【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率模块测试，尤其涉及一种碳化硅场效应管模块的双脉冲测试装置。
技术介绍
1、sic mosfet(碳化硅金属—氧化物半导体场效应晶体管，即碳化硅场效应管)作为第三代半导体重要的功率半导体器件，其与相同功率等级的硅mosfet器件相比，具有更低的导通电阻和开关损耗，适用于更高的开关频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，已广泛应用与新能源汽车、光伏、风力发电等行业。在实际应用中，sic模块工作时带来的损耗尤为重要，尤其是开关损耗是重点需要评估的对象，因此如何快速准确对sic模块的开关损耗进行评估就非常重要。
2、传统双脉冲测试方法评估sic mosfet一般是各个独立的设备仪器单独设置参数，存在着测试效率低、测试精确度低的缺点。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的问题，本专利技术提供一种碳化硅场效应管模块的双脉冲测试装置，包括：
2、驱动板，连接在双脉冲信号发生器和待测碳化硅场效应管模块之间，用于接收双脉冲信号发生器发出的脉冲，以驱动所述待测碳化硅场效应管模块中的场效应管通断进行测试；
3、高压电源，用于对所述待测碳化硅场效应管模块进行供电；
4、上位机，分别与所述双脉冲信号发生器、所述高压电源、示波器和低压电源连接，用于设置所述双脉冲发生器、所述高压电源、所述示波器和所述低压电源的工作参数；
5、所述低压电源连接所述驱动板，用于向所述驱动板供电；
6、所述示波器还连接所述待测碳化硅
7、优选的，所述高压电源与所述待测碳化硅场效应管模块之间还依次连接有断路器和母线电容；
8、所述高压电源用于在所述断路器闭合时为所述母线电容充电；
9、所述母线电容在所述断路器断开时对所述待测碳化硅场效应管模块进行供电。
10、优选的，还包括高温加热平台，安装于所述待测碳化硅场效应管模块的底部，用于调节所述待测碳化硅场效应管模块的测试环境温度。
11、优选的，所述待测碳化硅场效应管模块包括上管和下管，并且还包括负载电感；
12、所述负载电感与所述上管并联时，所述驱动板导通所述下管对所述下管进行测试；
13、所述负载电感与所述下管并联时，所述驱动板导通所述上管，对所述上管进行测试。
14、优选的，所述示波器包括高压差分电压探头、电流采样电阻、光隔离差分电压探头；
15、所述高压差分电压探头用于测量所述上管和所述下管的源极与漏极之间的电压；
16、所述电流采样电阻用于测量所述上管的源极电流和所述下管的漏极电流；
17、所述光隔离差分电压探头用于测量所述上管和所述下管的栅极与漏极之间的电压。
18、优选的，所述负载电感的感值范围为0.5μh～100μh。
19、优选的，所述高温加热平台的温度范围为+25℃～+175℃。
20、优选的，所述低压电源的所述工作参数中的电压范围为0v～20v。
21、优选的，所述高压电源的所述工作参数中的电压范围为0v～1500v。
22、上述技术方案具有如下优点或有益效果：可以通过上位机对各个独立的设备仪器统一下发设置参数，提高测试效率低；可以接收示波器的测试结果，并且还可以在上位机内安装现有的测试软件的对测试结果进行分析，提升测试精确度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种碳化硅场效应管模块的双脉冲测试装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述高压电源与所述待测碳化硅场效应管模块之间还依次连接有断路器和母线电容；
3.根据权利要求1所述的双脉冲测试装置，其特征在于，还包括高温加热平台，安装于所述待测碳化硅场效应管模块的底部，用于调节所述待测碳化硅场效应管模块的测试环境温度。
4.根据权利要求1所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述待测碳化硅场效应管模块包括上管和下管，并且还包括负载电感；
5.根据权利要求4所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述示波器包括高压差分电压探头、电流采样电阻、光隔离差分电压探头；
6.根据权利要求4所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述负载电感的感值范围为0.5μH～100μH。
7.根据权利要求3所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述高温加热平台的温度范围为+25℃～+175℃。
8.根据权利要求1所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述低压电源的所述工作参数中的电压范围为0V～20V。>
9.根据权利要求1所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述高压电源的所述工作参数中的电压范围为0V～1500V。
...【技术特征摘要】
1.一种碳化硅场效应管模块的双脉冲测试装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述高压电源与所述待测碳化硅场效应管模块之间还依次连接有断路器和母线电容；
3.根据权利要求1所述的双脉冲测试装置，其特征在于，还包括高温加热平台，安装于所述待测碳化硅场效应管模块的底部，用于调节所述待测碳化硅场效应管模块的测试环境温度。
4.根据权利要求1所述的双脉冲测试装置，其特征在于，所述待测碳化硅场效应管模块包括上管和下管，并且还包括负载电感；
5.根据权利要求4所述的双脉冲测试装...
【专利技术属性】
技术研发人员：梅逸君，陈斌，
申请(专利权)人：嘉兴斯达微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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