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本公开涉及一种薄膜结构转印方法。方法包括：在临时衬底的承载有至少一个薄膜结构的第一面旋涂第一光刻胶，第一光刻胶覆盖各薄膜结构且暴露出临时衬底的至少一个锚固区域，临时衬底包括硅衬底层、处于硅衬底层与薄膜结构之间的二氧化硅层；去除临时衬底上处于...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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