半导体结构及像素结构制造技术

一种半导体结构及像素结构，半导体结构位于一基板上，包括一金属线、一第一电极、一第一绝缘层、一第二绝缘层、一共用接触窗及一共用连接电极。第一电极位于金属线之上。第一绝缘层位于第一电极及金属线之上。第二绝缘层位于第一绝缘层上，其中于基板的一垂直方向上，第二绝缘层位于第一电极与金属线的交界处，且第二绝缘层与第一电极及金属线重叠。共用接触窗对应设置于第一电极、金属线及第二绝缘层上。共用连接电极位于共用接触窗中，其设置于第一电极、第二绝缘层及金属线之上，以通过共用接触窗电性连接第一电极及金属线。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及像素结构
本专利技术涉及一种半导体结构及像素结构，且特别涉及一种位于不同层的两导电层之间产生一连续不间断的导电路径的半导体结构及像素结构。
技术介绍
在半导体结构中，为了电性连接位于不同层的两导电层，通常是各自形成一接触窗于两导电层上，再以一导体填入此两个接触窗中以电性连接此两导电层。然而，在一些半导体结构中，在形成这种接触窗时，容易于两导电层之间造成底切(undercut)的现象，进而影响后续导体的覆盖效果。
技术实现思路
本专利技术涉及一种半导体结构及像素结构，可使位于不同层的两导电层之间产生一连续不间断的导电路径。根据本专利技术的一方面，提出一种像素结构。像素结构位于一基板上，包括一扫描线、一数据线、一金属线、一第一主动元件、一第二主动元件、一第三主动元件、一第一像素电极、一第二像素电极、一第一绝缘层、一第二绝缘层、一共用接触窗以及一共用连接电极。金属线电性连接至一共用电压。第一主动元件电性连接扫描线及数据线。第二主动元件电性连接扫描线。第三主动元件电性连接第二主动元件。第一像素电极电性连接第一主动元件。第二像素电极电性连接第二主动元件。第一绝缘层位于第三主动元件及金属线之上。第二绝缘层位于第一绝缘层上，其中于基板的一垂直方向上，第二绝缘层位于第三主动元件的一第一电极与金属线的一交界处，且第二绝缘层与第三主动元件的第一电极和金属线重叠。共用接触窗对应设置于第三主动元件的第一电极、金属线及第二绝缘层上。共用连接电极位于共用接触窗中，其中共用连接电极设置于第三主动元件的第一电极、第二绝缘层及金属线之上，以通过共用接触窗电性连接第三主动元件的第一电极及金属线。根据本专利技术的另一方面，提出一种半导体结构。半导体结构位于一基板上，包括一金属线、一第一电极、一第一绝缘层、一第二绝缘层、一共用接触窗以及一共用连接电极。第一电极位于金属线之上。第一绝缘层位于第一电极及金属线之上。第二绝缘层位于第一绝缘层上，其中于基板的一垂直方向上，第二绝缘层位于第一电极与金属线的一交界处，且第二绝缘层与第一电极及金属线重叠。共用接触窗对应设置于第一电极、金属线及第二绝缘层上。共用连接电极位于共用接触窗中，其中共用连接电极设置于第一电极、第二绝缘层及金属线之上，以通过共用接触窗电性连接第一电极及金属线。附图说明为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合说明书附图详细说明如下：图1示出根据本公开一实施例的半导体结构的俯视图。图2A是根据图1的切线2-2’的剖面视角，示出根据本公开一实施例的半导体结构的剖视图。图2B是根据图1的切线2-2’的剖面视角，示出根据本公开另一实施例的半导体结构的剖视图。图3示出根据本公开又一实施例的半导体结构的俯视图。图4示出根据本公开再一实施例的半导体结构的俯视图。图5是根据图4的切线5-5’的剖面视角，示出根据本公开再一实施例的半导体结构的剖视图。图6示出根据本公开一实施例的阵列基板的俯视图。图7A示出根据本公开一实施例的像素结构的俯视图。图7B示出图7A中一区域的放大图。图8是根据图7B的切线8-8’的剖面视角，示出根据本公开一实施例的像素结构的剖视图。附图标记说明：2：阵列基板10、10’、20、30、40：半导体结构100、200：基板110、212、213：金属线120、D3：第一电极130：绝缘层131、231：第一绝缘层132、232：第二绝缘层140、240：共用接触窗150、253：共用连接电极160、260：半导体层210：第一金属层211：扫描线220：第二金属层221：数据线230：栅极绝缘层250：第三金属层251：第一像素电极252：第二像素电极B：边界P：像素结构R：区域C1：第一接触窗C2：第二接触窗CH1：第一通道层CH2：第二通道层CH3：第三闸通道层D1：第一漏极G1：第一栅极S1：第一源极T1：第一主动元件D2：第二漏极G2：第二栅极S2：第二源极T2：第二主动元件G3：第三栅极S3：第二电极T3：第三主动元件IS：交界处具体实施方式以下提出各种实施例进行详细说明，本专利技术并非显示出所有可能的实施例，未于本专利技术提出的其它实施方式也可以应用。再者，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本专利技术保护范围之用。此外，实施例中的附图省略部分元件，以清楚显示本专利技术的技术特点。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件或步骤做说明。图1示出根据本公开一实施例的半导体结构10的俯视图，图2A是以图1中沿切线2-2’的剖面视角，示出根据本公开一实施例的半导体结构10的剖视图。请同时参照图1及图2A，半导体结构10位于一基板100上。半导体结构10包括一金属线110、一第一电极120、一绝缘层130。第一电极120形成于金属线110之上。金属线110及第一电极120可经由绝缘层130而电性隔绝。半导体结构10还包括一第一绝缘层131及一第二绝缘层132。第一绝缘层131位于第一电极120及金属线110之上。进一步地说，第一绝缘层131可覆盖于第一电极120及绝缘层130上方。第二绝缘层132位于第一绝缘层131上。并且，于基板100的一垂直方向Z(即Z轴方向)上，第二绝缘层132还位于第一电极120与金属线110的一交界处IS，且第二绝缘层132与第一电极120及金属线110重叠。亦即，于垂直方向Z(即Z轴方向)上，第二绝缘层132位于第一电极120与金属线110的垂直投影的一交界处IS，使得第二绝缘层132与第一电极120及金属线110重叠。半导体结构10还包括一共用接触窗140及一共用连接电极150。共用接触窗140对应设置于第一电极120、金属线110及第二绝缘层132上。在此，于基板100的垂直方向Z(即Z轴方向)上，第二绝缘层132应至少形成于共用接触窗140内的第一电极120与金属线110的所有交界处IS。共用连接电极150位于共用接触窗140中，其中共用连接电极150设置于第一电极120、第二绝缘层132及金属线110之上，以通过共用接触窗140电性连接第一电极120及金属线110。换言之，位于共用接触窗140中的共用连接电极150还形成于第二绝缘层132上，以跨接于第一电极120及金属线110之间，从而在第一电极120与金属线110之间产生一连续不间断的导电路径。在一实施例中，于基板100的垂直方向Z上，位于共用接触窗140中的第二绝缘层132与第一绝缘层131可具有一平滑渐增的边界B延伸至金属线110。同时，位于第一电极120和第一绝缘层131下方的绝缘层130亦顺着此边界B。因此，共用连接电极150可沿着此边界B连续地延伸至金属线110，从而在第一电极120与金属线110之间产生一连续不间断的导电路径。在一实施例中，共用接触窗140可通过蚀刻的方式形成。当蚀刻步骤完成后，于基板100的垂直方向Z上，可见第一电极120、第二绝缘层132及金属线110露出于共用接触窗140中。特别地，通过使第二绝缘层132设置于第一电极120与金属线110于基板100的垂直方向Z上的交界处IS，在蚀刻过程中，可避免第一绝缘层131及绝缘层130因过度蚀刻(例如是进一步往负X轴的方向的侧蚀)而造成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，位于一基板上，包括：一扫描线、一数据线及一金属线，该金属线电性连接至一共用电压；一第一主动元件，电性连接该扫描线及该数据线；一第二主动元件，电性连接该扫描线；一第三主动元件，电性连接该第二主动元件；一第一像素电极，电性连接该第一主动元件；一第二像素电极，电性连接该第二主动元件；一第一绝缘层，位于该第三主动元件及该金属线之上；一第二绝缘层，位于该第一绝缘层上，其中于该基板的一垂直方向上，该第二绝缘层位于该第三主动元件的一第一电极与该金属线的一交界处，且该第二绝缘层与该第三主动元件的该第一电极和该金属线重叠；一共用接触窗，对应设置于该第三主动元件的该第一电极、该金属线及该第二绝缘层上；以及一共用连接电极，位于该共用接触窗中，其中该共用连接电极设置于该第三主动元件的该第一电极、该第二绝缘层及该金属线之上，以通过该共用接触窗电性连接该第三主动元件的该第一电极及该金属线。

【技术特征摘要】
2018.05.02 TW 1071149481.一种像素结构，位于一基板上，包括：一扫描线、一数据线及一金属线，该金属线电性连接至一共用电压；一第一主动元件，电性连接该扫描线及该数据线；一第二主动元件，电性连接该扫描线；一第三主动元件，电性连接该第二主动元件；一第一像素电极，电性连接该第一主动元件；一第二像素电极，电性连接该第二主动元件；一第一绝缘层，位于该第三主动元件及该金属线之上；一第二绝缘层，位于该第一绝缘层上，其中于该基板的一垂直方向上，该第二绝缘层位于该第三主动元件的一第一电极与该金属线的一交界处，且该第二绝缘层与该第三主动元件的该第一电极和该金属线重叠；一共用接触窗，对应设置于该第三主动元件的该第一电极、该金属线及该第二绝缘层上；以及一共用连接电极，位于该共用接触窗中，其中该共用连接电极设置于该第三主动元件的该第一电极、该第二绝缘层及该金属线之上，以通过该共用接触窗电性连接该第三主动元件的该第一电极及该金属线。2.如权利要求1所述的像素结构，其中于该基板的该垂直方向上，位于该共用接触窗中的该第二绝缘层与该第一绝缘层具有一平滑渐增的边界延伸至该金属线。3.如权利要求1所述的像素结构，其中该第二主动元件电性连接该数据线，且该第三主动元件电性连接该扫描线与该金属线。4.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡佳修，谢宗佑，杨智钧，曾胜煊，余宙桓，廖达文，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71