【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体加工制造，尤其涉及一种薄膜结构转印方法。
技术介绍
1、在半导体微纳米器件的制造中，单晶硅纳米薄膜结构因其优秀的电学和光学性能而备受重视。这些单晶硅纳米薄膜结构在微电子、光电子、能源和其他多个领域有着广泛的应用。然而，将制备好的单晶硅纳米薄膜结构从生长衬底转印到目标基底，特别是在保持其内在性能和结构完整性的同时，一直是一个技术挑战。尤其是在大规模转移转印单晶硅纳米薄膜阵列结构时，相关技术中转印技术通常涉及复杂、多步骤的过程，往往具有转印成功率低、成本高和复杂度高的特点。如何提供一种创新的转印方法，以克服相关技术的局限性和挑战，实现单晶硅纳米薄膜结构的高效、大规模、高成功率转印，是亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开提出了一种薄膜结构转印方法。
2、根据本公开的一方面，提供了一种薄膜结构转印方法，所述方法包括：
3、在临时衬底的承载有至少一个薄膜结构的第一面旋涂第一光刻胶，所述第一光刻胶覆盖各所述薄膜结构且暴露出所述临时衬底的至少一...
【技术保护点】
1.一种薄膜结构转印方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各所述薄膜结构为单晶硅纳米薄膜结构，所述至少一个薄膜结构在所述临时衬底上呈阵列排布；各所述薄膜结构的周围至少设置有对应的一个锚固区域且该锚固区域靠近对应的薄膜结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锚固区域的形状、尺寸、与对应的薄膜结构之间的距离是根据对应的薄膜结构的锚固需要设置的，所述薄膜结构的锚固需要是根据薄膜结构的尺寸和形状设置的。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将处于所述硅衬底层上的各薄膜结构转印至目标弹
【技术特征摘要】
1.一种薄膜结构转印方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，各所述薄膜结构为单晶硅纳米薄膜结构，所述至少一个薄膜结构在所述临时衬底上呈阵列排布；各所述薄膜结构的周围至少设置有对应的一个锚固区域且该锚固区域靠近对应的薄膜结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锚固区域的形状、尺寸、与对应的薄膜结构之间的距离是根据对应的薄膜结构的锚固需要设置的，所述薄膜结构的锚固需要是根据薄膜结构的尺寸和形状设置的。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将处于所述硅衬底层上的各薄膜结构转印至目标弹性基底上，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶为湿法胶，所述第二光刻胶为干...
【专利技术属性】
技术研发人员：张一慧，王月皎，帅雨萌，兰宇，柏韧恒，薛兆国，赵建中，白柯，吕增耀，赖禹辰，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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