【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及的是一种二极管功率模块，属于半导体功率器件封装
技术介绍
传统功率器件封装工艺中，一般使用引线键合(Wire bonding)或铜带键合(Clip Bonding 或称为Copper Strap Attachment )技术, 但是为了进一步减小功率器件的封装尺寸以及获得更低的导通电阻, 有些公司开始尝试在功率器件封装工艺中使用铝带键合技术，特别是在小封装尺寸的功率器件中, 例如SO-8、PQFN 等。功率模块是在功率电子电路上使用的半导体封装体，比如，封装了绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)芯片的模块。一些模块也封装有半导体二极管(DIODE)芯片以提供过压保护。以上功率半导体芯片具有一系列电压和电流等级，以适应不同的场合或行业应用。由于功率半导体芯片的热膨胀系数和键合线的热膨胀系数相差较大，功率模块在长期使用过程中最容易产生的失效是键合点与芯片表面脱离；同时半导体功率芯片电流密度的不断增加，传统的铝线已经不能满足电气连接的要求。超声键合是实现集成电路封装中芯片互连的关键技术之一。现在集成电路(IC)封装中有三种方法可以实现芯片的电气互连：倒装芯片、载带自动焊及引线键合。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足，而提供一种结构简单，封装质量好，能保障封装与工艺和要求，大大提高了可靠性和过电流能力的二极管功率模块。本专利技术的目的是通过如下技术方案来完成的，一种二极管功率模块，它主要包括：半导体芯片，...
【技术保护点】
一种二极管功率模块，它主要包括：半导体芯片，金属化陶瓷衬底，铝带，散热基板和外壳，其特征在于所述的二极管芯片（2）通过焊料（4）焊接到金属化陶瓷衬底的阳极（3）上；使用超声波键合将金属化陶瓷衬底的阳极铜层（6）通过铝带（1）和二极管芯片的阳极相连；所述金属化陶瓷衬底的背面铜层（10）通过焊料（8）焊接到散热基板（5）上。
【技术特征摘要】
1.一种二极管功率模块，它主要包括：半导体芯片，金属化陶瓷衬底，铝带，散热基板和外壳，其特征在于所述的二极管芯片（2）通过焊料（4）焊接到金属化陶瓷衬底的阳极（3）上；使用超声波键合将金属化陶瓷衬底的阳极铜层（6）通过铝带（1）和二极管芯片的阳极相连；所述金属化陶瓷衬底的背面铜层（10）通过焊料（8）焊接到散热基板（5）上。
2.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：季霖夏，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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