一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其中，所述阵列基板的第一柔性衬底包括可折叠区域，至少在所述可折叠区域中，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的漏极或栅极或有源层同层设置，减少了像素电极的距离第一柔性衬底的距离，即减少了像素电极距离中性面的距离，以及发光单元与像素电极的绑定位置距离中性面的距离；从而降低了在弯折过程中，发光单元与像素电极的绑定位置所受到的弯折应力，进而降低了在使用过程中发光单元与像素电极发生剥落的概率，增加了阵列基板的稳定性和耐久性。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本申请涉及显示设备
，更具体地说，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
随着显示技术的不断发展，柔性显示面板成为显示面板中备受关注的种类之一。有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板以其自发光、高对比度和可弯折的特性成为柔性显示面板的主流技术之一。但是OLED显示面板相较于传统的液晶(LiquidCrystalDisplay，LCD)显示面板而言，制备成本和制备难度较高。为了降低柔性显示面板的制备难度，Micro-LED显示面板应运而生，Micro-LED显示面板在具备可弯折特性的基础上，相较于OLED显示面板具有制备成本和制备难度较低的优点，并且其亮度更好、发光效率更好且功耗更低。但由于Micro-LED显示面板中的像素电极在弯折过程中所受到的应力较大，使得与像素电极绑定在一起的发光单元容易在弯折过程中由于较大的应力而发生剥落，从而导致Miciro-LED显示面板中出现像素坏点，对Micro-LED显示面板的显示效果产生不良影响。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：一种阵列基板，包括：第一柔性衬底，所述第一柔性衬底包括可折叠区域；位于所述第一柔性衬底表面交叉设置的多条栅极线和多条数据线；位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素，所述显示像素包括像素电路、与所述像素电路电连接的像素电极以及位于所述像素电极背离所述第一柔性衬底一侧的发光单元，所述发光单元与所述像素电极电连接；至少在所述可折叠区域，所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；或所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；或所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。一种显示面板，包括相对设置的阵列基板和对置基板，所述阵列基板为上述一项所述的阵列基板。一种阵列基板的制备方法，包括：提供第一柔性衬底，所述第一柔性衬底包括可折叠区域；在所述第一柔性衬底表面形成交叉设置的多条栅极线、多条数据线以及位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素，所述显示像素包括像素电路、与所述像素电路电连接的像素电极以及位于所述像素电极背离所述第一柔性衬底一侧的发光单元，所述发光单元与所述像素电极电连接；至少在所述可折叠区域，所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；或所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；或所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，其中，所述阵列基板的第一柔性衬底包括可折叠区域，至少在所述可折叠区域中，像素电极与像素电路的薄膜晶体管的漏极或栅极或有源层同层设置，减少了像素电极的距离第一柔性衬底的距离，即减少了像素电极距离中性面的距离，以及发光单元与像素电极的绑定位置距离中性面的距离；从而降低了在弯折过程中，发光单元与像素电极的绑定位置所受到的弯折应力，进而降低了在使用过程中发光单元与像素电极发生剥落的概率，增加了阵列基板的稳定性和耐久性。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图2为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图3为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图4为本申请的一个实施例提供的一种第一柔性衬底的俯视结构示意图；图5为本申请的一个可选一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图6为本申请的另一个可选实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图7为本申请的又一个可选实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图8为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图9为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图10为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；图11为本申请的一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；图12为本申请的一个实施例提供的一种彩膜基板的剖面结构示意图；图13为本申请的一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；图14为本申请的另一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；图15为本申请的又一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图；图16为本申请的再一个实施例提供的一种阵列基板的制备方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供了一种阵列基板，如图1、图2、图3和图4所示，图1、图2和图3分别为阵列基板的一种可行结构示意图，图4为第一柔性衬底及其表面结构的可行结构示意图，阵列基板包括：第一柔性衬底100，第一柔性衬底100包括可折叠区域FL；位于第一柔性衬底100表面交叉设置的多条栅极线120和多条数据线110；位于栅极线120与数据线110限定区域中的显示像素LA，显示像素LA包括像素电路、与像素电路电连接的像素电极400以及位于像素电极400背离第一柔性衬底100一侧的发光单元500，发光单元500与像素电极400电连接；至少在可折叠区域，参考图1，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的漏极270同层设置；或参考图2，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的栅极250同层设置；或参考图3，像素电极400与像素电路的薄膜晶体管T的有源层240同层设置。图4中还示出了与栅极线120电连接的第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路，以及与数据线110电连接的数据驱动电路。图4中示出的栅极驱动方式只用于举例说明，除了图4所示的交叉驱动的栅极驱动方式，还可以是单边驱动的栅极驱动方式、双边驱动的栅极驱动方式等其他驱动方式。另外，图4中还示出了一种可行的可折叠区域FL和非折叠区域UFL的设置位置，在后续装配完成后，可折叠区域FL处可以配合辅助弯折装置实现一定角度的弯折，而非折叠区域UFL不可弯折。理论上来说，阵列基板上的所有位置均可以为可弯折区域FL，在为其配置了可以任意位置弯折的辅助弯折装置后，第一柔性衬底100可以只包括可折叠区域FL而不包括非折叠区域UFL。通常情况下，阵列基板的衬底上通常设置有至少两层金属层，这两层金属层自第一柔性衬底100表面依次层叠排列，我们称之为第一金属层和第二金属层，其中第一金属层位于第二金属层与第一柔性衬底100之间，对于一些集成了触控功能的阵列基板而言，在第二金属层背离第一金属层一侧还设置有第三金属层。这三层金属层用于形成阵列基板上的走线或电极等导电结构。以液晶显示面板为例，像素电路的薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一柔性衬底，所述第一柔性衬底包括可折叠区域；位于所述第一柔性衬底表面交叉设置的多条栅极线和多条数据线；位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素，所述显示像素包括像素电路、与所述像素电路电连接的像素电极以及位于所述像素电极背离所述第一柔性衬底一侧的发光单元，所述发光单元与所述像素电极电连接；至少在所述可折叠区域，所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；或所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；或所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一柔性衬底，所述第一柔性衬底包括可折叠区域；位于所述第一柔性衬底表面交叉设置的多条栅极线和多条数据线；位于所述栅极线与所述数据线限定区域中的显示像素，所述显示像素包括像素电路、与所述像素电路电连接的像素电极以及位于所述像素电极背离所述第一柔性衬底一侧的发光单元，所述发光单元与所述像素电极电连接；至少在所述可折叠区域，所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的漏极同层设置；或所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的栅极同层设置；或所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述发光单元为垂直LED或水平LED。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括：第一子电极和第二子电极；所述第一子电极与所述第二子电极同层设置，所述第一子电极的一侧与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述第一子电极的另一侧与所述发光单元的阳极电连接；所述第二子电极与所述发光单元的阴极电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子电极为导电薄膜电极；所述第二子电极为金属电极。5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极包括：相对设置的第三子电极和第四子电极；所述第三子电极的一侧与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述第三子电极的另一侧与所述发光单元的阳极电连接；所述第四子电极设置于所述发光单元远离所述像素电路一侧，与所述发光单元的阴极电连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三子电极和第四子电极均为导电薄膜电极。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：位于所述第一柔性衬底一侧的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述第一柔性衬底一侧的有源层，以及覆盖所述有源层的栅绝缘层，所述有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；位于所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧的栅极，覆盖所述栅极的层间绝缘层；位于所述层间绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧的源极和漏极，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：位于所述第一柔性衬底一侧的栅极，以及覆盖所述栅极的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧的有源层，以及覆盖所述有源层的层间绝缘层，所述有源层包括沟道区以及分别位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；位于所述栅绝缘层背离所述第一柔性衬底一侧的源极和漏极，所述源极与所述源极区电连接，所述漏极与所述漏极区电连接。9.根据权利要求7或8所述的阵列基板，其特征在于，当所述像素电极与所述像素电路的薄膜晶体管的有源层同层设置时；所述像素电极为半导体电极，所述半导体电极的载流子浓度大于所述有源层的载流子浓度。10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：覆盖所述发光单元的平坦层。11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于第一柔性衬底一侧，将所述栅极线、数据线、显示像素和平坦层封装在一起的薄膜封装结构。12.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板和对置基板，所述阵列基板为权利要求1-11任一项所述的阵列基板。13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述对置基板为偏光片或彩膜基板。14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：第二柔性衬底，所述第二柔性衬底包括彩膜区和包围所述彩膜区的非显示区；位于所述彩膜区朝向所述第一柔性衬底一侧的黑矩阵层和彩色滤光层；位于所述彩膜区，且位于所述黑矩阵层和彩色滤光层朝向所述第一柔性衬底一侧的平坦结构。15.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供第一柔性衬底，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：符鞠建，刘刚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31