【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率器件测试，尤其涉及一种热电偶的固定方法。
技术介绍
1、随着工业制造业的快速发展，电力电子设备领域对igbt(insulated gatebipolar transistor，绝缘栅双极晶体管)模块的性能要求越来越高，温度是影响igbt模块性能的重要因素，igbt模块是大功率半导体器件，损耗功率使其发热较多，igbt模块整体性能和可靠性都受温度影响，igbt的结温不能超过125℃，所以不宜长期工作在较高温度下，一般情况下流过igbt模块的电流较大，开关频率较高，导致igbt模块器件的损耗也比较大，如果热量不能及时散掉，器件的结温会超过125℃；igbt模块不宜长期工作在临界温度下，所以散热不好温度过高会损坏igbt，影响到整机的工作运作。
2、在igbt模块生产过程中，温度是需要测量和控制的重要参数之一，在温度测量中，热电偶的应用极为广泛，它具有结构简单、制造方便、测量范围广、精度高、惯性小和输出信号便于远传等优点，另外，由于热电偶是一种无源传感器，测量时不需外加电源，使用十分方便，所以常被用于测量igbt模块内部芯片的表面温度。
3、热电偶可以直接测量温度，并把温度信号转换成热电动势信号，通过电气仪表，即二次仪表转换成被测介质的温度，各种热电偶的外形常因需要而极不相同，但是它们的基本结构大致相同，通常由热电极、绝缘套保护管和接线盒等主要部分组成，与显示仪表、记录仪表及电子调节器配套使用。
4、在现有技术中，热电偶的固定方法有很多种，一般使用聚酰亚胺(polyimide，pi
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种热电偶的固定方法，解决以上技术问题；
2、一种热电偶的固定方法，包括，
3、步骤s1，对一热电偶的测量端进行绝缘处理后固化，得到固化后测量端；
4、步骤s2，将所述固化后测量端置于一覆铜陶瓷基板上的待测芯片的中心，并通过用于连接所述待测芯片的键合线进行固定，得到固定后热电偶；
5、步骤s3，对所述固定后热电偶的测量端进行粘贴处理后固化，得到待敷设热电偶；
6、步骤s4，对一外壳进行切割处理，得到切割后外壳；
7、步骤s5，将所述待敷设热电偶的导线部分沿着所述待测芯片的表面、所述覆铜陶瓷基板的表面以及设于所述覆铜陶瓷基板下方的铜基板的表面依次敷设后伸出所述切割后外壳进行测温。
8、优选地，步骤s1包括，
9、步骤s11，在所述热电偶的测量端包裹一绝缘层，得到绝缘后测量端；
10、步骤s12，于一无氧烤箱内充入惰性气体，并将所述绝缘后测量端置于所述无氧烤箱内；
11、步骤s13，加热所述绝缘后测量端，在第一时间段内由室温加热至第一温度；
12、步骤s14，在第二时间段内保持所述第一温度；
13、步骤s15，在第三时间段内由所述第一温度冷却至所述室温，得到所述固化后测量端。
14、优选地，步骤s11中的所述绝缘层的厚度为1mm～4mm，所述绝缘层为环氧树脂粘结剂。
15、优选地，所述第一时间段为50min，所述第一温度为150℃，所述第二时间段为30min，所述第三时间段为50min。
16、优选地，步骤s3包括，
17、步骤s31，在所述固定后热电偶的测量端包裹一粘贴层，得到粘贴后测量端；
18、步骤s32，于无氧烤箱内充入惰性气体，并将所述粘贴后测量端置于所述无氧烤箱内；
19、步骤s33，加热所述粘贴后测量端，在第四时间段内由室温加热至第二温度；
20、步骤s34，在第五时间段内保持所述第二温度；
21、步骤s35，在第六时间段内由所述第二温度冷却至所述室温，得到所述待敷设热电偶。
22、优选地，步骤s31中的所述粘贴层的厚度为3mm～7mm，所述粘贴层为环氧树脂粘结剂。
23、优选地，所述第四时间段为50min，所述第二温度为150℃，所述第五时间段为30min，所述第六时间段为50min。
24、优选地，步骤s4包括，
25、通过割刀在所述外壳的两侧开设切口，所述切口的位置高于功率模块的硅胶灌封面。
26、优选地，所述切口为圆形，所述切口的直径为2.5mm。
27、优选地，所述切口与所述导线部分之间设有紫外线固化胶。
28、本专利技术的有益效果是：由于采用以上技术方案，使热电偶与外部绝缘，减少了热电偶的散热量，提高了测量的准确性，且粘贴牢固。
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1.一种热电偶的固定方法，其特征在于，包括，
2.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法，其特征在于，步骤S1包括，
3.根据权利要求2所述的热电偶的固定方法，其特征在于，步骤S11中的所述绝缘层的厚度为1mm～4mm，所述绝缘层为环氧树脂粘结剂。
4.根据权利要求2所述的热电偶的固定方法，其特征在于，所述第一时间段为50min，所述第一温度为150℃，所述第二时间段为30min，所述第三时间段为50min。
5.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法，其特征在于，步骤S3包括，
6.根据权利要求5所述的热电偶的固定方法，其特征在于，步骤S31中的所述粘贴层的厚度为3mm～7mm，所述粘贴层为环氧树脂粘结剂。
7.根据权利要求5所述的热电偶的固定方法，其特征在于，所述第四时间段为50min，所述第二温度为150℃，所述第五时间段为30min，所述第六时间段为50min。
8.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法，其特征在于，步骤S4包括，
9.根据权利要求8所述的热电偶的固定方法，其特征在
10.根据权利要求8所述的热电偶的固定方法，其特征在于，所述切口与所述导线部分之间设有紫外线固化胶。
...【技术特征摘要】
1.一种热电偶的固定方法，其特征在于，包括，
2.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法，其特征在于，步骤s1包括，
3.根据权利要求2所述的热电偶的固定方法，其特征在于，步骤s11中的所述绝缘层的厚度为1mm～4mm，所述绝缘层为环氧树脂粘结剂。
4.根据权利要求2所述的热电偶的固定方法，其特征在于，所述第一时间段为50min，所述第一温度为150℃，所述第二时间段为30min，所述第三时间段为50min。
5.根据权利要求1所述的热电偶的固定方法，其特征在于，步骤s3包括，
6.根据权利要求5所述的热电偶的固定...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨芳，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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