传导线部分之间的电磁耦合，形成：沿着耦合的传导线部分的电容负载，其中耦合的传导线部分的一部分内的瞬时电流被定向为与相邻传导线部分内的瞬时电流矢量反并联，以及沿着其他耦合的传导线部分的电感负载，其中耦合的传导线部分的一部分内的瞬时电流被定向为与相邻传导线部分内的瞬时电流矢量并联；以及陶瓷介电材料，其插入耦合的线部分之间以控制沿着蛇形传输线结构的电抗负载，其中，沿着折叠的传导路径分布的电容和电感电抗负载用于调谐蛇形谐振传输线的一个或多个谐振频率。
【技术特征摘要】
2010.08.23 US 61/375,8941.一种在基板上或在基板内形成的蛇形谐振传输线，其特征在于，包含：电传导路径，其折叠以引起相邻传导线部分之间的电磁耦合，形成：沿着耦合的传导线部分的电容负载，其中耦合的传导线部分的一部分内的瞬时电流被定向为与相邻传导线部分内的瞬时电流矢量反并联，以及沿着其他耦合的传导线部分的电感负载，其中耦合的传导线部分的一部分内的瞬时电流被定向为与相邻传导线部分内的瞬时电流矢量并联；以及陶瓷介电材料，其插入耦合的线部分之间以控制沿着蛇形传输线结构的电抗负载，其中，沿着折叠的传导路径分布的电容和电感电抗负载用于调谐蛇形谐振传输线的一个或多个谐振频率。2.根据权利要求1所述的蛇形谐振传输线，其特征在于，其末端是电阻元件。3.根据权利要求1所述的蛇形谐振传输线，其特征在于，其在半导体基板上形成。4.根据权利要求3所述的蛇形谐振传输线，其特征在于，进一步包含线性场效应晶体管栅极部分，以形成具有蛇形谐振栅极电极的谐振栅极晶体管。5.根据权利要求4所述的蛇形谐振栅极电极，其特征在于，进一步包含多个栅极部分，以形成沿着栅极电极的蛇形路径的主要栅极部分和附加的栅极部分。6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·皮尔·德罗什蒙，
申请(专利权)人：L·皮尔·德罗什蒙，
类型：发明
国别省市：美国,US
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