制造基板结构的方法技术

一种制造基板结构的方法包括：提供在第一表面上包括第一器件区域的第一基板；提供在第二表面上包括第二器件区域的第二基板，使得第一器件区域的宽度大于第二器件区域的宽度；以及接合第一基板和第二基板，使得第一器件区域和第二器件区域彼此面对并且彼此电连接。

Method for manufacturing substrate structure

A method for manufacturing a substrate structure includes: providing a first substrate including a first device region on a first surface; providing a second substrate including a second device region on a second surface so that the width of the first device region is larger than the width of the second device region; and bonding the first substrate and the second substrate so that the first substrate is made. The device area and the second device area face each other and are electrically connected to each other.

【技术实现步骤摘要】
制造基板结构的方法
本公开涉及制造基板结构的方法，更具体地，涉及层叠多个基板的方法。
技术介绍
许多晶片会包括由晶片减薄工艺导致的斜面边缘。当由半导体器件制造工艺所产生的机械应力和热应力施加到晶片时，斜面会导致不均匀的应力被添加到晶片的边缘。结果，会引起晶片裂纹和分层。因此，需要通过晶片边缘修剪工艺去除斜面边缘。
技术实现思路
根据本公开的一示例性实施方式，一种制造基板结构的方法包括：提供第一基板，第一基板包括彼此面对的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的第一器件区域；提供第二基板，第二基板包括彼此面对的第三表面和第四表面以及形成在第三表面上的第二器件区域；接合第一基板和第二基板以电连接第一器件区域和第二器件区域；以及在接合第一基板和第二基板之后减小第二基板的厚度，其中在第一基板与其厚度被减小的第二基板接合的状态下，第一器件区域的宽度大于第二器件区域的宽度。根据本公开的另一示例性实施方式，一种制造基板结构的方法包括：提供包括形成在第一表面上的第一器件区域的第一基板；提供包括形成在第二表面上的第二器件区域的第二基板，其中第二器件区域的宽度小于第一器件区域的宽度；直接接合第一基板的第一表面和第二基板的第二表面，使得第一器件区域和第二器件区域彼此面对；以及减小与第一基板接合的第二基板的厚度以形成第一基板结构。根据本公开的另一示例性实施方式，一种制造基板结构的方法包括：提供在第一表面上包括第一器件区域的第一基板；提供在第二表面上包括第二器件区域的第二基板，使得第一器件区域的宽度大于第二器件区域的宽度；以及接合第一基板和第二基板，使得第一器件区域和第二器件区域彼此面对并且彼此电连接。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域普通技术人员将变得明显，附图中：图1-8、9A、9B和10-12示出根据一些实施方式的制造基板结构的方法中的阶段的中间视图；图13示出根据一些实施方式的制造基板结构的方法中的中间视图；图14和15示出根据一些实施方式的制造基板结构的方法中的中间视图；图16至18示出根据一些实施方式的制造基板结构的方法中的中间视图；以及图19示出使用根据一些实施方式的制造基板结构的方法所制造的半导体封装的示例性视图。具体实施方式在下文中，将参照附图描述本公开的优选实施方式。图1-8、9A、9B和10-12是用于示出根据本公开的一些实施方式的制造基板结构的方法的中间视图。供参照，图2是图1中的区域P的放大图，图7是图6中的区域Q的放大图。参照图1和2，包括第一器件区域105的第一基板100可以被提供。第一基板100可以包括彼此面对的第一表面100a和第二表面100b。第一基板100可以包括第一基础基板101和形成在第一基础基板101上的第一器件区域105。第一器件区域105可以在第一基板100的第一表面100a上例如直接形成。就是说，第一基板100的第一表面100a可以由第一器件区域105限定。第一器件区域105可以在第一基础基板101的第一表面101a上形成。第一基础基板101的面对第一基础基板101的第一表面101a的第二表面可以是第一基板100的第二表面100b。虽然图1中显示第一器件区域105不被形成在第一基础基板101的斜面边缘处，但这仅是为了说明的方便，并且不限于此。第一基板100可以包括可通过切割工艺而为逻辑芯片或存储芯片的多个管芯区域。当第一基板100包括将为逻辑芯片的管芯区域时，第一基板100中包括的第一器件区域105可以鉴于将执行的操作而以各种各样的方式被设计。当第一基板100包括将为存储芯片的管芯区域时，第一基板100中包括的第一器件区域105可以包括用于非易失性存储器或易失性存储器的器件图案。例如，当存储芯片为易失性存储芯片时，存储芯片可以包括动态随机存取存储器(DRAM)。当存储芯片为非易失性存储芯片时，存储芯片可以是闪速存储芯片，例如，NAND闪速存储芯片和NOR闪速存储芯片中的任何一个。然而，根据本公开的技术思想的存储器件的类型不限于此。在一些实施方式中，闪速存储芯片可以包括相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)和电阻随机存取存储器(RRAM)中的任何一个。例如，第一基础基板101可以是体硅板或绝缘体上硅(SOI)。在另一示例中，第一基础基板101可以是硅板，并且可以是包含例如硅锗、绝缘体上硅锗(SGOI)、铟锑化物、铅碲化合物、铟砷化物、铟磷化物、镓砷化物或镓锑化物的另外的材料的板。然而，本公开不限于此。例如，参照图2，第一器件区域105可以包括电路图案106和第一布线结构109。虽然附图中显示电路图案106形成在第一基础基板101上，但本公开不限于此。电路图案106也可以形成在第一基础基板101中。第一布线结构109可以在电路图案106上形成。第一布线结构109包括第一层间绝缘膜108和形成在第一层间绝缘膜108中的第一布线107。第一布线107可以与电路图案106电连接。在另一示例中，形成在第一基础基板101的第一表面101a上的第一器件区域105的一部分可以不包括电路图案106和/或第一布线107。例如，与第一基础基板101的一个表面101a的斜面边缘相邻形成的第一器件区域可以不包括电路图案106和/或第一布线107。参照图3，包括初始器件区域205p的初始基板200p可以被提供。初始基板200p可以包括彼此面对的第一表面200a和第二表面200b。初始基板200p可以包括初始基础基板201p和形成在初始基础基板201p上的初始器件区域205p。初始器件区域205p可以在初始基板200p的第一表面200a上形成。就是说，初始基板200p的第一表面200a可以由初始器件区域205p限定。初始器件区域205p可以在初始基础基板201p的第一表面201a上形成。初始基础基板201p的面对初始基础基板201p的第一表面201a的第二表面可以是初始基板200p的第二表面200b。虽然图3中显示初始器件区域205p不被形成在初始基础基板201p的斜面边缘处，但这仅是为了说明的方便，并且不限于此。初始基板200p可以包括可通过切割工艺而为逻辑芯片或存储芯片的多个管芯区域。如同第一器件区域105，初始器件区域205p也可以包括电路图案和布线结构。参照图4，第二基板200可以通过修剪初始基础基板201p的一部分和初始器件区域205p的一部分而形成。通过修剪，初始基础基板201p的边缘的一部分可以在初始基础基板201p的厚度方向上被去除。此外，通过修剪，形成在初始基础基板201p的边缘处的初始器件区域205p可以被去除。因此，第二器件区域205可以在第二基础基板201上形成。例如，初始基础基板201p的一部分和初始器件区域205p的一部分可以被机械地修剪。就是说，初始基础基板201p的一部分和初始器件区域205p的一部分可以被机械地去除。机械修剪可以使用刀片50被执行。通过修剪，从第二基础基板201的第一表面201a朝第二基板200的第二表面200b凹入的台阶可以被形成。例如，如图4中所示，对初始基础基板201p和初始器件区域205p的修剪可以被执行，使得第二器件区域205的侧边缘可以与第二基础基板201的侧边缘齐平，例如共平面，以限定台阶结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造基板结构的方法，所述方法包括：提供第一基板，所述第一基板包括彼此面对的第一表面和第二表面以及形成在所述第一表面上的第一器件区域；提供第二基板，所述第二基板包括彼此面对的第三表面和第四表面以及形成在所述第三表面上的第二器件区域；接合所述第一基板和所述第二基板以电连接所述第一器件区域和所述第二器件区域；以及在接合所述第一基板和所述第二基板之后减小所述第二基板的厚度，其中在所述第一基板与其厚度被减小的所述第二基板接合的状态下，所述第一器件区域的宽度大于所述第二器件区域的宽度。

【技术特征摘要】
2017.02.03 KR 10-2017-00154121.一种制造基板结构的方法，所述方法包括：提供第一基板，所述第一基板包括彼此面对的第一表面和第二表面以及形成在所述第一表面上的第一器件区域；提供第二基板，所述第二基板包括彼此面对的第三表面和第四表面以及形成在所述第三表面上的第二器件区域；接合所述第一基板和所述第二基板以电连接所述第一器件区域和所述第二器件区域；以及在接合所述第一基板和所述第二基板之后减小所述第二基板的厚度，其中在所述第一基板与其厚度被减小的所述第二基板接合的状态下，所述第一器件区域的宽度大于所述第二器件区域的宽度。2.如权利要求1所述的方法，其中接合所述第一基板和所述第二基板包括直接接合所述第一基板和所述第二基板。3.如权利要求2所述的方法，其中直接接合所述第一基板和所述第二基板包括：设置所述第一基板和所述第二基板，使得所述第一基板的所述第一表面面对所述第二基板的所述第三表面；以及接合所述第一器件区域和所述第二器件区域。4.如权利要求2所述的方法，其中直接接合所述第一基板和所述第二基板包括：设置所述第一基板和所述第二基板，使得所述第一基板的所述第二表面面对所述第二基板的所述第三表面；以及将所述第二器件区域接合到所述第一基板的所述第二表面。5.如权利要求1所述的方法，其中提供所述第一基板包括：在第一基础基板的第一表面上形成第一初始器件区域；以及修剪所述第一基础基板的一部分和所述第一初始器件区域的一部分。6.如权利要求5所述的方法，其中提供所述第二基板包括：在第二基础基板的第一表面上形成第二初始器件区域；以及修剪所述第二基础基板的一部分和所述第二初始器件区域的一部分。7.如权利要求1所述的方法，还包括：提供第三基板，所述第三基板包括彼此面对的第五表面和第六表面以及形成在所述第五表面上的第三器件区域；以及将所述第三基板接合到所述第二基板以电连接所述第二器件区域和所述第三器件区域，其中所述第二器件区域的宽度大于所述第三器件区域的宽度。8.如权利要求1所述的方法，其中：所述第一器件区域和所述第二器件区域电连接到形成在所述第二基板的所述第三表面上的导电连接物，以及接合所述第一基板和所述第二基板包括在所述第一基板的所述第一表面与所述第二基板的所述第三表面之间形成密封绝缘膜以围绕所述导电连接物的周边。9.如权利要求1所述的方法，其中所述第二基板包括穿透电极，并且所述穿透电极在减小所述第二基板的所述厚度期间被暴露。10.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜泌圭，金石镐，金兑泳，文光辰，李镐珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR