陶瓷CSP封装基板结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种陶瓷CSP封装基板结构，包括第一线路层、中间层及第二线路层；所述第一线路层包括第一基板，所述第一基板上设有若干第一通孔；所述中间层包括第二基板，所述第二基板上设有若干第二通孔；所述第二线路层包括第三基板、设置于所述第三基板上的信号盘及屏蔽片；所述第三基板上设有若干第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔呈错位设置。上述陶瓷CSP封装基板结构，第一通孔、第二通孔与第三通孔呈错位设置，可防止焊接漏锡，保证焊接的气密性和稳定性；信号盘采用三极性设置，能适用于差分信号传输与非差分信号传输，并在信号盘的周围设置大片的屏蔽片，增强抗干扰能力，确保信号传输的稳定性。

Structure of ceramic CSP package substrate

The utility model relates to a ceramic CSP package substrate structure, including a first line layer, an intermediate layer and a two line layer; the first line layer includes a first substrate, the first substrate is provided with a number of first pass holes, the middle layer includes a second base plate, and the second substrate is provided with a number of second through holes; the second base plate is provided with a number of second through holes. The line layer includes a third base plate, a signal plate and a shield set on the third substrate; the third substrate is provided with a number of third holes, and the third holes are misplaced with the second through holes. The above ceramic CSP package substrate structure, the first through hole, the second hole and the third through holes are misplaced, which can prevent the welding leakage and ensure the gas tightness and stability of the welding. The signal plate adopts the triode setting, can be applied to the differential signal transmission and the non differential signal transmission, and sets large blockbusters around the signal disc. It will enhance the anti-interference ability and ensure the stability of signal transmission.

【技术实现步骤摘要】
陶瓷CSP封装基板结构
本技术涉及电子器件封装制造
，特别是涉及一种陶瓷CSP封装基板结构。
技术介绍
声表面波器件是一种利用声表面波对电信号进行模拟处理的器件。随着技术的发展，对声表面波器件的要求也越来越高，不仅要求性能可靠，而且对于声表面波器件的体积也要求更加小型化，因此，声表面波器件的封装也从开始的金属封装，到SMD封装，发展到现在的CSP封装(ChipScalePackage，芯片级封装)，大大拓宽了其应用领域。目前国内使用的CSP封装基板在强调小型化设计时，忽略了封装基板的气密性问题，在声表面波器件的元器件焊接于CSP封装基板上时易出现虚焊假焊现象，降低产品良率。
技术实现思路
基于此，本技术提供一种陶瓷CSP封装基板结构，结构设计合理，保证焊接的气密性和稳定性，确保信号传输的稳定性。为了实现本技术的目的，本技术采用如下技术方案：一种陶瓷CSP封装基板结构，用于封装声表面波器件，其特征在于，所述陶瓷CSP封装基板结构包括第一线路层、贴设所述第一线路层的中间层、及贴设于所述中间层远离所述第一线路层的一面的第二线路层，所述第二线路层用于连接所述声表面波器件的芯片；所述第一线路层包括第一基板，所述第一基板上设有若干第一通孔；所述中间层包括第二基板，所述第二基板上设有若干第二通孔，各所述第二通孔分别对应且连通各所述第一通孔；所述第二线路层包括与所述第二基板相对应的第三基板、设置于所述第三基板远离所述中间层的一面上的若干信号盘、及围设所述信号盘的屏蔽片；所述屏蔽片用于连接所述芯片的接地信号位；所述第三基板上设有若干第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔呈错位设置；所述信号盘采用三极性设置，包括一个输入信号盘及两个输出信号盘；当选择非差分信号输出时，所述输入信号盘用于连接外接输入信号，一所述输出信号盘用于连接所述芯片的输出信号位，另一所述输出信号盘用于连接所述芯片的接地信号位；当选择差分信号输出时，所述输入信号盘用于连接所述外接输入信号，二所述输出信号盘均用于连接所述芯片的输出信号位。上述陶瓷CSP封装基板结构，第一通孔、第二通孔与第三通孔呈错位设置，在电子元器件焊接时可防止焊接漏锡，保证焊接的气密性和稳定性；同时，信号盘采用三极性设置，能适用于差分信号传输与非差分信号传输，并在信号盘的周围设置大片的屏蔽片，增强抗干扰能力，确保信号传输的稳定性。在其中一个实施例中，所述第一线路层还包括设置于所述第一基板远离所述中间层的一面上的若干焊接盘、及设置于所述第一基板连接所述中间层的一面上的若干第一中转盘；各所述第一中转盘与各所述焊接盘一一对应；所述第一通孔分别贯穿相互对应的所述焊接盘与所述第一中转盘。在其中一个实施例中，所述中间层还包括分别设置于所述第二基板相对两面的若干第二中转盘与若干第三中转盘；所述第三中转盘与所述第二中转盘一一对应；所述第二通孔分别贯穿相互对应的所述第二中转盘与所述第三中转盘；所述第二中转盘与所述第一中转盘一一对应。在其中一个实施例中，各述第三通孔分别贯穿相互对应的所述第四中转盘各所述信号盘、相互对应的所述第四中转盘与所述屏蔽片；所述第四中转盘与所述第三中转盘一一对应。在其中一个实施例中，所述第一中转盘紧密贴设所述第二中转盘，所述第三中转盘紧密贴设所述第四中转盘；所述第二通孔的一端抵接所述第四中转盘，所述第三通孔的一端抵接所述第三中转盘。在其中一个实施例中，所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔的孔壁均镀有第二导电层，电气连通所述第一线路层、所述中间层与所述第二线路层。在其中一个实施例中，所述焊接盘、所述第三中转盘的裸露部分、所述第四中转盘的裸露部分、所述信号盘及所述屏蔽片均镀有所述第二导电层。在其中一个实施例中，所述第一线路层、所述中间层与所述第二线路层的厚度范围均为0.08mm-0.12mm；所述第一通孔、所述第二通孔与所述第三通孔的孔径范围均为1.26mm-1.28mm。在其中一个实施例中，所述第一线路层、所述中间层与所述第二线路层的厚度均为0.1mm；所述第一通孔、所述第二通孔与所述第三通孔的孔径均为1.27mm。在其中一个实施例中，所述第一线路层与所述中间层、所述第二线路层采用HTCC技术集成一个整体结构。附图说明图1为本技术一较佳实施方式的陶瓷CSP封装基板结构的立体示意图；图2为图1所示陶瓷CSP封装基板结构的另一视角的立体示意图；图3为图1所示陶瓷CSP封装基板结构的分解示意图；图4为图3所示陶瓷CSP封装基板结构的另一视角的分解示意图；图5为图1所示陶瓷CSP封装基板结构的俯视图；图6为图5所示A-A处的剖视图；附图标注说明：10-第一线路层，11-第一基板，12-焊接盘，13-第一中转盘，14-第一通孔；20-中间层，21-第二基板，22-第二中转盘，23-第三中转盘，24-第二通孔；30-第二线路层，31-第三基板，32-第四中转盘，33-信号盘，331-输入信号盘，332-输出信号盘，34-屏蔽片，35-第三通孔。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。请参阅图1至图6，为本技术一较佳实施方式的陶瓷CSP封装基板结构，包括第一线路层10、贴设所述第一线路层10的中间层20、及贴设于所述中间层20远离所述第一线路层10的第二线路层30。所述第一线路层10与所述中间层20、所述第二线路层30采用HTCC(High-temperatureco-firedceramics，高温共烧陶瓷)技术集成一个整体结构。所述第一线路层10包括第一基板11、设置于所述第一基板11远离所述中间层20的一面上的若干焊接盘12、及设置于所述第一基板11连接所述中间层20的一面上的若干第一中转盘13，各所述第一中转盘13与各所述焊接盘12一一对应。在本实施例中，所述焊接盘12的数量、所述第一中转盘13的数量均为五。所述第一基板11上对应所述焊接盘12的位置设有若干第一通孔14，各所述第一通孔14分别设置于对应的所述焊接盘12内部的一侧。所述第一通孔14分别贯穿相互对应的所述焊接盘12与所述第一中转盘13。在本实施例中，所述中间层20的数量为一；在其它实施例中，所述中间层20的数量也可以是二或以上。所述中间层20包括第二基板21、及分别设置于所述第二基板21相对两面的若干第二中转盘22与若干第三中转盘23，各所述第三中转盘23与各所述第二中转盘22一一对应。在本实施例中，所述第二中转盘22的数量、所述第三中转盘23的数量均为五。所述第二基板21上对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷CSP封装基板结构，用于封装声表面波器件，其特征在于，所述陶瓷CSP封装基板结构包括第一线路层、贴设所述第一线路层的中间层、及贴设于所述中间层远离所述第一线路层的一面的第二线路层，所述第二线路层用于连接所述声表面波器件的芯片；所述第一线路层包括第一基板，所述第一基板上设有若干第一通孔；所述中间层包括第二基板，所述第二基板上设有若干第二通孔，各所述第二通孔分别对应且连通各所述第一通孔；所述第二线路层包括与所述第二基板相对应的第三基板、设置于所述第三基板远离所述中间层的一面上的若干信号盘、及围设所述信号盘的屏蔽片；所述屏蔽片用于连接所述芯片的接地信号位；所述第三基板上设有若干第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔呈错位设置；所述信号盘采用三极性设置，包括一个输入信号盘及两个输出信号盘；当选择非差分信号输出时，所述输入信号盘用于连接外接输入信号，一所述输出信号盘用于连接所述芯片的输出信号位，另一所述输出信号盘用于连接所述芯片的接地信号位；当选择差分信号输出时，所述输入信号盘用于连接所述外接输入信号，二所述输出信号盘均用于连接所述芯片的输出信号位。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷CSP封装基板结构，用于封装声表面波器件，其特征在于，所述陶瓷CSP封装基板结构包括第一线路层、贴设所述第一线路层的中间层、及贴设于所述中间层远离所述第一线路层的一面的第二线路层，所述第二线路层用于连接所述声表面波器件的芯片；所述第一线路层包括第一基板，所述第一基板上设有若干第一通孔；所述中间层包括第二基板，所述第二基板上设有若干第二通孔，各所述第二通孔分别对应且连通各所述第一通孔；所述第二线路层包括与所述第二基板相对应的第三基板、设置于所述第三基板远离所述中间层的一面上的若干信号盘、及围设所述信号盘的屏蔽片；所述屏蔽片用于连接所述芯片的接地信号位；所述第三基板上设有若干第三通孔，所述第三通孔与所述第二通孔呈错位设置；所述信号盘采用三极性设置，包括一个输入信号盘及两个输出信号盘；当选择非差分信号输出时，所述输入信号盘用于连接外接输入信号，一所述输出信号盘用于连接所述芯片的输出信号位，另一所述输出信号盘用于连接所述芯片的接地信号位；当选择差分信号输出时，所述输入信号盘用于连接所述外接输入信号，二所述输出信号盘均用于连接所述芯片的输出信号位。2.根据权利要求1所述的陶瓷CSP封装基板结构，其特征在于，所述第一线路层还包括设置于所述第一基板远离所述中间层的一面上的若干焊接盘、及设置于所述第一基板连接所述中间层的一面上的若干第一中转盘；各所述第一中转盘与各所述焊接盘一一对应；所述第一通孔分别贯穿相互对应的所述焊接盘与所述第一中转盘。3.根据权利要求2所述的陶瓷CSP封装基板结构，其特征在于，所述中间层还包括分别设置于所述第二基板相对两面的若干第二中转盘与若干第三中转盘；所述第三中转盘与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋燕港，刘绍侃，张忠云，张正，刘长顺，
申请(专利权)人：深圳华远微电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44