The utility model discloses a high efficient anti PID PERL battery includes a positive electrode and back electrode, aluminum back field and P type silicon substrate; P type silicon substrate wherein the side side is smooth texture structure structure; wherein the surface structure of sequentially depositing phosphorus concentration (N+) and light (N P) area is a diffusion layer, a silicon oxide layer, silicon nitride and silicon oxide composite antireflection film, positive electrode; the smooth surface are sequentially deposited on the local domain P+ diffusion layer, a layer of aluminum oxide, silicon nitride layer, the AL electrode; the positive electrode and back electrode through the opening hole and the P+ layer and the N+ layer is connected; formed a positive electrode and back electrode and the back field through screen printing; the through holes are formed by laser drilling or lithography. The beneficial effect of the utility model is that a good anti PID antireflection film is formed on the surface of the silicon chip, and the open circuit voltage and the short circuit current are improved, and the photoelectric conversion efficiency is improved, and the attenuation rate of the component is reduced.
【技术实现步骤摘要】
一种抗PID高效PERL电池
本技术涉及晶硅太阳能电池片制造领域,具体地涉及一种抗PID高效PERL电池。
技术介绍
随着光伏发电在世界能源消耗中占有越来越重要的位置,发电系统也越来越庞大,一个发电系统中集成的光伏组件也越来越多。为了减少整个系统的成本,大多数电站的业主会选择最佳系统电压和采用更少的逆变器,但这样会使光伏组件长期暴露在高压下,同时长期受到恶劣环境影响会引起衰减,也就是现在光伏行业非常关注的电势诱导衰减(PID)现象。在高温、高湿和高压环境下,晶硅太阳能电池片和组件均易出现PID现象。对于晶硅太阳能电池片来说,在高温高湿的条件下,电池内部的金属离子更容易发生穿通,从而在电池表面形成复合中心,进而在高压状态下发生衰减。但现有的工艺制成的PERL(钝化发射极背部局域扩散)电池的PID现象严重,造成开路电压与短路电流明显降低,光电转换效率无法达到理想效果。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种抗PID高效PERL电池,达到提高开路电压和短路电流,提高光电转换效率及降低组件衰减率的目的。为了解决上述技术问题,本技术采用的技术解决方案是:一种抗PID高效PERL电池,包括正电极和背电极,铝背场及P型硅衬底。所述的P型硅衬底一面为绒面结构,一面为平滑结构;其中所述绒面结构上依次沉积浓磷(N+)、淡磷(N)分区扩散层,氧化硅层,氮化硅与氧化硅组合减反射膜层,正电极;所述平滑结构上依次沉积局部定域扩散P+层,氧化铝层,氮化硅层,背面AL电极。进一步说明所述的浓磷(N+)、淡磷(N)分区扩散层通过硅片先进行浓磷扩散,再在电极位置喷涂掩膜层,刻蚀去掉非掩膜区,进行淡 ...
【技术保护点】
一种抗PID高效PERL电池,包括正电极和背电极,铝背场及P型硅衬底,其特征在于:所述的P型硅衬底一面为绒面结构,一面为平滑结构;所述的正电极与背电极均通过开通孔与P+层和N+层相连;所述的正电极、背电极及背场均通过丝网印刷形成。
【技术特征摘要】
1.一种抗PID高效PERL电池,包括正电极和背电极,铝背场及P型硅衬底,其特征在于:所述的P型硅衬底一面为绒面结构,一面为平滑结构;所述的正电极与背电极均通过开通孔与P+层和N+层相连;所述的正电极、背电极及背场均通过丝网印刷形成。2.根据权利要求1所述的一种抗PID高效PERL电池,其特征在于:所述绒面结构上依次沉积浓磷N+淡磷N分区扩散层,氧化硅层,氮化硅与氧化硅组合减反射膜层,正电极。3.根据权利要求1所述的一种抗PID高效PERL电...
【专利技术属性】
技术研发人员:周军勇,周喜明,王庆钱,
申请(专利权)人:浙江鸿禧能源股份有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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