【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片封装，涉及一种芯片的封装结构及其制作方法。
技术介绍
1、随着科技的进步，智能电子产品已逐渐走进人们的生活，智能电子产品中芯片是决定产品性能的决定性因素。芯片在生产完成后，需要进行芯片封装。
2、目前随着电子产品向便携式、小型化方向发展，芯片封装尺寸也逐步小型化，贴装元件封装间距向更细间距发展，芯片封装中通常包含多个芯片，芯片与芯片之间需要进行数据传输。
3、随着新能源汽车向着高功率密度和高可靠性的方向发展，功率模块无论从电气性能还是封装要求等方面都开始往更高的“极致”出发，为了满足这方面的需求，碳化硅功率模块越来越受到欢迎，而在封装方面，低杂散电感，先进的互连技术，优异性能的封装材料和高散热性能也成为行业发展趋势。
4、现有技术中，实现芯片封装中芯片与芯片之间的数据传输需要采用金属线连接，实现芯片与外部电路数据传输需要采用引线框架连接，这种实现方式载流能力有限，电阻大，杂散电感大，产品损耗高。此外，随着芯片处理数据不断加大，这种工艺制作出的芯片封装也存在散热差的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的是解决上述问题，提供一种封装简单、散热性能好、产品损耗低的一种芯片的封装结构及其制作方法。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种芯片的封装结构，包括
3、绝缘基板，所述绝缘基板上表面布设有第一导电层，所述绝缘基板下表面布设有第一散热层；
4、芯片，所述芯片贴设于所述绝缘基板
5、导电件层，所述导电件层包括至少一个导电件，所述导电件用于连接所述第一导电层和所述芯片；
6、封装壳体，所述绝缘基板、所述芯片和所述导电层均封装于所述封装壳体内，所述导电件的端部凸出于所述封装壳体。
7、作为本专利技术的进一步改进，所述封装结构还包括设于所述导电件层上的再布线层和设有通孔的介电层，所述再布线层穿过所述通孔布设于所述介电层，所述介电层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内，所述再布线层部分凸出于所述封装壳体。
8、作为本专利技术的进一步改进，所述封装结构还包括设于所述第一散热层下端的第一散热片层。
9、作为本专利技术的进一步改进，所述封装结构还包括设于所述再布线层上用于盛纳pcb板的盛纳层，所述盛纳层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内。
10、作为本专利技术的进一步改进，所述芯片的封装结构还包括设于所述再布线层上的第二散热片层，所述第二散热片层与所述再布线层之间设有第二导电层，所述第二导电层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内。
11、作为本专利技术的进一步改进，所述第二导电层上设有输出端子，所述输出端子凸出于所述封装壳体。
12、本专利技术还提供了一种芯片封装的制作方法，包括以下步骤：
13、在绝缘基板上表面布设第一导电层，在所述绝缘基板下表面布设第一散热层；
14、将芯片贴设在所述绝缘基板上，使所述芯片与所述第一导电层形成电气连接；
15、在所述芯片与所述第一导电层上设置导电件层，所述导电件层内的导电件焊接所述第一导电层与所述功率芯片，使所述第一导电层与所述功率芯片形成电气连接；
16、在所述绝缘基板、所述功率芯片和所述导电件层上设置封装壳体，所述绝缘基板、所述芯片和导电件层均封装于所述封装壳体内，所述导电件的端部凸出于所述封装壳体。
17、作为本专利技术的进一步改进，还包括：
18、在介电层激光打孔形成通孔，在所述介电层表面和所述通孔内金属化形成再布线层，所述再布线层与所述导电件层焊接，所述介电层内设于所述再布线层，所述介电层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内，所述再布线层部分凸出于所述封装壳体；
19、在所述第一散热层上设置第一散热片层。
20、作为本专利技术的进一步改进，还包括：
21、在所述再布线层上设置用于盛纳pcb板的盛纳层，使所述盛纳层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内。
22、作为本专利技术的进一步改进，还包括：
23、在所述再布线层上设置第二散热片层，在所述第二散热片层与所述再布线层之间设置第二导电层，使所述第二导电层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内；
24、在所述第二导电层上设置输出端子，使所述输出端子凸出于所述封装壳体。
25、本申请的技术效果是：与现有技术相比，本专利技术提供的一种芯片的封装结构及其制作方法，通过设置导电件层，使用导电件代替金属线连接第一导电层和芯片，载流能力更强，降低线材产生的杂感，同时导电件凸出封装壳体部分作为散热面，实现双面散热功能，提高产品的电热性能，另外，相较于现有技术中的金属导线连接和引线框架连接，电路可以直接从芯片封装结构产品的顶部输出，而不是侧边输出，有效利用了空间，缩小了产品的体积，降低了制造成本。
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1.一种芯片的封装结构，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的一种芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述导电件层上的再布线层和设有通孔的介电层，所述再布线层穿过所述通孔布设于所述介电层，所述介电层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内，所述再布线层部分凸出于所述封装壳体。
3.根据权利要求2所述的一种芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述第一散热层下端的第一散热片层。
4.根据权利要求3所述的一种芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述再布线层上用于盛纳PCB板的盛纳层，所述盛纳层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内。
5.根据权利要求3所述的一种芯片的封装结构，其特征在于，所述芯片的封装结构还包括设于所述再布线层上的第二散热片层，所述第二散热片层与所述再布线层之间设有第二导电层，所述第二导电层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内。
6.根据权利要求5所述的一种芯片的封装结构，其特征在于，所述第二导电层上设有输出端子，所述输出端子凸出于所述封装壳体。
7.一种芯
8.根据权利要求7所述的一种芯片封装的制作方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的一种芯片封装的制作方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求8所述的一种芯片封装的制作方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种芯片的封装结构，其特征在于，包括
2.根据权利要求1所述的一种芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述导电件层上的再布线层和设有通孔的介电层，所述再布线层穿过所述通孔布设于所述介电层，所述介电层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内，所述再布线层部分凸出于所述封装壳体。
3.根据权利要求2所述的一种芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述第一散热层下端的第一散热片层。
4.根据权利要求3所述的一种芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括设于所述再布线层上用于盛纳pcb板的盛纳层，所述盛纳层和所述再布线层均封装于所述封装壳体内。
5.根据权利要求3所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙炎权，蒋卫娟，喻双柏，
申请(专利权)人：基本半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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