【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体模块阻焊结构
[0001]本技术涉及功率半导体
,具体涉及一种功率半导体模块的阻焊结构。
技术介绍
[0002]功率半导体模块的DBC(陶瓷覆铜板)间距较小,焊接过程中,基板上陶瓷覆铜板间易产生焊料连通,由于熔融焊锡的表面张力作用,陶瓷覆铜板易出现桥连、偏移、旋转等现象,且会导致焊料厚度的不均匀,影响模块的可靠性。
[0003]传统阻焊方式一般通过印刷阻焊材料以形成阻焊层,加阻焊层的方式需要额外增加一道工序的成本以及阻焊材料和钢网的成本,而且固化阻焊层需要时间和温度,另一方面,形成阻焊层的过程中,会对焊接面产生一定的污染,另外,阻焊层往往会在焊接加热过程中发生脱落,从而失去阻焊的功能。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于,提供一种功率半导体模块阻焊结构,解决以上技术问题;
[0005]一种功率半导体模块阻焊结构,包括,
[0006]一基板;
[0007]多个陶瓷覆铜板,设于所述基板上,所述陶瓷覆铜板与所述基板之间具备焊料层;
[0008]阻焊线,...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块阻焊结构,其特征在于,包括,一基板;多个陶瓷覆铜板,设于所述基板上,所述陶瓷覆铜板与所述基板之间具备焊料层;阻焊线,设于所述基板上,所述阻焊线围合所述焊料层设置形成与所述陶瓷覆铜板数量相对应的阻焊图形线框,所述焊料层位于相对应的所述阻焊图形线框内;所述基板的四角处具备特征孔,以所述特征孔为基准确定所述基板上所述阻焊线的位置。2.根据权利要求1所述的功率半导体模块阻焊结构,其特征在于,所述陶瓷覆铜板包括,下铜层,设于所述基板上,所述下铜层与所述基板之间设有所述焊料层;中间陶瓷层,设于所述下铜层上;表面铜层,设于所述中间陶瓷层上。3.根据权利要求2所述的功率半导体模块阻焊结构,其特征在于,所述下铜层在所述基板上的投影区域的边缘与所述阻焊线之间的距离大于等于0.2mm并且小于等于1mm。4.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊伟,
申请(专利权)人:嘉兴斯达微电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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