阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置，包括：提供一基板；图案化形成第一栅极金属和第二栅极金属；形成栅极绝缘层；图案化有源层和欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；图案化第一透明导电层形成像素电极和保护层；形成第二金属层；图案化第二金属层形成第一源极金属、第一漏极金属、第二源极金属和第二漏极金属；图案化第二欧姆接触层，暴露出第二有源层；图案化第二绝缘层形成第一过孔和第一镂空部；图案化第二透明导电层至少形成公共电极、和连接端，同时图案化保护层。压力传感器和开关组件可以同时使用非晶硅工艺制造，压力传感器中保留第一欧姆接触层。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
目前，带有触控功能的显示面板作为一种信息输入工具被广泛应用于各种电子设备，例如，公共场所大厅的信息查询机，用户在日常生活工作中使用的电脑、手机等。为了更好的满足用户需求，通常在触控显示屏中设置有用于检测用户在触摸触控显示屏过程中触控压力的压力传感器，一般压力传感器外挂于普通触控屏中。而更为轻薄的产品所采用的内嵌式压力传感技术是将压力传感器集成在触控面板内部，一般由低温多晶硅(LTPS)工艺实现，在非晶硅(a-Si)工艺上尚未实施。主要原因是LTPS可通过激光退火、离子注入等工艺，形成合适阻值的电阻，组成桥式电路压力传感器嵌入面板边框区；而低温多晶硅(LTPS)工艺制作工艺较为繁琐。阵列基板中一般包括多个薄膜晶体管，为了减少显示面板的制作成本，薄膜晶体管和压力传感器采用非晶硅工艺同时制作。现有的非晶硅工艺过程中存在沟道刻蚀工艺，将薄膜晶体管中欧姆接触层未与源漏极重叠的部分刻蚀掉，欧姆接触层可降低压力传感器中电阻，如果压力传感器中欧姆接触层未与源漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层形成第一栅极金属和第二栅极金属；在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧形成有源层和欧姆接触层；图案化所述有源层和所述欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，在第一方向上，所述第一栅极金属、所述第一有源层和所述第一欧姆接触层依次堆叠，所述第二栅极金属、所述第二有源层和所述第二欧姆接触层依次堆叠，所述第一方向为垂直于所述基板的方向；在所述欧姆接触层远离所述基板的一侧形成第一透明导电层；图案化所述第一透明导电层形成像素电...

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上形成第一金属层，图案化所述第一金属层形成第一栅极金属和第二栅极金属；在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧形成有源层和欧姆接触层；图案化所述有源层和所述欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，在第一方向上，所述第一栅极金属、所述第一有源层和所述第一欧姆接触层依次堆叠，所述第二栅极金属、所述第二有源层和所述第二欧姆接触层依次堆叠，所述第一方向为垂直于所述基板的方向；在所述欧姆接触层远离所述基板的一侧形成第一透明导电层；图案化所述第一透明导电层形成像素电极和保护层，所述保护层位于所述第一欧姆接触层远离所述基板的一侧；在所述第一透明导电层远离所述基板的一侧形成第二金属层；图案化所述第二金属层形成第一源极金属、第一漏极金属、第二源极金属和第二漏极金属，在平行于所述基板的方向上，所述保护层位于所述第一源极金属和所述第一漏极金属之间，且所述第二欧姆接触层位于所述第二源极金属和所述第二漏极金属之间，所述像素电极和所述第二源极金属或所述第二漏极金属电连接；图案化所述第二欧姆接触层，暴露出所述第二有源层；在所述第二金属层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层；图案化所述第二绝缘层形成第一过孔和第一镂空部，所述第一过孔暴露出所述第一源极金属和所述第一漏极金属，所述第一镂空部暴露出所述第一透明导电层；在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成第二透明导电层，所述第二透明导电层通过所述第一过孔和所述第一源极金属和所述第一漏极金属电连接；图案化所述第二透明导电层至少形成公共电极、和与所述第一源极金属和所述第一漏极金属电连接的连接端，同时图案化所述保护层；所述第一栅极金属、所述第一有源层、所述第一欧姆接触层、所述第一源极金属和所述第一漏极金属形成压力传感器的至少部分结构，所述第二栅极金属、所述第二有源层、所述第二源极金属和所述第二漏极金属形成开关组件的至少部分结构。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，图案化所述有源层和所述欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，包括：通过高阶光罩在所述欧姆接触层远离所述基板的一侧形成光阻，在所述第一方向上，所述光阻和所述第一栅极金属、所述第二栅极金属至少部分重叠；图案化所述有源层和所述欧姆接触层，形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；灰化剥离所述光阻。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光阻包括第一光阻和第二光阻，在所述第一方向上，所述第一光阻和所述第一栅极金属至少部分重叠，所述第二光阻和所述第二栅极金属至少部分重叠，所述第一光阻沿所述第一方向上的长度为d1，所述第二光阻沿所述第一方向上的长度为d2，其中，d1＞d2＞0；灰化剥离所述光阻，包括：完全灰化剥离所述第二光阻，部分灰化剥离所述第一光阻；图案化所述第二欧姆接触层，使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭莉，李小虎，王听海，姜炜，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31