【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率器件测试,尤其涉及一种热电偶的固定方法。
技术介绍
1、随着工业制造业的快速发展,电力电子设备领域对igbt(insulated gatebipolar transistor,绝缘栅双极晶体管)模块的性能要求越来越高,温度是影响igbt模块性能的重要因素,igbt模块是大功率半导体器件,损耗功率使其发热较多,igbt模块整体性能和可靠性都受温度影响,igbt的结温不能超过125℃,所以不宜长期工作在较高温度下,一般情况下流过igbt模块的电流较大,开关频率较高,导致igbt模块器件的损耗也比较大,如果热量不能及时散掉,器件的结温会超过125℃;igbt模块不宜长期工作在临界温度下,所以散热不好温度过高会损坏igbt,影响到整机的工作运作。
2、在igbt模块生产过程中,温度是需要测量和控制的重要参数之一,在温度测量中,热电偶的应用极为广泛,它具有结构简单、制造方便、测量范围广、精度高、惯性小和输出信号便于远传等优点,另外,由于热电偶是一种无源传感器,测量时不需外加电源,使用十分方便,所以常被用于测量igbt
...【技术保护点】
1.一种热电偶的固定方法,其特征在于,包括,
2.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法,其特征在于,步骤S1包括,
3.根据权利要求2所述的热电偶的固定方法,其特征在于,步骤S11中的所述绝缘层的厚度为1mm~4mm,所述绝缘层为环氧树脂粘结剂。
4.根据权利要求2所述的热电偶的固定方法,其特征在于,所述第一时间段为50min,所述第一温度为150℃,所述第二时间段为30min,所述第三时间段为50min。
5.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法,其特征在于,步骤S3包括,
6.根据权利要求5所述的热电偶的
...【技术特征摘要】
1.一种热电偶的固定方法,其特征在于,包括,
2.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法,其特征在于,步骤s1包括,
3.根据权利要求2所述的热电偶的固定方法,其特征在于,步骤s11中的所述绝缘层的厚度为1mm~4mm,所述绝缘层为环氧树脂粘结剂。
4.根据权利要求2所述的热电偶的固定方法,其特征在于,所述第一时间段为50min,所述第一温度为150℃,所述第二时间段为30min,所述第三时间段为50min。
5.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法,其特征在于,步骤s3包括,
6.根据权利要求5所述的热电偶的固定...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨芳,
申请(专利权)人:嘉兴斯达微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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