一种声表面谐振器芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术有关于一种封装结构，一种声表面谐振器芯片封装结构，包括芯片和基板，所述芯片上表面溅射等周期换能器和反射阵，其特征在于，所述等周期换能器两侧设置反射阵，所述反射阵包括设置在所述等周期换能器左右两侧的开反射阵，将左侧的开反射阵称作第一开反射阵，将右侧的开反射阵称作第二开反射阵，所述第一开反射阵和第二开反射阵在所述等周期换能器左右两侧对称分布；所述第一开反射阵和第二开反射阵构成的反射阵在y方向上平行设置、在x方向上垂直设置并且在x方向上周期性分布；所述基板上具有两个管座电极，所述芯片倒装且芯片的两个导通电极分别与所述管座电极连接。

An acoustic surface resonator chip packaging structure

The utility model relates to a packaging structure and an acoustic surface resonator chip packaging structure, which comprises a chip and a substrate, the surface sputtering isoperiodic transducer and a reflection array on the chip, and is characterized in that a reflection array is arranged on both sides of the isoperiodic transducer, and the reflection array comprises a left of the isoperiodic transducer. The open-reflection arrays on the right side are called the first open-reflection arrays, and the open-reflection arrays on the right side are called the second open-reflection arrays. The substrate is provided with two socket electrodes, the chip is flipped and the two conducting electrodes of the chip are connected with the socket electrodes respectively.

【技术实现步骤摘要】
一种声表面谐振器芯片封装结构
本技术有关于一种封装结构，尤指一种声表面谐振器芯片及封装结构。
技术介绍
声表面谐振器广泛的应在现代智能生活中，随着智能化时代的来临，更多的智能话设备需要声表面谐振器的调谐。小型化是智能设备应用的发展趋势，然而现阶段的产品大多数采用金属线绑定，这样就无形中限制了产品的体积，能否开发一款新的设计及封装结构，尽量减小器件体积，节省成本就成为行业内迫切需要解决的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本技术提供一种声表面谐振器芯片封装结构，其设计结构等效电路小型化优化，且芯片不再受体积限制。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：一种声表面谐振器芯片封装结构，包括芯片和基板，所述芯片上表面溅射等周期换能器和反射阵，所述等周期换能器两侧设置反射阵，所述反射阵包括设置在所述等周期换能器左右两侧的开反射阵，将左侧的开反射阵称作第一开反射阵，将右侧的开反射阵称作第二开反射阵，所述第一开反射阵和第二开反射阵在所述等周期换能器左右两侧对称分布；所述第一开反射阵和第二开反射阵构成的反射阵在y方向上平行设置、在x方向上垂直设置并且在x方向上周期性分布；所述基板上具有两个管座电极，所述芯片倒装且芯片的两个导通电极分别与所述管座电极连接。作为优选的，所述导通电极和所述管座电极通过银料连接。作为优选的，所述第一开反射阵和第二开反射阵长度一致。使用本技术的有益效果是：将普通的声表谐振器结构进行整合，通过模拟运算及无限次逼近试验将谐振器结构优化，利用等效电路模型对其内部设计方案进行小型化改良，这样既保证原有产品性能不变，又可以减小设计结构，使新的设计结构将具备性能优，体型小的特点。芯片封装层加以改进，将原有的金属绑定正贴片法改为新的反贴片银浆粘连导电法，以上两种方法所属不同的封装领域，隶属于新的封装设计结构，反贴法的实现打破了对现有芯片体积的束缚，是声表面谐振器小型化改良必不可缺的步骤。附图说明图1为现有技术中的声表面谐振器芯片中芯片部分示意图。图2为本技术声表面谐振器芯片中芯片部分示意图。图3为现有技术中的声表面谐振器芯片侧面示意图。图4为本技术声表面谐振器芯片侧面示意图。附图标记包括：100-芯片，110-连接部，120-导通电极，130-反射阵，140-等周期换能器，200-焊接料，300-基座，310-管座电极。具体实施方式以下结合附图对本技术进行详细的描述。如图2、图4所示一种声表面谐振器芯片100封装结构，包括芯片100和基板，所述芯片100上表面溅射等周期换能器140和反射阵130，所述等周期换能器140两侧设置反射阵130，所述反射阵130包括设置在所述等周期换能器140左右两侧的开反射阵130，将左侧的开反射阵130称作第一开反射阵130，将右侧的开反射阵130称作第二开反射阵130，所述第一开反射阵130和第二开反射阵130在所述等周期换能器140左右两侧对称分布；所述第一开反射阵130和第二开反射阵130构成的反射阵130在y方向上平行设置、在x方向上垂直设置并且在x方向上周期性分布；所述基板上具有两个管座电极310，所述芯片100倒装且芯片100的两个导通电极120分别与所述管座电极310连接。目前优化现有声表谐振器设计及封装结构主要通过以下两种措施：一：设计结构等效电路小型化优化如图2所示，将普通的声表谐振器结构进行整合，通过模拟运算及无限次逼近试验将谐振器结构优化，利用等效电路模型对其内部设计方案进行小型化改良，这样既保证原有产品性能不变，又可以减小设计结构，使新的设计结构将具备性能优，体型小的特点。二：新型倒装封装结构使芯片100不再受体积限制如图4所示，本专利中提及的方法是在芯片100封装层加以改进，将原有的金属绑定正贴片法改为新的反贴片银浆焊接料200粘连导电法，以上两种方法所属不同的封装领域，隶属于新的封装设计结构，反贴法的实现打破了对现有芯片100体积的束缚，是声表面谐振器小型化改良必不可缺的步骤。将芯片100本身进行翻转，指条部分朝向下方，利用银浆焊接料200材料将芯片100与基座300导通，连接部110对接在导通电极120处。此专利的改良使得声表谐振器在封装阶段更加灵活，不再受到传统结构的限制，从而达到芯片100的小型化，而且通过实验证明新的封装结构良品率可控制在90％以上，适合产品量产化。如图1所示，统结构采用REF+IDT+REF组成。传统封装结构如图3所示，利用金属导线将芯片100连接，这时候我们必然要考虑引线的弧度，这样就在芯片100封装的体积方面有了限制。作为优选的，所述导通电极120和所述管座电极310通过银料焊接料200连接。所述第一开反射阵130和第二开反射阵130长度一致。以上内容仅为本技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上可以作出许多变化，只要这些变化未脱离本技术的构思，均属于本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声表面谐振器芯片封装结构，包括芯片和基板，所述芯片上表面溅射等周期换能器和反射阵，其特征在于，所述等周期换能器两侧设置反射阵，所述反射阵包括设置在所述等周期换能器左右两侧的开反射阵，将左侧的开反射阵称作第一开反射阵，将右侧的开反射阵称作第二开反射阵，所述第一开反射阵和第二开反射阵在所述等周期换能器左右两侧对称分布；所述第一开反射阵和第二开反射阵构成的反射阵在y方向上平行设置、在x方向上垂直设置并且在x方向上周期性分布；所述基板上具有两个管座电极，所述芯片倒装且芯片的两个导通电极分别与所述管座电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种声表面谐振器芯片封装结构，包括芯片和基板，所述芯片上表面溅射等周期换能器和反射阵，其特征在于，所述等周期换能器两侧设置反射阵，所述反射阵包括设置在所述等周期换能器左右两侧的开反射阵，将左侧的开反射阵称作第一开反射阵，将右侧的开反射阵称作第二开反射阵，所述第一开反射阵和第二开反射阵在所述等周期换能器左右两侧对称分布；所述第一开反射阵和第二开反射阵构成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张忠云，李善斌，张伟，张全军，
申请(专利权)人：深圳华远微电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44