阵列基板及其制备方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置。该阵列基板包括依次设置在基板上的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有垫高部。本发明专利技术中的阵列基板，能有效解决在阵列基板制备工艺中某一层图形在湿法刻蚀过程中，因存在刻蚀液和图形材料在一些封闭空间或两线形成的狭窄间隙内容易出现浸润不够彻底，影响最终的阵列基板的良率的问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法和显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置。
技术介绍
随着科学技术的不断进步，视觉资讯在人们的生活中的地位越来越重要，因而承载视觉资讯信息的平板显示器件也在人们生活中占据了越来越重要的地位。这些平板显示器件包括液晶显示器件(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)、有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)等。这些平板显示器件通常通过半导体工艺形成作为诱发光通断控制或发光与否的控制器件，并在控制器件上方形成诱发光通断控制或发光与否的光器件，从而完成图像显示。目前，控制器件通常为薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极、漏极以及必要的绝缘层；根据显示原理不同，光器件包括阳极(Anode)、像素电极的组合以及液晶盒等不同结构。在显示器件制备过程中，尤其是薄膜晶体管的阵列基板的制备过程中，当通过刻蚀工艺形成某一图形时，常因图形处于封闭空间或两线形成的狭窄间隙中而出现刻蚀不够彻底，出现材料残留而导致的不良。例如，如图1所示，使用ITO/Ag/ITO作为阳极的阵列基板中，由于刻蚀液和阳极表面在一些封闭空间内容易出现浸润不够彻底的情况，因此容易在刻蚀后出现阳极残留(Remain)的现象，从而出现不良，影响最终的阵列基板的良率。可见，如何解决阵列基板在制备过程中在刻蚀图形过程中出现材料残留的情况成为目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中上述不足，提供一种阵列基板、阵列基板的制备方法和显示装置，能有效解决阵列基板在制备过程中在刻蚀图形过程中出现材料残留的问题。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，包括依次设置在基板上的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有垫高部。优选的是，所述第二膜层包括可湿刻的材料。一种实施方式中，优选的是，所述第一膜层在对应着所述第二膜层保留区的区域还设置有保留部，所述保留部的高度小于所述垫高部的高度。优选的是，所述第一膜层为平坦层，所述第二膜层为阳极；或者，所述第一膜层为钝化层，所述第二膜层为像素电极；或者，所述第一膜层为绝缘层，所述第二膜层为公共电极。优选的是，所述第一膜层下方设置有导电图形，所述第一膜层开设有过孔，所述第二膜层和所述可湿刻的材料通过所述过孔连接。优选的是，所述垫高部的上表面相对于所述保留部的上表面的高度大1-3μm。另一种实施方式中，优选的是，仅在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有所述第一膜层。优选的是，所述垫高部的上表面相对于未设置所述垫高部的上表面的高度大于1-3μm。一种显示装置，包括上述的阵列基板。一种阵列基板的制备方法，包括采用构图工艺形成第一膜层和第二膜层的步骤，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域形成有垫高部。优选的是，所述第二膜层包括可湿刻的材料。优选的是，所述第一膜层在对应着所述第二膜层保留区的区域还形成有保留部，所述保留部的高度小于所述垫高部的高度。优选的是，所述第一膜层下方形成有导电图形，所述第一膜层开设有过孔，所述第二膜层和所述可湿刻的材料通过所述过孔连接。优选的是，所述第一膜层为平坦层，所述第二膜层为阳极。一种实施方式中，优选的是，形成所述第一膜层包括步骤：形成第一膜层材料层；采用半色调掩模板或灰色调掩模板对所述第一膜层材料层进行曝光和显影工艺，以形成第一膜层材料层完全去除区，第一膜层材料层部分保留区和第一膜层材料层完全保留区；其中所述第一膜层材料层完全去除区对应为所述过孔区域，所述第一膜层材料层完全保留区对应为所述垫高部，所述第一膜层材料层部分保留区对应为所述保留部。优选的是，仅在对应着所述第二膜层去除区的区域形成有所述第一膜层。另一种实施方式中，优选的是，形成所述第一膜层包括步骤：形成第一膜层材料层；采用掩模板对所述第一膜层材料层进行曝光，去除所述第一膜层材料层中对应着除所述垫高部以外的材料。本专利技术的有益效果是：本专利技术中的阵列基板及其相应的制备方法，能有效解决在阵列基板制备工艺中某一层图形在湿法刻蚀过程中，因存在刻蚀液和图形材料在一些封闭空间或两线形成的狭窄间隙内容易出现浸润不够彻底，影响最终的阵列基板的良率的问题。附图说明图1为现有技术中存在阳极残留不良的阵列基板的剖视图；图2为本专利技术实施例1中阵列基板的一种结构的局部示意图；图3为本专利技术实施例1中阵列基板的另一种结构的局部示意图；图4为本专利技术实施例2中形成阵列基板中制备一种第一膜层的流程剖视图；图5为本专利技术实施例2中形成第一膜层的掩模板的结构示意图；图6为本专利技术实施例2中形成阵列基板中制备第二膜层的流程剖视图；图7为本专利技术实施例2中阵列基板的剖视图；图8为本专利技术实施例2中形成阵列基板中制备另一种第一膜层的流程剖视图；附图标识中：1-基板；2-第一膜层；20-绝缘材料层；21-垫高部；3-第二膜层；31-第二膜层去除区；32-第二膜层保留区；33-可湿刻的材料；5-掩模板；51-完全去除区；52-部分保留区；53-完全保留区；6-层间绝缘层；7-隔离柱。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术阵列基板的制备方法、阵列基板以及平板显示装置作进一步详细描述。本专利技术中，光刻工艺，是指包括曝光、显影、刻蚀等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等进行刻蚀形成图形的工艺；构图工艺，包括光刻工艺，还包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺。实施例1：在平板显示装置中，作为控制器件的薄膜晶体管包括多种结构，根据栅极相对于有源层的位置关系，可以分为顶栅型结构和底栅型结构，不管顶栅型结构和底栅型结构，在制备工艺中均存在采用湿法刻蚀工艺形成图形的步骤；同时，不管是形成LCD显示器件还是OLED显示器件，在光器件中的阳极、像素电极等结构中，也存在采用湿法刻蚀工艺形成图形的步骤。湿法刻蚀即利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。如图2所示，该阵列基板包括依次设置在基板1上的第一膜层2和第二膜层3，第二膜层3划分为第二膜层去除区31和第二膜层保留区32，第一膜层2在对应着第二膜层去除区31的区域设置有垫高部21。通过垫高部21，能有效提升第二膜层3在未设置图形的第二膜层去除区31的高度，从而保证该区域刻蚀液对第二膜层3材料的浸润度，从而保证该区域的第二膜层3材料能被有效刻蚀去除，解决刻蚀残留的问题。其中，第二膜层保留区32设置有可湿刻的材料33，第一膜层2在对应着可湿刻的材料33的下方可以如图3所示不设置图形(即第一膜层2在对应着第二膜层保留区32的下方可不设置绝缘层，第一膜层2仅包括垫高部21)，也可以如图2所示设置有其他图形。在一些实施方式中，垫高部21采用透明的材料形成，以保证显示效果。在垫高部21采用透明的绝缘材料的一种实施方式中，如图2所示，第一膜层2在对应着第二膜层保留区32的区域还设置有保留部，保留部的高度小于垫高部21的高度，即保留本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次设置在基板上的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有垫高部。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括依次设置在基板上的第一膜层和第二膜层，所述第二膜层划分为第二膜层去除区和第二膜层保留区，所述第一膜层在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有垫高部。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层包括可湿刻的材料。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层在对应着所述第二膜层保留区的区域还设置有保留部，所述保留部的高度小于所述垫高部的高度。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层为平坦层，所述第二膜层为阳极；或者，所述第一膜层为钝化层，所述第二膜层为像素电极；或者，所述第一膜层为绝缘层，所述第二膜层为公共电极。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层下方设置有导电图形，所述第一膜层开设有过孔，所述第二膜层和所述可湿刻的材料通过所述过孔连接。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，仅在对应着所述第二膜层去除区的区域设置有所述第一膜层。7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述垫高部的上表面相对于所述保留部的上表面的高度大1-3μm。8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述垫高部的上表面相对于未设置所述垫高部的上表面的高度大1-3μm。9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括采用构图工艺形成第一膜层和第二膜层的步骤，所述第二膜层划分为第二膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，吕志军，刘文渠，董立文，张世政，党宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11