【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
近年来，随着液晶显示技术的不断发展，液晶显示(LCD，LiquidCrystalDisplay)装置特别是彩色液晶显示器的应用领域也在不断拓宽。由于液晶显示装置在显示运动图像方面的优越性和高对比度，已经被广泛应用于电视或监视器。总体上，液晶显示装置利用液晶分子的光学各异性和偏振特性来产生图像。液晶显示装置通常包括相对设置的第一基板和第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层，液晶层中的液晶分子通过电场重新取向。因此，液晶分子的取向根据电场方向改变且液晶面板的透光率也变化，由此实现图像的显示功能。有机电致发光器件(OLED，OrganicLight-EmittingDiode)也已经成为海内外非常热门的平板显示器产业，被喻为下一代的“明星”平板显示技术，这主要是因为OLED具有功耗低、自发光、反应时间快、发光效率高、面板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式面板、制程简单、低成本等特点。有机电致发光器件包括多个有机发光结构，有机发...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，设置有显示区和非显示区，所述显示区包括开口区和非开口区，所述阵列基板包括：衬底基板；第一缓冲层，覆盖在所述衬底基板的第一表面；第一隔离层，设置在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面；第二缓冲层，覆盖在所述第一隔离层远离所述衬底基板的表面；位于所述非开口区的像素驱动电路，所述像素驱动电路设置在所述第二缓冲层远离所述衬底基板的一侧，并包括挖孔区；其中，所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述挖孔区交叠，所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述开口区不交叠。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，设置有显示区和非显示区，所述显示区包括开口区和非开口区，所述阵列基板包括：衬底基板；第一缓冲层，覆盖在所述衬底基板的第一表面；第一隔离层，设置在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面；第二缓冲层，覆盖在所述第一隔离层远离所述衬底基板的表面；位于所述非开口区的像素驱动电路，所述像素驱动电路设置在所述第二缓冲层远离所述衬底基板的一侧，并包括挖孔区；其中，所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述挖孔区交叠，所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述开口区不交叠。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：色阻层，设置在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面并位于所述开口区；以及，平坦化层，覆盖在所述色阻层和所述像素驱动电路远离所述衬底基板的表面。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素驱动电路包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的源漏极金属层与所述色阻层之间的高度差为h，h≤0.6μm。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层的厚度为D2，1.5μm≤D2≤3μm。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离层为氧化铟锡。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为D1，7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二缓冲层的厚度为D2，8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缓冲层、所述第一隔离层和所述第二缓冲层的总厚度为D0，其中，9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板设置有显示区和非显示区，所述显示区包括开口区和非开口区，所述制备方法包括：提供衬底基板；制作第一缓冲层，使所述第一缓冲层覆盖在所述衬底基板的第一表面；制作第一隔离层，使所述第一隔离层覆盖在所述第一缓冲层远离所述衬底基板的表面；制作第二缓冲层，使所述第二缓冲层覆盖在所述第一隔离层远离所述衬底基板的表面；在所述第二缓冲层远离所述衬底基板的一侧制作像素驱动电路，采用分步刻蚀的方式形成所述开口区和所述挖孔区，所述所述挖孔区位于所述非开口区，使所述第一隔离层和所述第二缓冲层在所述衬底基板上的正投影均与所述挖孔区交叠，并使...
【专利技术属性】
技术研发人员：贝亮亮，郑丽华，陈国照，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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