一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法技术

一种聚对苯二甲酸乙二酯衬底异质结构及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。所述异质结构是在苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。本发明专利技术以苯二甲酸乙二酯材料衬底基片，采用SnO2作为缓冲层，VO2/SnO2异质结构结合，采用AZO作为透明导电电极，最后蒸镀耐腐蚀的TiN材料，可以制备出高质量廉价的器件；同时，该制备工艺简单，可实现规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法
本专利技术属于可逆半导体到金属(SMT)一级转变涂层的制造
，特别是涉及一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件及其制备方法。
技术介绍
二氧化钒(VO2)在341K的临界温度(Tc)下发生温度驱动的可逆半导体到金属(SMT)一级转变，并伴随着晶体对称性的改变。在低于Tc的温度下，VO2处于单斜晶相(P21/c)的半导体态，其中V原子对的能量间隙为0.6eV。在高于Tc的温度下，VO2处于四方晶系(P42/mnm)金属态，其中在费米能级和V3d带之间的重叠消除了上述带隙。这种晶体对称性和电子带结构的跃迁通常伴随着其电阻率和近红外传输的突然变化。因此，VO2长期以来被认为是智能材料中的关键材料，凭借这些独特的性能，VO2薄膜已被广泛研究。众所周知，衬底的选择对所生长的薄膜的电学和光学性质有重要的影响。然而，由于其价格问题的存在以及柔性器件的研制问题，很难在柔性PET基片上制备出高品质廉价的VO2薄膜材料质结构。所以在柔性PET上制备出高质量廉价的VO2材料是丞待解决的问题。
技术实现思路
针对上述存在的技术问题，本专利技术提供一种聚苯二甲本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：从下到上依次包括聚苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。

【技术特征摘要】
2018.02.09 CN 20181013349911.一种聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：从下到上依次包括聚苯二甲酸乙二酯衬底层、第一导电层、SnO2材料层、VO2材料层、第二导电层、抗腐蚀保护层。2.根据权利要求1所述聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：所述第一导电层和第二导电层均为AZO透明导电薄膜。3.根据权利要求1所述的聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：所述抗腐蚀保护层为TiN抗腐蚀保护层。4.根据权利要求1所述的聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件，其特征在于：所述聚苯二甲酸乙二酯衬底层的厚度为0.4～1.2mm。5.一种如权利要求1所述聚苯二甲酸乙二酯衬底异质结构器件的制备方法，其特征在于：在聚苯二甲酸乙二酯衬底层上依次制备第一AZO透明导电薄膜、SnO2材料层、VO2材料层、第二AZO透明导电薄膜及抗腐蚀保护层。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：在所述苯二甲酸乙二酯衬底层上制备第一AZO透明导电层：将苯二甲酸乙二酯基片采用离子水超声波清洗10分钟后，吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10-3Pa真空的条件下，在其苯二甲酸乙二酯基片上沉积制备AZO透明导电薄膜电极；其工艺参数条件是：氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昱材，张东，赵琰，王健，宋世巍，王刚，丁艳波，王晗，刘莉莹，
申请(专利权)人：沈阳工程学院，
类型：发明
国别省市：辽宁,21