A bridge rectifier diode, silicon wafer size is 5.6mm * 5.6mm, 4.72mm * 4.72mm active region size, layer and P type silicon ring high doped N type silicon diffusion N type silicon substrate with low doped high doped P type silicon base, high doped P type silicon substrate, between the high the doped ring is located in highly doped P type and N type silicon base high doped silicon diffusion layer; low doped N type silicon substrate and P type silicon base forming a highly doped N type silicon substrate PN junction; the low doped rounded cuboid, N type silicon substrate backside deposition of metal or Ag Ni as the cathode, the N type silicon substrate, highly doped P type silicon base, high doped N type silicon diffusion layer and P type silicon ring is provided with a highly doped graphene layer; high doped P type silicon base, high doped N type silicon diffusion deposition metal Al as anode layer and the graphene layer; the cathode metal electrode A protective film is arranged on the periphery of the anode metal electrode. The diode reverse breakdown voltage of the utility model is high, and the forward current is high.
【技术实现步骤摘要】
桥式整流二极管
本技术涉及半导体功率器件,特别涉及一种桥式整流二极管。
技术介绍
基于二极管的单向导通性能,利用二极管进行桥式整流,可将交流电转换为直流电,但作为整流元件的整流二极管,需要针对整流方式、负载大小进行不同的整流二极管选择,如果选择不当,则会导致不能安全工作,甚至可能因高压击穿烧了二极管;或者大材小用造成浪费。高压电运输可以减少电压的损耗,为实现高压电下的整流,需要一种能耐高压、击穿电压高的整流二极管。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种桥式整流二极管,其反向击穿电压高,正向电流高。为实现上述技术目的,本技术采用如下技术方案:一种桥式整流二极管,硅晶片尺寸为5.6mm×5.6mm,有源区尺寸4.72mm×4.72mm,低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环,所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间;低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结;所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状,N型硅衬底的背面沉积金属Ag或Ni作为阴极,所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层;高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极;阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。作为本技术的进一步改进,所述石墨烯层宽415μm。作为本技术的进一步改进,所述高掺杂的P型硅基环有三个,所述N型硅衬底上有四个环形结构,环形结构曲率为500μm;四个环形结构外环为高掺杂的N型硅扩散层,以及高掺杂的P型硅基层和外环高掺杂的N型硅 ...
【技术保护点】
一种桥式整流二极管,硅晶片尺寸为5.6mm×5.6mm,有源区尺寸4.72mm×4.72mm,低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环,所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间;低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结;所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状,N型硅衬底的背面沉积金属Ag或Ni作为阴极,其特征在于,所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层;高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极;阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。
【技术特征摘要】
1.一种桥式整流二极管,硅晶片尺寸为5.6mm×5.6mm,有源区尺寸4.72mm×4.72mm,低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环,所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间;低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结;所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状,N型硅衬底的背面沉积金属Ag或Ni作为阴极,其特征在于,所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层;高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极;阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。2.根据权利要求1所述的桥式整流二极管,其特征在于,所述石墨烯层宽415μm。3.根据权利要求1所述的桥式整流二极管,其特征在于,所述高掺杂的P型硅基环有三个,所述N型硅衬底上有四个环形结构,环形结构曲率为500μm;四个环形结构外环为高...
【专利技术属性】
技术研发人员:崔峰敏,
申请(专利权)人:傲迪特半导体南京有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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