一种二极管制造技术

本申请提供一种二极管，通过NPN三极管来实现，NPN三极管包括三个N型源漏注入及一个P型源漏注入，两个N型源漏注入分别作为两个集电区，紧靠作为基区的P型源漏注入，并通过金属短接作为二极管的阳极；第三个N型源漏注入作为发射区，也即二极管的阴极；相比现有技术，阳极的N型源漏注入与阴极的N型源漏注入之间的距离小，减小了横向的N型阱区电阻；同时比现有技术在靠近P型源漏注入的另一侧增加了一个N型源漏注入，增加了一个横向的NPN效应，使得有更多电流从表面走，减少了流经N型阱区电阻的电流成分，避免了P型体区至N型阱区的结正偏；无需现有技术中增加的埋层及外延层的工艺步骤及成本，即可实现漏电的减少。

A diode

This application provides a diode, to achieve through the NPN transistor, NPN transistor comprises three N source drain injection and a P type source drain injection injection respectively as the two collector leakage two N source, as close to the P type source base leakage injection, and the short metal then as the two transistor emitter leakage as anode; injection third N source, namely the cathode of the diode; compared with the prior art, injection and N type cathode source drain into the distance between the small leakage type N source anode, reduce the N type horizontal well resistance; at the same time than in the prior art on the other side near the P source drain injection by adding an N type source drain injection added a transverse NPN effect, making it more current from the surface, reducing the current through the resistor components of N type well area, avoid the P type zone to N type well region junction; without prior During the operation, the technological steps and the cost of the buried layer and the epitaxial layer are increased, and the leakage can be reduced.

【技术实现步骤摘要】
一种二极管
本技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种二极管。
技术介绍
在集成电路中，二极管是一种常用的器件，但由于各种寄生器件的存在，使得真正意义上的二极管并不存在。现有技术一般会使用三极管，通过基极和集电极短接的方式作为二极管使用，如图1所示，包括：P型场注入PFLD、P型阱区P-well、N型阱区N-well、衬底Psub、P型体区Pbody、作为阴极的N型源漏注入N+，以及通过金属短接后作为阳极的P型源漏注入P+和N型源漏注入N+。图1中虚线所示的电流通路中，存在有N型阱区N-Well寄生电阻，其中，Rnw1代表纵向的N型阱区N-well电阻，Rnw2代表底部横向的N型阱区N-well电阻。当二极管电流较大时，两个电阻上的电压将大于0.65V，导致P型体区至N型阱区的Pbody-Nwell结D1正偏，寄生的横向PNP(Pbody-Nwell-Psub)和纵向PNP(Pbody-Nwell-Psub)开启，使得电流流向衬底Psub，造成了电流损耗及PN结两端电流不一致，并且导致衬底电位失调，影响内部其他线路的正常工作。为了降低流向衬底Psub的漏电，现有技术通常采取在P型体区Pbody下增加BNlayer(BuryN，N型埋层)来降低横向的N型阱区N-well电阻Rnw2和抑制纵向的PNP。但此方法需要增加N型埋层及外延层，增加了工艺制作步骤及其成本。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种二极管，以解决现有技术为减少漏电带来的工艺步骤及成本增加的问题。为了实现上述目的，本技术实施例提供的技术方案如下：一种二极管，为NPN三极管；所述NPN三极管包括：三个N型源漏注入及一个P型源漏注入；其中：所述P型源漏注入设置于所述NPN三极管的P型体区内，作为所述NPN三极管的基区；一个所述N型源漏注入设置于所述NPN三极管N型阱区的边缘，紧靠所述P型源漏注入，作为所述NPN三极管的一个集电区；另外一个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，紧靠所述P型源漏注入的另一端，作为所述NPN三极管的另一集电区；第三个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，作为所述NPN三极管的发射区；所述NPN三极管的两个集电区与所述基区通过金属短接作为所述二极管的阳极，所述NPN三极管的发射区作为所述二极管的阴极。优选的，所述NPN三极管内的所述两个集电区及所述基区分别对称设置于所述NPN三极管内。优选的，还包括：N型埋层及外延层。本申请提供一种二极管，通过NPN三极管来实现，所述NPN三极管包括三个N型源漏注入及一个P型源漏注入，其中两个所述N型源漏注入分别作为所述NPN三极管的集电区，紧靠作为所述NPN三极管的基区的所述P型源漏注入，第三个所述N型源漏注入作为所述NPN三极管的发射区；所述NPN三极管的两个集电区与所述基区通过金属短接作为所述二极管的阳极，所述NPN三极管的发射区作为所述二极管的阴极；相比现有技术，作为阳极的所述N型源漏注入与作为阴极的所述N型源漏注入之间的距离小，减小了横向的N型阱区电阻；同时比现有技术在靠近所述P型源漏注入的另一侧增加了一个N型源漏注入，增加了一个横向的NPN效应，使得有更多电流从表面走，减少了流经N型阱区电阻的电流成分，避免了P型体区至N型阱区的结正偏；无需现有技术中增加的埋层及外延层的工艺步骤及成本，即可实现漏电的减少。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术提供的一种二极管结构示意图；图2为本申请实施例提供的一种二极管结构示意图；图3为本申请另一实施例提供的一种二极管结构示意图；图4为本申请另一实施例提供的一种二极管结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术提供了一种二极管，以解决现有技术为减少漏电带来的工艺步骤及成本增加的问题。具体的，如图2所示，所述二极管为NPN三极管；所述NPN三极管包括：三个N型源漏注入N+及一个P型源漏注入P+；其中：P型源漏注入P+设置于所述NPN三极管的P型体区P-body内，作为所述NPN三极管的基区；一个N型源漏注入N+设置于所述NPN三极管N型阱区的边缘，紧靠P型源漏注入P+，作为所述NPN三极管的一个集电区；另外一个N型源漏注入N+设置于P型体区P-body内，紧靠P型源漏注入P+的另一端，作为所述NPN三极管的另一集电区；第三个N型源漏注入N+设置于P型体区P-body内，作为所述NPN三极管的发射区；所述NPN三极管的集电区与所述基区通过金属短接作为所述二极管的阳极，所述NPN三极管的发射区作为所述二极管的阴极。具体的工作原理为：本实施例提供的所述二极管，通过所述NPN三极管来实现，所述NPN三极管中包括：P型场注入PFLD、P型阱区P-well、N型阱区N-well、衬底P-sub、P型体区P-body、三个N型源漏注入N+，及P型源漏注入P+。所述NPN三极管内两个N型源漏注入N+分别作为两个集电区，紧靠作为基区的P型源漏注入P+，两个集电区与基区通过金属短接作为所述二极管的阳极，第三个N型源漏注入N+作为所述NPN三极管的发射区，也即所述二极管的阴极；相比现有技术，作为阳极的N型源漏注入N+与作为阴极的N型源漏注入N+之间的距离比图1所述的现有技术小，减小了横向的N型阱区N-Well电阻，进而减少了漏电的途径；同时比现有技术在靠近P型源漏注入P+的另一侧增加了一个N型源漏注入N+，增加了一个横向的NPN效应，使得有更多电流从表面走，减少了流经N型阱区电阻的电流成分，避免了P型体区至N型阱区的结正偏；无需现有技术中增加的埋层及外延层，解决了现有技术为减少漏电带来的工艺步骤及成本增加的问题。优选的，如图3所示，所述NPN三极管内的所述两个集电区及所述基区分别对称设置于所述NPN三极管内。所述NPN三极管内的所述两个集电区及所述基区分别对称设置于所述NPN三极管内，使得漏电的减少效果更优。优选的，如图4所示，所述二极管还包括：N型埋层BN及外延层epi。在有N型埋层BN和外延层epi的工艺中，采用同样的方法也可降低电流损失。本技术中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。以上仅是本技术的优选实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管，其特征在于，为NPN三极管；所述NPN三极管包括：三个N型源漏注入及一个P型源漏注入；其中：所述P型源漏注入设置于所述NPN三极管的P型体区内，作为所述NPN三极管的基区；一个所述N型源漏注入设置于所述NPN三极管N型阱区的边缘，紧靠所述P型源漏注入，作为所述NPN三极管的一个集电区；另外一个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，紧靠所述P型源漏注入的另一端，作为所述NPN三极管的另一集电区；第三个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，作为所述NPN三极管的发射区；所述NPN三极管的两个集电区与所述基区通过金属短接作为所述二极管的阳极，所述NPN三极管的发射区作为所述二极管的阴极。

【技术特征摘要】
1.一种二极管，其特征在于，为NPN三极管；所述NPN三极管包括：三个N型源漏注入及一个P型源漏注入；其中：所述P型源漏注入设置于所述NPN三极管的P型体区内，作为所述NPN三极管的基区；一个所述N型源漏注入设置于所述NPN三极管N型阱区的边缘，紧靠所述P型源漏注入，作为所述NPN三极管的一个集电区；另外一个所述N型源漏注入设置于所述P型体区内，紧靠所述P型源漏注入的另一端，作为所述NPN三极管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：任现华，胡林辉，黄海涛，
申请(专利权)人：上海新进半导体制造有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31