【技术实现步骤摘要】
具有软恢复特性的快恢复二极管结构
本技术涉及一种二极管结构，本技术尤其是涉及一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构。
技术介绍
快恢复二极管（FRD）结构表面阳极区域为P型掺杂，背面阴极区域为N型重掺杂，阳极区域和阴极区域之间为N型轻掺杂的中性区域。FRD工作时从导通到关断需要经过反向恢复过程，器件正向导通电流逐渐降低至0后进入反向导通，反向导通电流先增大再逐步降低至0，进入关段过程。FRD从导通进入反向恢复过程中，如果正向导通电流降低的电流变化率较大，容易引起反向导通电流降低至0后电流波形产生振荡，从而导致FRD所工作电路系统中产生电磁干扰，影响系统的稳定性。反向恢复过程中产生电流振荡称为硬恢复，相反，反向导通电流降低至0过程电流变化率较缓未出现振荡现象，称为软恢复。
技术实现思路
本技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构。按照本技术提供的技术方案，所述具有软恢复特性的快恢复二极管结构，它包括P+型阳极区域、N-型轻掺杂区域、N+型阴极区域与高电离率区域，N-型轻掺杂区域的正面为P+型阳极区域，N-型轻掺杂区域的背面为N+型阴极区域；在N-型轻掺杂区域内设有呈阵列排列的高电离率区域，且高电离率区域为矩形，高电离率区域的边沿与N-型轻掺杂区域的边沿呈平行设置。所述高电离率区域阵列中的各列之间的间距呈相等设置；从N+型阴极区域到P+型阳极区域的方向上，高电离率区域阵列中的各行之间的间距呈逐渐降低设置。所述高电离率区域阵列设置在靠近N+型阴极区域的一侧，远离P+型阳极区域的一侧。所述每个高电离率区域的面积均相等，且每个高电离率...
【技术保护点】
一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构，其特征是：它包括P+型阳极区域（1）、N‑型轻掺杂区域（2）、N+型阴极区域（3）与高电离率区域（4），N‑型轻掺杂区域（2）的正面为P+型阳极区域（1），N‑型轻掺杂区域（2）的背面为N+型阴极区域（3）；在N‑型轻掺杂区域（2）内设有呈阵列排列的高电离率区域（4），且高电离率区域（4）为矩形，高电离率区域（4）的边沿与N‑型轻掺杂区域（2）的边沿呈平行设置。
【技术特征摘要】
1.一种具有软恢复特性的快恢复二极管结构，其特征是：它包括P+型阳极区域（1）、N-型轻掺杂区域（2）、N+型阴极区域（3）与高电离率区域（4），N-型轻掺杂区域（2）的正面为P+型阳极区域（1），N-型轻掺杂区域（2）的背面为N+型阴极区域（3）；在N-型轻掺杂区域（2）内设有呈阵列排列的高电离率区域（4），且高电离率区域（4）为矩形，高电离率区域（4）的边沿与N-型轻掺杂区域（2）的边沿呈平行设置。2.如权利要求1所述的具有软恢复特性的快恢复二极管结构，其特征是：所述高电...
【专利技术属性】
技术研发人员：程炜涛，许生根，王海军，叶甜春，
申请(专利权)人：江苏中科君芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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