一种多晶沫回收利用方法技术

本发明专利技术涉及光伏行业原材料加工处理领域，具体涉及一种多晶沫回收利用方法，依次将破碎产生的1mm以下的多晶沫进行磁铁吸附‑盐酸浸泡‑高磁吸附后，按照特定的方法填充入待拉晶的棒料中。采用本发明专利技术的方法可以有效实现1mm以下多晶沫的回收利用，提高了原料的利用率，减少了资源浪费。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶沫回收利用方法
本专利技术涉及光伏行业原材料加工处理领域，尤其涉及一种多晶沫回收利用方法。
技术介绍
随着单晶硅应用的快速稳定发展，其需求量也逐渐加大，采用多晶硅进行拉晶是生产单晶硅的重要工艺。拉晶车间一埚多棒工艺的推广，对多晶硅小块料的需求越来越多，生产企业都在想办法提高爆料量和效率，来满足不断提升的投料量要求。随着破碎机的兴起，机械加工代替了人工破碎，但是机械破碎产生的1mm以下多晶沫较多，大多数生产企业针对破碎时产生的1mm以下多晶沫，无法实现再利用，造成了极大的原料浪费。
技术实现思路
针对现有多晶沫无法回收利用等问题，本专利技术提供一种多晶沫回收利用方法，可有效实现破碎产生的1mm以下多晶沫的再利用，减少资源浪费。为达到上述专利技术目的，本专利技术采用了如下的技术方案：一种多晶沫回收利用方法，所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫，该方法包括如下步骤：(1)将所述多晶沫用磁铁进行吸附；(2)将磁铁吸附后的多晶沫用盐酸浸泡24～36h，然后用去离子水冲洗至中性，烘干；(3)烘干后的多晶沫再用不低于12000高斯的磁力棒进行吸附，得到回收料；(4)将待拉晶的多晶棒料中间钻孔，将所述回收料填入孔中，用多晶块料封口即可。优选地，步骤(1)中所述磁铁为钕铁硼磁铁，磁力约3500高斯。进一步优选地，步骤(1)中用磁铁进行吸附的方法为：将多晶沫平铺，厚度1～2mm，磁铁外面包裹PVC膜，在多晶沫表面以0.5～1m/s的速度移动进行吸附，吸附次数3～4次。优选地，步骤(2)中所述盐酸的浓度为5～8wt％，用量为5～10ml/g多晶沫，浸泡过程中每3～4h搅拌5～10min。优选地，步骤(2)中烘干的温度为60～80℃。优选地，步骤(3)中，磁力棒的数量为5～7根，直径为22～32mm，磁力棒之间的间隙为5～10mm，多晶沫倒在磁力棒之间，倾倒的速度为0.3～0.5kg/s，重复吸附2～3次。优选地，步骤(4)中，所述多晶棒料中间钻孔后，孔壁厚28～30mm，用于封口的多晶块料的厚度不小于10mm。进一步优选地，填充的回收料的质量为多晶棒料原质量的20～40％。本专利技术方法中，先对破碎产生的多晶沫进行特定步骤的处理，将多晶沫中的杂质去除完全，再将其填充到待拉晶的棒料中，可以显著降低多晶沫对成晶和单晶参数的影响，填充时采用特定的方式进行填充，进一步降低多晶沫的影响，基本可以达到和不填充多晶沫的棒料相同的拉晶效果。采用本专利技术的方法可以有效实现1mm以下多晶沫的回收利用，提高了原料的利用率，减少了资源浪费。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例1一种多晶沫回收利用方法，所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫，该方法包括如下步骤：(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附，具体吸附方法为：将多晶沫均匀的平铺，厚度2mm，磁铁外面包裹PVC膜，直接接触到多晶沫以1m/秒的速度进行吸附，吸附4遍；(2)将磁铁吸附后的多晶沫用5％的盐酸浸泡24h，盐酸用量为5ml/g多晶沫，浸泡过程中每4h搅拌10min。然后用去离子水冲洗至中性，60℃烘干；(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附，具体为：将5根磁力棒固定在支架上，磁力棒之间间隙在10mm，将多晶沫均匀倒入磁力棒之间，速度为0.3kg/s，重复倒入2遍，得到回收料；(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径160mm的块料，在棒料上形成用于填充多晶沫的孔，孔壁厚为28mm，将所述回收料填入孔中，填充量为棒料质量的21％，用切割下来的多晶块料封口即可，封口块料厚度12mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。实施例2一种多晶沫回收利用方法，所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫，该方法包括如下步骤：(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附，具体吸附方法为：将多晶沫均匀的平铺，厚度1mm，磁铁外面包裹PVC膜，直接接触到多晶沫以0.5m/秒的速度进行吸附，吸附3遍；(2)将磁铁吸附后的多晶沫用8％的盐酸浸泡24h，盐酸用量为10ml/g多晶沫，浸泡过程中每4h搅拌10min。然后用去离子水冲洗至中性，60℃烘干；(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附，具体为：将7根磁力棒固定在支架上，磁力棒之间间隙为5mm，将多晶沫均匀倒入磁力棒之间，速度为0.5kg/s，重复倒入3遍，得到回收料；(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径156mm的块料，在棒料上形成用于填充多晶沫的孔，孔壁厚为30mm，将所述回收料填入孔中，填充量为棒料质量的21％，用切割下来的多晶块料封口即可，封口块料厚度10mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。实施例3一种多晶沫回收利用方法，所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫，该方法包括如下步骤：(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附，具体吸附方法为：将多晶沫均匀的平铺，厚度2mm，磁铁外面包裹PVC膜，直接接触到多晶沫以0.5m/秒的速度进行吸附，吸附3遍；(2)将磁铁吸附后的多晶沫用5％的盐酸浸泡36h，盐酸用量为8ml/g多晶沫，浸泡过程中每3h搅拌5min。然后用去离子水冲洗至中性，80℃烘干；(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附，具体为：将5根磁力棒固定在支架上，磁力棒之间间隙为10mm，将多晶沫均匀倒入磁力棒之间，速度为0.5kg/s，重复倒入3遍，得到回收料；(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径160mm的块料，在棒料上形成用于填充多晶沫的孔，孔壁厚为28mm，将所述回收料填入孔中，填充量为棒料质量的40％，用切割下来的多晶块料封口即可，封口块料厚度10mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。将实施例1～3的棒料进行拉晶，单晶参数和未填充的棒料无显著差异。对比例1将实施例1中步骤(2)和步骤(1)的顺序颠倒，其他与实施例1相同，拉晶后碳含量较实施例1提高0.5％。对比例2将实施例1中步骤(4)中的壁厚调整为26mm，填充量调整为15％，拉晶后碳含量较实施例1提高0.3％。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术，凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶沫回收利用方法，所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫，其特征在于包括如下步骤：(1)将所述多晶沫用磁铁进行吸附；(2)将磁铁吸附后的多晶沫用盐酸浸泡24～36h，然后用去离子水冲洗至中性，烘干；(3)烘干后的多晶沫再用磁力不低于12000高斯的磁力棒进行吸附，得到回收料；(4)将待拉晶的多晶棒料中间钻孔，将所述回收料填入孔中，用多晶块料封口即可。

【技术特征摘要】
1.一种多晶沫回收利用方法，所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫，其特征在于包括如下步骤：(1)将所述多晶沫用磁铁进行吸附；(2)将磁铁吸附后的多晶沫用盐酸浸泡24～36h，然后用去离子水冲洗至中性，烘干；(3)烘干后的多晶沫再用磁力不低于12000高斯的磁力棒进行吸附，得到回收料；(4)将待拉晶的多晶棒料中间钻孔，将所述回收料填入孔中，用多晶块料封口即可。2.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法，其特征在于：步骤(1)中所述磁铁为钕铁硼磁铁。3.如权利要求2所述的多晶沫回收利用方法，其特征在于：步骤(1)中用磁铁进行吸附的方法为：将多晶沫平铺，厚度1～2mm，磁铁外面包裹PVC膜，在多晶沫表面以0.5～1m/s的速度移动进行吸附，吸附次数3～4次。4.如权利要求1所述的多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：王会敏，张浩强，刘彬，赵萌萌，
申请(专利权)人：邢台晶龙电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：河北,13