一种二极管制造技术

本申请提供一种二极管，通过NPN三极管来实现，NPN三极管包括三个N型源漏注入及一个P型源漏注入，两个N型源漏注入分别作为两个集电区，紧靠作为基区的P型源漏注入，并通过金属短接作为二极管的阳极；第三个N型源漏注入作为发射区，也即二极管的阴极；相比现有技术，阳极的N型源漏注入与阴极的N型源漏注入之间的距离小，减小了横向的N型阱区电阻；同时比现有技术在靠近P型源漏注入的另一侧增加了一个N型源漏注入，增加了一个横向的NPN效应，使得有更多电流从表面走，减少了流经N型阱区电阻的电流成分，避免了P型体区至N型阱区的结正偏；无需现有技术中增加的埋层及外延层的工艺步骤及成本，即可实现漏电的减少。

A diode

This application provides a diode, to achieve through the NPN transistor, NPN transistor comprises three N source drain injection and a P type source drain injection injection respectively as the two collector leakage two N source, as close to the P type source base leakage injection, and the short metal then as the two transistor emitter leakage as anode; injection third N source, namely the cathode of the diode; compared with the prior art, injection and N type cathode source drain into the distance between the small leakage type N source anode, reduce the N type horizontal well resistance; at the same time than in the prior art on the other side near the P source drain injection by adding an N type source drain injection added a transverse NPN effect, making it more current from the surface, reducing the current through the resistor components of N type well area, avoid the P type zone to N type well region junction; without prior During the operation, the technological steps and the cost of the buried layer and the epitaxial layer are increased, and the leakage can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种二极管
本技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种二极管。
技术介绍
在集成电路中，二极管是一种常用的器件，但由于各种寄生器件的存在，使得真正意义上的二极管并不存在。现有技术一般会使用三极管，通过基极和集电极短接的方式作为二极管使用，如图1所示，包括：P型场注入PFLD、P型阱区P-well、N型阱区N-well、衬底Psub、P型体区Pbody、作为阴极的N型源漏注入N+，以及通过金属短接后作为阳极的P型源漏注入P+和N型源漏注入N+。图1中虚线所示的电流通路中，存在有N型阱区N-Well寄生电阻，其中，Rnw1代表纵向的N型阱区N-well电阻，Rnw2代表底部横向的N型阱区N-well电阻。当二极管电流较大时，两个电阻上的电压将大于0.65V，导致P型体区至N型阱区的Pbody-Nwell结D1正偏，寄生的横向PNP(Pbody-Nwell-Psub)和纵向PNP(Pbody-Nwell-Psub)开启，使得电流流向衬底Psub，造成了电流损耗及PN结两端电流不一致，并且导致衬底电位失调，影响内部其他线路的正常工作。为了降低流向衬底Psub的漏电，现有技术通常采取在P型体区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管，其特征在于，为NPN三极管；所述NPN三极管包括：三个N型源漏注入及一个P型源漏注入；其中：所述P型源漏注入设置于所述NPN三极管的P型体区内，作为所述NPN三极管的基区；一个所述N型源漏注入设置于所述NPN三极管N型阱区的边缘，紧靠所述P型源漏注入，作为所述NPN三极管的一个集电区；另外一个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，紧靠所述P型源漏注入的另一端，作为所述NPN三极管的另一集电区；第三个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，作为所述NPN三极管的发射区；所述NPN三极管的两个集电区与所述基区通过金属短接作为所述二极管的阳极，所述NPN三极管的发射区作为所述二极管的阴极。

【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，为NPN三极管；所述NPN三极管包括：三个N型源漏注入及一个P型源漏注入；其中：所述P型源漏注入设置于所述NPN三极管的P型体区内，作为所述NPN三极管的基区；一个所述N型源漏注入设置于所述NPN三极管N型阱区的边缘，紧靠所述P型源漏注入，作为所述NPN三极管的一个集电区；另外一个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，紧靠所述P型源漏注入的另一端，作为所述NPN三极管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：任现华，胡林辉，黄海涛，
申请(专利权)人：上海新进半导体制造有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31