一种阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法。通过这种阵列基板，本发明专利技术相比于现有技术中，先通过形成与有源层的另一端接触的漏极图案层，再形成与漏极图案层接触的像素电极层，以实现像素电极层与有源层的另一端导通的情况，本实施例中直接形成与有源层的另一端接触的像素电极层，也即相当于将现有技术中的漏极图案层及像素电极层一次制备而成，避免了现有技术中漏极图案层与像素电极层之间接触而产生的接触电阻，提高导电性，且省去了为了增加漏极图案层与像素电极层的接触良好性而实行的退火工艺，简化了工艺步骤。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
在OLED显示面板中，像素电极层与漏极接触，漏极再与有源层接触，从而实现像素电极层与有源层的导通，但是像素电极层与漏极接触会存在接触电阻，从而降低像素电极层与漏极之间的导通性，且为了增加像素电极层与漏极之间的接触良好性，需要对像素电极层及漏极进行退火处理，工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术主要是提供一种阵列基板及其制备方法，旨在解决像素电极层与漏极之间的接触电阻降低导通性的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板及形成于所述衬底基板上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的有源层；覆盖所述有源层的介电层，所述介电层设有分别连通所述有源层的一端与另一端的第一过孔及第二过孔；形成于所述介电层上的源极图案层，所述源极图案层通过所述第一过孔与所述有源层的一端接触；覆盖所述源极图案层的平坦层，所述平坦层设有连通所述第二过孔的第三过孔；形成于所述平坦层上的像素电极层，所述像素电极层通过所述第二过孔及第三过孔与所述有源层的另一端接触。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：提供一衬底基板并在所述衬底基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层；形成覆盖所述有源层的介电层，所述介电层设有分别连通所述有源层的一端与另一端的第一过孔及第二过孔；在所述介电层上形成源极图案层，所述源极图案层通过所述第一过孔与所述有源层的一端接触；形成覆盖所述源极图案层的平坦层，所述平坦层设有连通所述第二过孔的第三过孔；在所述平坦层上形成像素电极层，所述像素电极层通过所述第二过孔及第三过孔与所述有源层的另一端接触。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供的阵列基板，使得形成在平坦层上的像素电极层通过第二过孔与第三过孔与有源层的另一端接触，相比于现有技术中，先通过形成与有源层的另一端接触的漏极图案层，再形成与漏极图案层接触的像素电极层，以实现像素电极层与有源层的另一端导通的情况，本实施例中直接形成与有源层的另一端接触的像素电极层，也即相当于将现有技术中的漏极图案层及像素电极层一次制备而成，避免了现有技术中漏极图案层与像素电极层之间接触而产生的接触电阻，提高导电性，且省去了为了增加漏极图案层与像素电极层的接触良好性而实行的退火工艺，简化了工艺步骤。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：图1是本专利技术提供的阵列基板第一实施例的结构示意图；图2是图1中缓冲层与衬底基板的另一层叠结构示意图；图3是图1中第一栅极图案层及第一栅极绝缘层的另一位置示意图；图4是图1中介电层的结构示意图；图5是图1中介电层的另一结构示意图；图6是图1中源极图案层的结构示意图；图7是图1中平坦层的结构示意图；图8是图1中像素电极层的结构示意图；图9是分子束外延的原理示意图；图10是本申请提供的阵列基板第二实施例的结构示意图；图11是本申请提供的阵列基板的制备方法实施例的流程示意图；图12是图11中步骤S16的具体流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参阅图1，图1是本专利技术提供的阵列基板10第一实施例的结构示意图，本实施例的阵列基板10包括衬底基板101、缓冲层102、有源层103、介电层104、源极图案层105、平坦层106及像素电极层107。其中，衬底基板101为柔性衬底基板，可选用聚酰亚胺材料制备而成。缓冲层102形成于衬底基板101上。具体的，可使用物理气相沉积法或等离子体气相沉积法在衬底基板101上沉积氧化硅或氮化硅以形成缓冲层102，也可以先在衬底基板101上沉积一层氮化硅和氧化硅中的一种，再沉积一层氮化硅和氧化硅中的另一种，以共同形成缓冲层102。参阅图2，图2是图1中缓冲层102与衬底基板101的另一层叠结构示意图，在该另一结构中，缓冲层102的数量可以为两层，两层缓冲层12依次层叠的形成于衬底基板101上。进一步参阅图1，有源层103形成于缓冲层102上。具体的，在缓冲层102上沉积半导体材料，以形成半导体材料层，并经过光阻涂布、曝光、显影及剥离的光刻工艺对半导体材料层进行图案化处理，然后对图案化的半导体材料层进行退火处理，可使用氢气等离子或氩气等离子的退火方式对半导体材料层进行退火处理，以使得图案化的半导体材料层的两端具有导体特性，而图案化的半导体材料层两端之间的部分依然保留半导体特性，退火处理完成后即形成有源层103，也即有源层103的一端1031与另一端1032具有导体特性，有源层103的一端1031与另一端1032之间的部分1033依然保留半导体特性。可选的，上述的半导体材料可为半导体氧化物，比如IGZO。介电层104覆盖有源层103。具体的，本实施例中的阵列基板10还包括第一栅极绝缘层108及第一栅极图案层109，第一栅极绝缘层108形成于缓冲层102上，且覆盖有源层103，第一栅极图案层109形成于第一栅极绝缘层108上，介电层104形成于第一栅极绝缘层108上且覆盖第一栅极图案层109。可以理解的，本实施例中的阵列基板10为顶栅型阵列基板，在其他实施例中，也可以为底栅型阵列基板，如图3所示，第一栅极图案层109形成于缓冲层102上，第一栅极绝缘层108形成于缓冲层102上且覆盖第一栅极图案层109，有源层103形成于第一绝缘层108上，介电层104形成于第一绝缘层108上且覆盖有源层103。参阅图4，图4是图1中介电层104的结构示意图，介电层104设有分别连通有源层103的一端1031与另一端1032的第一过孔1041及第二过孔1042。具体的，在形成介电层104后，通过光阻涂布、曝光、显影及蚀刻的光刻工艺，形成贯穿介电层104及第一栅极绝缘层108的第一过孔1041及第二过孔1042，以使得第一过孔1041及第二过孔1042连通有源层103的一端1031与另一端1032。参阅图5，图5是图1中介电层104的另一结构示意图，在该另一结构中，介电层104的数量为两层，两层介电层104依次层叠形成于第一栅极绝缘层108上，可以理解的，介电层104上的第一过孔1041及第二过孔1042同时贯穿两层介电层104。共同参阅图1及图4，源极图案层105形成于介电层104上，并通过第一过孔1041与有源层103的一端1031接触。具体的，通过化学气相沉积法或物理气相沉积法在介电层104上、第一过孔1041及第二过孔1042中沉积源极材料，并通过光阻涂布、曝光、显影、蚀刻及剥离的光刻工艺，形成源极图案层105，其中，在蚀刻的过程中，将第二过孔1042中的源极材料同时蚀刻掉，以使得有源层103的另一端10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板及形成于所述衬底基板上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的有源层；覆盖所述有源层的介电层，所述介电层设有分别连通所述有源层的一端与另一端的第一过孔及第二过孔；形成于所述介电层上的源极图案层，所述源极图案层通过所述第一过孔与所述有源层的一端接触；覆盖所述源极图案层的平坦层，所述平坦层设有连通所述第二过孔的第三过孔；形成于所述平坦层上的像素电极层，所述像素电极层通过所述第二过孔及第三过孔与所述有源层的另一端接触。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板及形成于所述衬底基板上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的有源层；覆盖所述有源层的介电层，所述介电层设有分别连通所述有源层的一端与另一端的第一过孔及第二过孔；形成于所述介电层上的源极图案层，所述源极图案层通过所述第一过孔与所述有源层的一端接触；覆盖所述源极图案层的平坦层，所述平坦层设有连通所述第二过孔的第三过孔；形成于所述平坦层上的像素电极层，所述像素电极层通过所述第二过孔及第三过孔与所述有源层的另一端接触。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极图案层包括在远离所述有源层的方向上依次层叠的第一半导体层及导体层，所述第一半导体层与所述有源层的一端接触。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层包括在远离所述有源层的方向上依次层叠的第二半导体层、反射层及透光层，所述第二半导体层与所述有源层的另一端接触。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层为掺杂半导体层，所述掺杂半导体层具有导体特性。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二半导体层为掺杂半导体层，所述掺杂半导体层具有导体特性。6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层为银反射层，所述透光层为ITO层。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟彬，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42