阵列基板及其制备方法和显示器件技术

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示器件。该阵列基板包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上并覆盖所述栅极；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；源漏极，形成于所述有源层上；钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极；其中，所述源漏极与所述钝化层之间设置有用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性的缓冲层，且所述缓冲层包覆在所述源漏极表面。本发明专利技术增设有缓冲层的阵列基板具有很好的平整度和均一性，能改善显示面板的显示过程中存在气泡，以及出现亮点或暗点的显示不均等现象。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法和显示器件
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法和显示器件。
技术介绍
随着显示科技的日渐进步，平板显示成为人们不可缺少的必备品之一。目前主流显示包括主动式液晶显示器(ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay，AMLCD)和主动式有机发光二极管显示器(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，AMOLED)，两种显示方式以各自优势相互并存。主动式液晶显示器包括主动阵列基板，彩色滤光片基板以及与位于两基板之间的液晶层所构成。主动式有机发光二极管显示器包括主动阵列基板和有机发光二极管层。两种显示方式均需要有稳定可靠的阵列基板。阵列基板包含一个或多个薄膜晶体管(Thin-filmTransistor，TFT)，随着人们对显示面板的分辨率以及显示品质的需求不断提升，所构成薄膜晶体管的导电层、绝缘层材料和制程方式相较于传统开始发生转变。如，从传统的Al/Mo开始转向Cu/Mo，Cu/Mo-Ti，ITO等，或氮化硅到氧化硅以及其它有机或无机绝缘材料。然而，随着材料的变化，导电层源漏极(Source/Drain)与钝化层(Passivation，PV)往往会产生粘附很差的情况，如此不仅降低成品良率，还会影响显示品质。如当Source/Drain为Cu导线，PV为氧化硅时，Source/Drain与氧化硅粘附力比较差，会出现气隆起，极大地降低了面板良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种阵列基板及其制备方法和显示器件，旨在解决现有薄膜晶体管组成的阵列基板中，源漏极与钝化层之间粘附性差的技术问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术一方面提供一种阵列基板，包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上并覆盖所述栅极；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；源漏极，形成于所述有源层上；钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极；其中，所述源漏极与所述钝化层之间设置有用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性的缓冲层，且所述缓冲层包覆在所述源漏极表面。本专利技术提供的阵列基板中，在源漏极与钝化层之间增设一层缓冲层，该缓冲层包覆在源漏极表面，且对源漏极和钝化层同时具有很好的粘附性，这样可以提高源漏极与钝化层之间的粘附性，与现有技术相比，本专利技术增设有缓冲层的阵列基板具有很好的平整度和均一性，能改善显示面板的显示过程中存在气泡，以及出现亮点或暗点的显示不均等现象。本专利技术另一方面提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上制备栅极；在所述栅极上制备栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制备有源层；在所述有源层上制备源漏极；在所述源漏极上制备缓冲层，在所述缓冲层上制备钝化层；其中，所述缓冲层包覆在所述源漏极表面，且所述缓冲层用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性。本专利技术提供的阵列基板的制备方法，直接在源漏极与钝化层之间增设一层用于提高源漏极与钝化层之间的粘附性的缓冲层，该缓冲层包覆在源漏极表面将源漏极完全包裹，该制备过程不需要增加额外的光罩费用支出，因此，工艺简单，且成本低，而且最终制得的阵列基板，具有很好的平整度和均一性，能够显著改善显示面板的显示过程中存在气泡，以及出现亮点或暗点的显示不均等现象。最后，本专利技术提供一种显示器件，所述显示器件包括本专利技术的上述阵列基板。本专利技术提供的显示器件中设置有本专利技术特有的阵列基板，而该阵列基板具有很好的平整度和均一性，能改善显示面板的显示过程中存在气泡，以及出现亮点或暗点的显示不均等现象，因此具有该阵列基板的显示器件具有很好的显示效果。附图说明图1为现有阵列基板的源漏极和钝化层之间粘附性差引起的异常效果图：图2为本专利技术实施例提供的阵列基板的源漏极和钝化层之间增加有缓冲层的结构图；其中，图中各附图标记为：1-基板；2-栅极；3-栅极绝缘层；4-有源层；5-源漏极；6-钝化层；7-缓冲层。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。一方面，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，其结构如图2所示，包括：基板1；栅极2，形成于所述基板1上；栅极绝缘层3，形成于所述基板1上并覆盖所述栅极2；有源层4，形成于所述栅极绝缘层3上；源漏极5，形成于所述有源层4上；钝化层6，所述钝化层覆盖所述源漏极5；其中，所述源漏极5与所述钝化层6之间设置有用于提高所述源漏极5与所述钝化层6之间的粘附性的缓冲层7，且所述缓冲层7包覆在所述源漏极5表面。图1为现有阵列基板的结构示意图，其中，源漏极5(如Cu)与钝化层6(如氧化硅)之间粘附性差，出现气隆起：而本专利技术实施例提供的阵列基板中(如图2所示)，在源漏极5与钝化层6之间增设一层缓冲层7，该缓冲层7包覆在源漏极5表面，且对源漏极5和钝化层6同时具有很好的粘附性，这样可以提高源漏极5与钝化层6之间的粘附性；因此，本专利技术实施例提供的增设有缓冲层7的阵列基板，具有很好的平整度和均一性，能改善显示面板的显示过程中存在气泡，以及出现亮点或暗点的显示不均等现象。进一步地，本专利技术实施例提供的阵列基板中，所述缓冲层7由导电材料、半导体材料或绝缘材料中的任意一种组成，即该缓冲层7可以为导电材料组成的导电层，或可以为半导体材料组成的半导体层，也可以为绝缘材料组成的绝缘层。优选地，所述缓冲层由导电材料组成，且所述导电材料为氧化铟锡(ITO)、含钼(Mo)合金或含钛(Ti)的合金。或者，所述缓冲层由半导体材料组成，且所述半导体材料为金属氧化物半导体材料，比如氧化锌，氧化锡，氧化铟，氧化钼等或者它们的混合物。或者，所述缓冲层由绝缘材料组成，且所述绝缘材料为有机绝缘材料或无机绝缘材料；其中，所述无机绝缘材料包括氮化硅、氮氧化硅和三氧化二铝中的至少一种(因要解决氧化硅材料组成的钝化层与铜材料组成的源漏极之间的粘附性不好的问题，此处缓冲层材料不包括氧化硅)；所述有机绝缘材料为树脂，树脂包括各种天然树脂和人工树脂，如酚醛树脂、脲醛树脂、苯胺甲醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂、甘油树脂、有机硅树脂、聚酯薄膜、不饱和聚酯树脂、环氧树脂等。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上并覆盖所述栅极；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；源漏极，形成于所述有源层上；钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极；其中，所述源漏极与所述钝化层之间设置有用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性的缓冲层，且所述缓冲层包覆在所述源漏极表面。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；栅极，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述基板上并覆盖所述栅极；有源层，形成于所述栅极绝缘层上；源漏极，形成于所述有源层上；钝化层，所述钝化层覆盖所述源漏极；其中，所述源漏极与所述钝化层之间设置有用于提高所述源漏极与所述钝化层之间的粘附性的缓冲层，且所述缓冲层包覆在所述源漏极表面。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由导电材料组成，且所述导电材料为氧化铟锡、含钼合金或含钛合金含。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由半导体材料组成，且所述半导体材料为金属氧化物半导体材料。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由绝缘材料组成，且所述绝缘材料为有机绝缘材料或无机绝缘材料。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述有机绝缘材料为树脂；和/或所述无机绝缘材料包...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄北洲，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44