System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种功率芯片的温度测量电路及方法技术_技高网

一种功率芯片的温度测量电路及方法技术

技术编号:40556058 阅读:10 留言:0更新日期:2024-03-05 19:17
本发明专利技术公开了一种功率芯片的温度测量电路及方法,属于功率器件测试技术领域;包括,热敏电阻,热敏电阻的第一端通过一第一电阻连接一电源正极端,热敏电阻的第二端接地;运算放大器,运算放大器的正相输入端通过一第四电阻连接热敏电阻的第二端,运算放大器的反相输入端通过一第二电阻连接热敏电阻的第一端,运算放大器的输出端产生一电压信号,电压信号经过模数转换后输入一单片机,以显示出功率芯片的温度。上述技术方案的有益效果是:在不改变测试平台的前提下,通过测量功率模块热敏电阻的阻值来监测功率芯片的温度,测量结果精确。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率器件测试,尤其涉及一种功率芯片的温度测量电路及方法


技术介绍

1、目前,功率器件广泛应用于生活生产,包括家电、工控、新能源汽车、光伏风电等领域,评估功率器件应用是否合适有诸多测试项,其中,器件高温双脉冲动态测试是一项重要的测试内容。

2、在现有技术中,传统的动态高温测试是通过控制外围加热单元的温度来评估模块igbt(insulated gate bipolar transistor,绝缘栅双极晶体管)芯片的温度,但会导致测量误差大,结果不精确。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于,提供一种功率芯片的温度测量电路,解决以上技术问题;

2、本专利技术的目的还在于,提供一种功率芯片的温度测量方法,解决以上技术问题;

3、一种功率芯片的温度测量电路,包括,

4、热敏电阻,所述热敏电阻的第一端通过一第一电阻连接一电源正极端,所述热敏电阻的第二端接地;

5、运算放大器,所述运算放大器的正相输入端通过一第四电阻连接所述热敏电阻的第二端,所述运算放大器的反相输入端通过一第二电阻连接所述热敏电阻的第一端,所述运算放大器的输出端产生一电压信号,所述电压信号经过模数转换后输入一单片机,以显示出功率芯片的温度。

6、优选地,所述运算放大器的第一供电端连接一外部电压,所述运算放大器的第二供电端接地。

7、优选地,还包括一采样部,所述采样部的输入端通过一第六电阻连接所述运算放大器的输出端。

8、优选地,还包括一信号转换部,所述信号转换部的输入端连接所述采样部的输出端,将所述电压信号转换为数字信号后输入所述单片机。

9、优选地,还包括,

10、第三电阻,所述第三电阻的第一端连接所述运算放大器的反相输入端,所述第三电阻的第二端连接所述运算放大器的输出端;

11、第二电容,所述第二电容与所述第三电阻并联。

12、优选地,还包括,

13、第五电阻,所述第五电阻的第一端连接所述运算放大器的正相输入端,所述第五电阻的第二端接地;

14、第一电容,所述第一电容与所述第五电阻并联。

15、优选地,还包括第三电容,所述第三电容的第一端连接采样部的输入端,所述第三电容的第二端接地。

16、一种功率芯片的温度测量方法,用于所述的温度测量电路,包括,

17、步骤s1,通过所述运算放大器放大所述热敏电阻的两端电压,得到所述电压信号;

18、步骤s2,对所述电压信号进行模数转换处理后,得到数字信号;

19、步骤s3,所述单片机对所述数字信号进行数据处理后显示所述功率芯片的温度。

20、优选地,步骤s2中所述模数转换处理包括,

21、通过采样部对所述电压信号进行采样后,输入信号转换部转换为所述数字信号。

22、优选地,步骤s3中所述数据处理包括,

23、通过计算所述热敏电阻的阻值得到所述功率芯片的温度。

24、本专利技术的有益效果是:由于采用以上技术方案,在不改变测试平台的前提下,通过测量功率模块热敏电阻的阻值来监测功率芯片的温度,测量结果精确。

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【技术保护点】

1.一种功率芯片的温度测量电路,其特征在于,包括,

2.根据权利要求1所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,所述运算放大器(A1)的第一供电端连接一外部电压(VCC),所述运算放大器(A1)的第二供电端接地。

3.根据权利要求1所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,还包括一采样部(S),所述采样部(S)的输入端通过一第六电阻(R6)连接所述运算放大器(A1)的输出端。

4.根据权利要求3所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,还包括一信号转换部(ADC),所述信号转换部(ADC)的输入端连接所述采样部(S)的输出端,将所述电压信号(Vout)转换为数字信号后输入所述单片机(U)。

5.根据权利要求1所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,还包括,

6.根据权利要求1所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,还包括,

7.根据权利要求1所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,还包括第三电容(C3),所述第三电容(C3)的第一端连接采样部(S)的输入端,所述第三电容(C3)的第二端接地。

>8.一种功率芯片的温度测量方法,其特征在于,用于权利要求1-7任意一项所述的温度测量电路,包括,

9.根据权利要求8所述的功率芯片的温度测量方法,其特征在于,步骤S2中所述模数转换处理包括,

10.根据权利要求8所述的功率芯片的温度测量方法,其特征在于,步骤S3中所述数据处理包括,

...

【技术特征摘要】

1.一种功率芯片的温度测量电路,其特征在于,包括,

2.根据权利要求1所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,所述运算放大器(a1)的第一供电端连接一外部电压(vcc),所述运算放大器(a1)的第二供电端接地。

3.根据权利要求1所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,还包括一采样部(s),所述采样部(s)的输入端通过一第六电阻(r6)连接所述运算放大器(a1)的输出端。

4.根据权利要求3所述的功率芯片的温度测量电路,其特征在于,还包括一信号转换部(adc),所述信号转换部(adc)的输入端连接所述采样部(s)的输出端,将所述电压信号(vout)转换为数字信号后输入所述单片机(u)。

5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈启辉朱妍旭陈舒佳华聪睿黄静怡
申请(专利权)人:嘉兴斯达微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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