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本申请提供一种二极管，通过NPN三极管来实现，NPN三极管包括三个N型源漏注入及一个P型源漏注入，两个N型源漏注入分别作为两个集电区，紧靠作为基区的P型源漏注入，并通过金属短接作为二极管的阳极；第三个N型源漏注入作为发射区，也即二极管的阴极...
该专利属于上海新进半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新进半导体制造有限公司授权不得商用。

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