LTPS阵列基板及其制造方法、显示面板技术

本申请提供一种LTPS阵列基板及其制造方法、显示面板。该方法包括：在衬底基板上形成多晶硅图案；在多晶硅图案上依次形成绝缘层和栅极图案；在栅极图案上形成介电层；在介电层上依次沉积透明电极层和金属导电层，并通过一道光罩制程对透明电极层和金属导电层进行图案化处理以形成像素电极图案和源漏极图案。基于此，本申请能够减少LTPS工艺所使用的光罩制程。

【技术实现步骤摘要】
LTPS阵列基板及其制造方法、显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种LTPS(LowTemperaturePoly-silicon,低温多晶硅)阵列基板及其制造方法、显示面板。
技术介绍
采用LTPS工艺的液晶显示装置由于具有较高的电子迁移率，能够有效减小TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)的面积以提升像素的开口率，并且在增强显示亮度的同时能够降低功耗及生产成本，目前已成为液晶显示领域的研究热点。但是LTPS工艺复杂，制备阵列基板(Array基板)所需的光罩(Mask)的类型及数量较多，导致制造流程繁多，一般需要九道光罩制程，无法降低生产成本。因此如何减少LTPS工艺所使用的光罩制程，实为目前企业需要努力的目标。
技术实现思路
鉴于此，本申请实施例提供一种LTPS阵列基板及其制造方法、显示面板，能够减少LTPS工艺所使用的光罩制程。本申请一实施例的LTPS阵列基板的制造方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成多晶硅图案；在所述多晶硅图案上依次形成绝缘层和栅极图案；在所述栅极图案上形成介电层；在所述介电层上依次沉积透明电极层和金属导电层，并通过一道光罩制程对所述透明电极层和金属导电层进行图案化处理以形成像素电极图案和源漏极图案，所述源漏极图案位于像素电极图案上，且所述源漏极图案中仅漏极图案与像素电极图案电连接。本申请一实施例的LTPS阵列基板，包括：衬底基板；形成于所述衬底基板上的多晶硅图案；依次形成于所述多晶硅图案上的绝缘层和栅极图案；形成于所述栅极图案上的介电层；形成于所述介电层上的像素电极图案和源漏极图案，所述源漏极图案位于所述像素电极图案上，且所述源漏极图案中仅漏极图案与所述像素电极图案电连接。本申请一实施例的显示面板，包括上述LTPS阵列基板。有益效果：本申请通过一道光罩制程形成位于同一层的像素电极图案和源漏极图案，而无需像素电极图案和源漏极图案分别采用一道光罩制程，从而能够减少LTPS工艺所使用的光罩制程。附图说明图1是本申请的LTPS阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图；图2是基于图1所示方法制造LTPS阵列基板的场景示意图；图3是本申请形成像素电极图案和源漏极图案的场景示意图；图4是本申请一实施例的LTPS阵列基板的结构剖面示意图；图5是本申请一实施例的显示面板的结构示意图。具体实施方式下面结合本申请实施例中的附图，对本申请所提供的各个示例性的实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例以及实施例中的特征可以相互组合。并且，本申请全文所采用的方向性术语，例如“上”、“下”等，均是为了更好的描述各个实施例的技术方案，并非用于限制本申请的保护范围。图1是本申请的LTPS阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图，图2是基于图1所示方法制造LTPS阵列基板的场景示意图。结合图1和图2所示，所述制造方法可以包括如下步骤S11～S15。S11：提供一衬底基板。衬底基板20用于形成显示面板的LTPS阵列基板，所述衬底基板20可以为玻璃基体、塑料基体或可挠式基体。S12：在所述衬底基板上形成多晶硅图案。首先，在所述衬底基板20上依次形成缓冲层21和一整面多晶硅层，然后通过一道光罩制程Mask-1对所述一整面多晶硅层进行图案化处理，以此得到具有预定图案的多晶硅图案22。所述缓冲层21可以为氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiOx)层或者其他非导电材料的组合，缓冲层21可用于防止衬底基板20内的杂质在后续工艺中向上扩散而影响之后形成的多晶硅图案22的品质，氮化硅层和氧化硅层可以采用化学气相沉积、等离子化学气相沉积形成、溅射、真空蒸镀或低压化学气相沉积等方法形成，但不限于此。所述光罩制程Mask-1的原理及过程为：在所述一整面多晶硅层上涂布一整面光刻胶，然后采用光罩对所述一整面光刻胶进行曝光及显影处理，被曝光的光刻胶在显影时被灰化去除，而未被曝光的光刻胶在显影之后仍被保留于多晶硅层上，接着，刻蚀去除未被光刻胶覆盖的多晶硅层，最后去除剩余的光刻胶，即可得到多晶硅图案22。S13：在多晶硅图案上依次形成绝缘层和栅极图案。绝缘层23又称栅极绝缘层(GateInsulationLayer,GI层)，其材质可以为硅氧化物，或者所述栅极绝缘层23包括依次覆盖多晶硅图案22的硅氧化合物层和硅氮化合物层，例如SiO2(二氧化硅)层和Si3N4(三氮化硅)层，以提高耐磨损能力和绝缘性能。其中，本申请可采用CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积)、PECVD(PlasmaEnhancedChemicalvapordeposition，等离子化学气相沉积)、溅射、真空蒸镀等方法形成所述栅极绝缘层23。本申请可以首先在栅极绝缘层23上形成一整面金属导电层，所述一整面金属导电层可由金属，例如铝、钼、钛、铬、铜，或者金属氧化物，例如氧化钛，又或者金属的合金或其它导电材料构成，然后通过一道光罩制程Mask-2对所述一整面金属导电层进行图案化处理，以此得到具有预定图案的栅极图案24。所述光罩制程Mask-2与所述光罩制程Mask-1的原理及过程相似，此处不再赘述。所述光罩制程Mask-2可利用包含有磷酸、硝酸、醋酸及去离子水的蚀刻液对金属导电层进行蚀刻，当然也可以采用干法蚀刻。S14：在所述栅极图案上形成介电层。首先，在栅极图案24上依次形成一整面介电层(又称层间介质隔离层,Interlayerdielectricisolationlayer,ILD)和一整面透明电极层，然后通过一道光罩制程Mask-3对该一整面介电层进行图案化处理，以此得到具有所述接触孔251的介电层25。其中，所述接触孔251也贯穿所述透明电极层及栅极绝缘层23，并以此暴露多晶硅图案22的上表面。所述光罩制程Mask-3的原理及过程为：在一整面透明电极层上涂布一整面光刻胶，然后采用光罩对该一整面透明电极层进行曝光及显影处理，被曝光的光刻胶在显影时被灰化去除，而未被曝光的光刻胶在显影之后仍被保留，接着，刻蚀去除未被光刻胶覆盖的透明电极层，以及刻蚀去除未被光刻胶覆盖的介电层，最后去除剩余的光刻胶，即可得到具有接触孔251的介电层25。其中，介电层25可包括依次形成于栅极图案24上的硅氧化物层和硅氮化物层。S15：在所述介电层上依次沉积透明电极层和金属导电层，并通过一道光罩制程对透明电极层和金属导电层进行图案化处理以形成像素电极图案和源漏极图案，所述源漏极图案位于像素电极图案上，且所述源漏极图案中仅漏极图案与像素电极图案电连接。本步骤S15的光罩制程Mask-4可以为Half-tone(半色调)光罩制程，具体地，结合图2和图3所示，在步骤S14刻蚀后的透明电极层31上形成一金属导电层32，此时金属导电层32覆盖介电层25的接触孔251并与多晶硅图案22接触，接着在所述金属导电层32上形成一整面光刻胶33，然后采用Half-tone光罩对所述一整面光刻胶33进行曝光及显影处理，所述Half-tone光罩包括第一区域301、第二区域302和第三区域303，第一区域301为完全曝光区域，第二区域302为半曝光区域，第三区域303为未曝光区域。在显影处理之后，位于第一区域301下方的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成多晶硅图案；在所述多晶硅图案上依次形成绝缘层和栅极图案；在所述栅极图案上形成介电层；在所述介电层上依次沉积透明电极层和金属导电层，并通过一道光罩制程对所述透明电极层和金属导电层进行图案化处理以形成像素电极图案和源漏极图案，所述源漏极图案位于所述像素电极图案上，且所述源漏极图案中仅漏极图案与所述像素电极图案电连接。

【技术特征摘要】
1.一种LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成多晶硅图案；在所述多晶硅图案上依次形成绝缘层和栅极图案；在所述栅极图案上形成介电层；在所述介电层上依次沉积透明电极层和金属导电层，并通过一道光罩制程对所述透明电极层和金属导电层进行图案化处理以形成像素电极图案和源漏极图案，所述源漏极图案位于所述像素电极图案上，且所述源漏极图案中仅漏极图案与所述像素电极图案电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过一道光罩制程对所述透明电极层和金属导电层进行图案化处理以形成位于像素电极图案和源漏极图案这一步骤，包括：在所述金属导电层上形成一整面光刻胶；采用半色调光罩对所述光刻胶进行曝光及显影处理，所述半色调光罩包括第一区域、第二区域和第三区域，在显影处理之后，位于所述第一区域下方的光刻胶被去除，位于所述第二区域下方的光刻胶的厚度小于位于所述第三区域下方的光刻胶的厚度；刻蚀去除所述第一区域下方的透明电极层和金属导电层；灰化去除所述第二区域下方的光刻胶；刻蚀去除所述第二区域下方的金属电极层；灰化去除所述第三区域下方的光刻胶。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述通过一道光罩制程对所述透明电极层和金属导电层进行图案化处理以形成像素电极图案和源漏极图案这一步骤，还包括：通过所述光罩制程在所述介电层上形成信号走线。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述像素电极图案和源漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜源，刘广辉，宋德伟，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42