A semiconductor element includes a half conductor structure, the semiconductor structure includes a P-type semiconductor layer and a N-type semiconductor layer, and defines a first surface and a second surface opposite the first surface; a carbon nanotube, which is arranged on the first surface of the semiconductor structure; and a conductive film through which the conductive film passes. The method of deposition is formed on the second surface of the semiconductor structure, so that the semiconductor structure is arranged between the carbon nanotubes and the conductive film, and the carbon nanotubes, the semiconductor structure and the conductive film overlap each other to form a multi-layer three-dimensional structure.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件
本专利技术涉及一种半导体器件。
技术介绍
近年来,范德华异质结是最近两年的新兴研究领域。范德华异质结通过将具有不同性质(电学以及光学等)的二维材料堆到一起,可以实现对组合而成的“新”材料的性质进行人工调控;由于层间弱的范德华作用力,相邻的层间不再受晶格必须相匹配的限制;并且,由于没有成分过渡,所形成的异质结具有原子级陡峭的载流子(势场)梯度;由于以过渡金属双硫族化物为代表的非石墨烯二维层状材料通常可以形成二类能带关系,因此以它们为基础搭建的异质结具有非常强的载流子分离能力;此外,由于超薄的厚度以及特殊的二维结构,使其具有强的栅极响应能力,以及与传统微电子加工工艺和柔性基底相兼容的特性。
技术实现思路
本专利技术提供了新型的含有范德华异质结的半导体器件。一种半导体元件,其包括一半导体结构,所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层,并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面;一碳纳米管,该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面;一导电膜,该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面,使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间,碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。一半导体器件,该半导体器件包括一第一电极、一第二电极、一第三电极及一半导体元件;该半导体元件与该第一电极和第二电极电连接,该第三电极通过一绝缘层与该半导体元件、第一电极及第二电极绝缘设置;所述半导体元件包括:一半导体结构,所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层,并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面;一碳纳米管,该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面;一导电 ...
【技术保护点】
1.一种半导体器件,其包括:一第一电极、一第二电极、一第三电极及一半导体元件;该半导体元件与该第一电极和第二电极电连接,该第三电极通过一绝缘层与该半导体元件、第一电极及第二电极绝缘设置;所述半导体元件包括:一半导体结构,所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层,并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面;一碳纳米管,该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面;一导电膜,该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面,使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间,碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构;其中,所述第一电极与碳纳米管电连接,所述第二电极与导电膜电连接。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其包括:一第一电极、一第二电极、一第三电极及一半导体元件;该半导体元件与该第一电极和第二电极电连接,该第三电极通过一绝缘层与该半导体元件、第一电极及第二电极绝缘设置;所述半导体元件包括:一半导体结构,所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层,并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面;一碳纳米管,该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面;一导电膜,该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体层的第二表面,使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间,碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构;其中,所述第一电极与碳纳米管电连接,所述第二电极与导电膜电连接。2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述碳纳米管为金属型碳纳米管。3.如权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述碳纳米管为单壁碳纳...
【专利技术属性】
技术研发人员:张金,魏洋,姜开利,范守善,
申请(专利权)人:清华大学,鸿富锦精密工业深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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