快恢复二极管制造技术

本申请公开了快恢复二极管。所述快恢复二极管包括：阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；阴极；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓冲层延伸至所述漂移区的至少一个沟槽；位于所述至少一个沟槽侧壁上的栅介质层；以及填充所述至少一个沟槽的栅导体层。该快恢复二极管采用缓冲层和从阳极经由缓冲层延伸至阴极的沟槽结构改善EMI兼容特性。

【技术实现步骤摘要】
快恢复二极管
本技术涉及功率半导体器件领域，更具体地，涉及快恢复二极管。
技术介绍
功率半导体器件亦称为电力电子器件，包括功率二极管、晶闸管、VDMOS(垂直双扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管、LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)场效应晶体管以及IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等。IGBT是由BJT(双极型三极管)和FET(场效应晶体管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。二极管器件作为一种基础的功率半导体器件，广泛的应用于各种电路之后，特别是在逆变器，变频器以及电机驱动领域，快恢复二极管器件通常与IGBT器件并联使用，用于IGBT器件关断时电流的续流。常规的快恢复二极管具有PIN结构，即包括P型区和N型区以及夹在二者之间的基区I。该基区的厚度很薄，使得反向恢复电荷很小，从而可以减小反向恢复时间Trr和正向电压降。为了实现更快的反向恢复时间，快恢复二极管例如采用少子寿命控制技术，例如，在二极管体内扩散重金属Au、Pt等元素作为复合中心，或采用电子或质子辐照等工艺在二极管体内制造出新的缺陷等方式来实现。然而，采用扩散和缺陷等工艺实现的快恢复二极管的反向恢复特性陡峭，从而对外围电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快恢复二极管，其特征在于，包括：阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓冲层延伸至所述漂移区的至少一个沟槽；位于所述至少一个沟槽侧壁上的栅介质层；以及填充所述至少一个沟槽的栅导体层，其中，所述第一接触区、所述场截止层、所述漂移区和所述缓冲层分别掺杂成N型，所述阳极掺杂成P型。

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：阴极，所述阴极包括场截止层和与所述场截止层接触的第一接触区；位于所述阴极上的漂移区；位于所述漂移区上的缓冲层；位于所述缓冲层中的阳极；从所述阳极经由所述缓冲层延伸至所述漂移区的至少一个沟槽；位于所述至少一个沟槽侧壁上的栅介质层；以及填充所述至少一个沟槽的栅导体层，其中，所述第一接触区、所述场截止层、所述漂移区和所述缓冲层分别掺杂成N型，所述阳极掺杂成P型。2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述至少一个沟槽将所述缓冲层和所述阳极分别分成彼此隔开的多个部分，使得所述缓冲层至少位于所述阳极下方。3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述缓冲层围绕所述阳极。4.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述场截止层包括彼此相对的第一表面和第二表面，所述第一接触区接触所述第一表面，所述漂移区接触所述第二表面。5.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述栅介质层包括位于所述至少一个沟槽侧壁上的第一部分和在所述至少一个沟槽外部横向延伸的第二部分，所述栅导体层包括填充所述至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾悦吉，黄示，韩健，陈琛，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33