本实用新型专利技术涉及一种二极管，包括壳体和灌封物，所述灌封物设置在壳体内部，所述壳体内部设置有至少一个整流子组，并且相邻整流子组之间反向串联设置，所述整流子组包括至少一个整流子，并且相邻整流子同向叠加设置，所述整流子依次包括由焊片连接的铜粒一、芯片和铜粒二，本实用新型专利技术具有可操作性强、生产效率高、实用性强、适用范围广、超高压大功率、有助于降低生产成本、经济效益高的特点。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体
，具体地说涉及一种二极管。
技术介绍
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。二极管就是采用半导体制作的器件，是最常用的电子元件之一。二极管的特性是单向导电，即电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管广泛应用于整流电路、检波电路、稳压电路及各种调制电路中。目前，市面上流通的高压二极管，主要是用3英寸或4英寸晶片叠加焊接后，再用线切割，划成边长为1-1.5mm左右的芯片链，然后再用芯片链焊结成轴向二极管，进行P/N结清洗，并封装成2CL的轴向二极管外形，此工艺只适用于小功率高压硅堆的生产，无法进行二极管生产；另外，传统二极管无法根据电子线路的要求，制造出完全适合电性要求的大功率二极管。
技术实现思路
针对现有技术的种种不足，为了解决上述问题，现提出一种可操作性强、生产效率高、实用性强、适用范围广、超高压大功率、有助于降低生产成本、经济效益高的二极管。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:—种二极管，包括壳体和灌封物，所述灌封物设置在壳体内部，所述壳体内部设置有至少一个整流子组，并且相邻整流子组之间反向串联设置，所述整流子组包括至少一个整流子，并且相邻整流子同向叠加设置，所述整流子依次包括由焊片连接的铜粒一、芯片和铜粒二。进一步，所述相邻整流子组之间设置有连接片，所述连接片厚度为0.2-0.4_，其宽度为2.5-3.5mm,其长度为6-6.5_。进一步，位于同一整流子组的相邻整流子之间通过所述焊片连接。进一步，所述铜粒一的直径为3.0-3.5mm,其厚度为0.2-0.3mm,所述铜粒二的直径为 4.0-4.5mm,其厚度为 0.3-0.4_。进一步，所述芯片与铜粒一连接的一侧为整流子的正极，所述芯片与铜粒二连接的一侧为整流子的负极。进一步，所述焊片的直径为3.15-3.5mm，其厚度为0.01-0.1mm。进一步，所述壳体内部还设置有2根引线，所述引线分别与整流子的正极、负极连接，所述引线的直径为1.23-1.33mm。进一步，所述相邻整流子组的间距设置为2-2.5mm。本技术的有益效果是:1、本技术将整流子进行同向叠加成整流子组，并且，将整流子组进行反向串联，具有可操作性强、生产效率高的特点。2、本技术可以根据电性参数要求，调整叠焊整流子的个数，以及串联的整流子组数，达到超高压、大功率的要求，可达500kV以上，具有实用性强、适用范围广的特点。3、本技术中铜粒一、铜粒二和焊片的厚度均明显低于行业内的常用厚度，有助于降低生产成本。4、本技术对相邻整流子组的间距进行优选，既满足了二极管的绝缘强度，又有效避免了对空间、灌封物的浪费，具有经济效益高的特点。【附图说明】图1是本技术的整体结构示意图；图2是本技术的整流子组结构示意图。附图中:壳体1、灌封物2、整流子组3、整流子4、连接片5、引线6、铜粒一 7、芯片8、铜粒二 9、焊片10。【具体实施方式】为了使本领域的人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合本技术的附图，对本技术的技术方案进行清楚、完整的描述，基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的其它类同实施例，都应当属于本申请保护的范围。下面结合附图和较佳的实施例对本技术作进一步说明。实施例一:如图1所示，一种二极管，包括壳体1和灌封物2，所述灌封物2设置在壳体1内部，所述灌封物2的材质设置为环氧树脂。所述壳体1内部设置有至少一个整流子组3，并且相邻整流子组3之间反向串联设置，所述相邻整流子组3之间设置有连接片5，所述相邻整流子组3的间距设置为2-2.5mm,既满足了二极管的绝缘强度，又有效避免了对空间、灌封物的浪费，经济效益高，所述连接片5的材质设置为无氧铜片，其厚度为0.2-0.4mm，其宽度为2.5-3.5mm，其长度为6_6.5mm，有助于将相邻的整流子组3进行连接。所述整流子组3包括至少一个整流子4，并且相邻整流子4同向叠加设置，所述壳体1内部还设置有2根引线6，作为优选，所述引线6为D0单钉头无氧铜镀络引线，所述引线6分别与整流子4的正极、负极连接，其直径为1.23-1.33mm。如图1-2所示，所述整流子4依次包括由焊片10连接的铜粒一 7、芯片8和铜粒二9，所述焊片10的材质设置为耐高温材质，所述芯片8与铜粒一 7连接的一侧为整流子4的正极，其与铜粒二 9连接的一侧为整流子4的负极，位于同一整流子组3的相邻整流子4之间通过所述焊片10连接。所述铜粒一 7的直径为3.0-3.5mm，其厚度为0.2-0.3mm，所述铜粒二 9的直径为4.0-4.5mm，其厚度为0.3-0.4mm，行业内常用铜粒一 7、铜粒二 9的厚度分别为1.0mm左右，所述焊片10的直径为3.15-3.5mm，其厚度为0.01-0.1mm，行业内常用焊片10的厚度为0.75mm，所述铜粒一 7、铜粒二 9和焊片10的厚度均明显低于行业内的常用厚度，有助于降低生产成本。实施例二:如图1-2所示，本实施例中，所述连接片5的厚度为0.2mm，其宽度为2.5mm，其长度为6mm，所述铜粒一 7的直径为3.5mm,其厚度为0.2mm,所述铜粒二 9的直径为4.0mm,其厚度为0.4mm,所述焊片10的直径为3.15mm，其厚度为0.05mm,所述引线6的直径为1.28mm，所述整流子4的额定电压为1000V。所述一种二极管的制作过程，具体包括以下步骤:(1)根据所要生产的二极管的电性参数要求，确定整流子4和整流子组3的数量，实用性强，适用范围广，促使所述二极管的电压可达500kV以上，其中，所述整流子4的数量等于二极管的要求电压U/1000V ;(2)采用所述焊片10，将所述铜粒一 7、芯片8和铜粒二 9组焊成一个整流子4，将所述整流子4同向叠加组成整流子组3 ;(3)调整相邻整流子组3的间距，作为优选，所述间距设置为2mm，采用所述连接片5，将相邻的整流子组3进行串联定型，可操作性强，生产效率高；(4)将所述引线6的一端分别与整流子4的正极、负极连接，另一端分别贯穿所述壳体1，采用灌封物2进行灌装成型即可。以上已将本技术做一详细说明，以上所述，仅为本技术之较佳实施例而已，当不能限定本技术实施范围，即凡依本申请范围所作均等变化与修饰，皆应仍属本技术涵盖范围内。【主权项】1.一种二极管，包括壳体和灌封物，所述灌封物设置在壳体内部，其特征在于，所述壳体内部设置有至少一个整流子组，并且相邻整流子组之间反向串联设置，所述整流子组包括至少一个整流子，并且相邻整流子同向叠加设置，所述整流子依次包括由焊片连接的铜粒一、芯片和铜粒二。2.根据权利要求1所述的一种二极管，其特征在于:所述相邻整流子组之间设置有连接片，所述连接片厚度为0.2-0.4mm，其宽度为2.5-3.5mm，其长度为6_6.5mm。3.根据权利要求2所述的一种二极管，其特征在于:位于同一整流子组的相邻整流子之间通过所述焊片连接。4.根据权利要求3所述的一种二极管，其特征在于:所述铜粒一的直径为3.0-3.5mm，其厚度为0.2-0.3mm，所述铜粒二的直径为4.0-4.5mm本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种二极管，包括壳体和灌封物，所述灌封物设置在壳体内部，其特征在于，所述壳体内部设置有至少一个整流子组，并且相邻整流子组之间反向串联设置，所述整流子组包括至少一个整流子，并且相邻整流子同向叠加设置，所述整流子依次包括由焊片连接的铜粒一、芯片和铜粒二。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：任丕尧，顾在意，史振华，
申请(专利权)人：青岛海智半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37
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