【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置
本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板以及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)被广泛应用于显示
然而，在TFT中会出现掺杂导致的晶体受损区域。该受损区域往往会导致热载流子应力，例如，当电子从源极区域到漏极区域加速时，其可能会穿透栅极绝缘层或金属氧化物半导体(MOS)界面。此外，热载流子应力可能会降低电子迁移率，还可能会增大截止电流。这都会对TFT带来不利影响。已经提出了采用老化(Aging)工艺来减少TFT中的漏电流。然而，Aging工艺会带来新的不利影响，例如，会导致灼伤、新增亮点、异常显示等。另外一种已知方案是采用轻掺杂漏极区(LDD)来减少TFT中的漏电流。然而，现有技术中的LDD方案工艺复杂并且设计难度大。
技术实现思路
现有技术中解决TFT漏电流的方案都有缺陷，本专利技术提出了更好的解决方案。本专利技术的一个目的在于提供一种阵列基板。本专利技术的第一方面提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括：设置在衬底上的有源层，所述有源层包括沟道区、设置在所述沟道区两侧的源/漏极...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括：设置在衬底上的有源层，所述有源层包括沟道区、设置在所述沟道区两侧的源/漏极区域以及设置在所述沟道区与所述源/漏极区域之间的轻掺杂漏极区；设置在所述有源层上的栅极电极和第一电极；设置在所述栅极电极和所述第一电极上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上的阻挡部和第二电极，其中，所述第二电极在所述衬底上的投影与所述第一电极在所述衬底上的投影至少部分重叠，所述阻挡部在所述衬底上的投影覆盖所述轻掺杂漏极区在所述衬底上的投影，所述阻挡部在所述衬底上的投影与所述源/漏极区域在所述衬底上的投影不交叠,并且其中，所述阻挡部和所述第二电极的材料相同。
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：设置在衬底上的有源层，所述有源层包括沟道区、设置在所述沟道区两侧的源/漏极区域以及设置在所述沟道区与所述源/漏极区域之间的轻掺杂漏极区；设置在所述有源层上的栅极电极和第一电极；设置在所述栅极电极和所述第一电极上的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层上的阻挡部和第二电极，其中，所述第二电极在所述衬底上的投影与所述第一电极在所述衬底上的投影至少部分重叠，所述阻挡部在所述衬底上的投影覆盖所述轻掺杂漏极区在所述衬底上的投影，所述阻挡部在所述衬底上的投影与所述源/漏极区域在所述衬底上的投影不交叠,并且其中，所述阻挡部和所述第二电极的材料相同。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述阻挡部具有开口，所述开口在所述衬底上的投影与所述栅极电极在所述衬底上的投影至少部分重叠。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述轻掺杂漏极区的宽度的范围为0.5um～1um。4.根据权利要求1-3中任一项所述的阵列基板，所述阵列基板进一步包括：设置在所述有源层和所述栅极电极之间的第二绝缘层；穿过所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔；设置在所述第一绝缘层上的源/漏极电极，所述源/漏极电极经由所述过孔与所述源/漏极区域接触。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述源/漏极区域的掺杂浓度大于所述轻掺杂漏极区的掺杂浓度，并且其中，所述源/漏极区域的掺杂浓度范围为4.5×1015～6×1015离子/cm3，所述轻掺杂漏极区的掺杂浓度范围为5×1012～4.5×1015离子/cm3。6.一种显示面板，包括根据权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。7.一种显示装置，包括根据权利要求6所述的显示面板。8.一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底上形成有源层；在所述有源层上形成栅极电极和第一电极；在所述栅极电极和所述第一电极上形成第一绝缘层；在所述绝缘层上形成阻挡材料层；通过一次构图工艺对所述阻挡材料层进行处理以形成阻挡部和第二电极，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：李子华，刘静，刘祺，马群，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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